简介本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承，Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案，重新定义行业基准。在第 4 代发布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 凭借多项重要设计要素的平衡，已在广泛用例中得到验证，为硬开关应用的全面性能设定了基准。市场上的某些厂商只关注特定品质因数 (FOM)，如导通损耗、室温下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 则采用了一
关键字：
Wolfspeed 碳化硅 高功率应用
● 英飞凌开始向客户提供首批采用先进的200 mm碳化硅（SiC）晶圆制造技术的SiC产品● 这些产品在奥地利菲拉赫生产，为高压应用领域提供一流的SiC功率技术● 200 mm SiC的生产将巩固英飞凌在所有功率半导体材料领域的技术领先优势英飞凌200mm SiC晶圆英飞凌科技股份公司在200 mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲
关键字：
英飞凌 碳化硅 SiC 200mm碳化硅
据深圳平湖实验室官微消息，为降低材料损耗，深圳平湖实验室新技术研究部开发激光剥离工艺来替代传统的多线切割工艺，其工艺过程示意图如下所示：激光剥离工艺与多线切割工对照：有益效果：使用激光剥离工艺，得到6/8 inch SiC衬底500μm和350μm产品单片材料损耗≤120 μm，出片率提升40%，单片成本降低约22%。激光剥离技术在提高生产效率、降低成本方面具有显著效果，该工艺的推广，对于快速促进8 inch SiC衬底产业化进程有着重要意义。不仅为SiC衬底产业带来了轻资产、高效益的新模式，也为其他硬质
关键字：
激光剥离 碳化硅
简介本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承，Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案，重新定义行业基准。在第 4 代发布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 凭借多项重要设计要素的平衡，已在广泛用例中得到验证，为硬开关应用的全面性能设定了基准。市场上的某些厂商只关注特定品质因数 (FOM)，如导通损耗、室温下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 则采用了一种更为广泛
关键字：
第4代碳化硅 碳化硅 Wolfspeed
碳化硅（SiC）作为一种高性能材料，在大功率器件、高温器件和发光二极管等领域有着广泛的应用。其中，基于等离子体的干法蚀刻在SiC的图案化及电子器件制造中起到了关键作用，现分述如下:干法蚀刻概述碳化硅反应离子蚀刻碳化硅反应离子蚀刻案例ICP的应用与优化1、干法蚀刻概述干法蚀刻的重要性精确控制线宽：当器件尺寸进入亚微米级（<1μm）时，等离子体蚀刻因其相对各向异性的特性，能够精确地控制线宽，成为SiC蚀刻的首选方法。化学稳定性挑战：SiC的化学稳定性极高（Si-C键合强度大），使得湿法蚀刻变得困难。湿法
关键字：
碳化硅 蚀刻工艺 干法蚀刻
2025年以来，碳化硅产业迎来关键发展节点，正式步入8英寸产能转换的重要阶段。在这一背景下，继中国电科30台套SiC外延设备顺利发货之后，碳化硅设备领域又传动态：中导光电拿下SiC头部客户重复订单。 近日，中导光电的纳米级晶圆缺陷检测设备NanoPro-150获得国内又一SiC头部客户的重复订单，该设备用于SiC前道工艺过程缺陷检测。此外，1月初，该设备产品还成功赢得了国内半导体行业头部企业的重复订单。 中导光电表示，公司将在SiC晶圆纳米级缺陷检测领域投入更多的研发资源，通过高精度多
关键字：
碳化硅 半导体设备
英飞凌1992年开始碳化硅技术研发，是第一批研发碳化硅的半导体公司之一。2001年推出世界上第一个商用碳化硅二极管，此后生产线不断升级，2018年收购德国Siltectra公司，2019年推出碳化硅CoolSiCTM MOSFET技术，2024年推出了集成.XT技术的XHPTM 2 CoolSiCTM半桥模块。英飞凌持续32年深耕碳化硅功率器件，不断突破不断创新，持续引领碳化硅技术发展。近日，英飞凌在北京举办碳化硅媒体发布会，深入介绍了其在碳化硅功率器件产品及技术方面的进展及其在工业与基础设施领域的应用和
关键字：
英飞凌 碳化硅 能源 工业设备
2024年，全球极端天气频发，成为有气象记录以来最热的一年，飓风、干旱等灾害比往年更加严重。在此背景下，推动社会的绿色低碳转型，提升发展的“绿色含量”已成为广泛共识。在经济社会踏“绿”前行的过程中，第三代半导体尤其是碳化硅作为关键支撑，如何破局飞速发展的市场与价格战的矛盾，除了当下热门的新能源汽车应用，如何在工业储能等其他应用市场多点开花？在日前举办的年度碳化硅媒体发布会上，英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区高管团队从业务策略、商业模式到产品优势等多个维度，全面展示了英飞凌在碳化硅领域30年的深耕积累和
关键字：
碳化硅 零碳技术 英飞凌
2024年，全球极端天气频发，成为有气象记录以来最热的一年，飓风、干旱等灾害比往年更加严重。在此背景下，推动社会的绿色低碳转型，提升发展的“绿色含量”已成为广泛共识。在经济社会踏“绿”前行的过程中，第三代半导体尤其是碳化硅作为关键支撑，如何破局飞速发展的市场与价格战的矛盾，除了当下热门的新能源汽车应用，如何在工业储能等其他应用市场多点开花？在日前举办的年度碳化硅媒体发布会上，英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区高管团队从业务策略、商业模式到产品优势等多个维度，全面展示了英飞凌在碳化硅领域30年的深耕积累和
关键字：
英飞凌 碳化硅
12月18日消息，格力电器董事长董明珠日前在《珍知酌见》栏目中表示，格力芯片成功了。据董明珠介绍，格力在芯片领域从自主研发、自主设计、自主制造到整个全产业链已经完成。据报道，格力芯片工厂是一座投资近百亿元建设的碳化硅芯片工厂。该项目于2022年12月开始打桩建设，2023年4月开始钢结构吊装，当年10月设备移入，12个月实现通线。项目规划占地面积600亩，包含芯片工厂、封测工厂以及配套的半导体检测中心和超级能源站。值得一提的是，该项目关键核心工艺国产化设备导入率超过70%，据称是全球第二组、亚洲第一座全自
关键字：
格力 碳化硅 芯片工厂
据媒体报道，美国商务部13日宣布，已与德国汽车零部件供应商博世达成初步协议，向其提供至多2.25亿美元补贴，用于在加州生产碳化硅（SiC）功率半导体。据悉，这笔资金将支持博世计划的19亿美元投资，改造其位于加州罗斯维尔的工厂，以生产碳化硅功率半导体。此外，美国商务部还将为博世提供约3.5亿美元政府贷款。博世计划于 2026 年开始生产 SiC 芯片，据估计，该项目一旦全面投入运营，可能占美国SiC制造产能的40%以上。
关键字：
博世 碳化硅 功率器件
● 意法半导体与雷诺集团签署长期供货协议，保证安培碳化硅功率模块的供应安全● 合作开发逆变器电源控制系统和散热系统，进一步提高安培新一代电机的能效水平● 该协议符合安培与供应链上游企业合作，为其每一项电动汽车技术设计最佳解决方案的策略雷诺集团旗下纯智能电动汽车制造公司安培 (Ampere) 与服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST)近日宣布了下一步战略合作行动，雷诺集
关键字：
雷诺 安培 意法半导体 碳化硅 电动汽车电源 电源控制系统
据采埃孚官微消息，采埃孚又一电驱动工厂—采埃孚电驱动系统（沈阳）有限公司近日开业。作为采埃孚在华的第3家电驱动工厂，沈阳工厂将生产和销售新能源汽车电驱动桥三合一总成等产品。据介绍，沈阳电驱动工厂的主打产品为新能源汽车的电驱动系统，涵盖前桥及后桥总成，包含电机、控制器及减速器。其中，控制器搭载了采埃孚High 2.0 SiC技术，围绕800伏平台持续升级，既可以提升安全等级又可以优化成本。截至目前，采埃孚在中国共有3家电驱动工厂。2022年9月，采埃孚电驱动技术（杭州）有限公司二期项目投产，主要生产800伏
关键字：
碳化硅 采埃孚 电驱动
做了一个3KW碳化硅电源！(全称：碳化硅3KW图腾柱PFC)它能起到什么作用？具体参数是（第1章）？怎么设计出来的（第2章）？实测情况（第3章）？原理是（第4章）？开源网址入口（第5章）？下文一一为你解答！1.基础参数双主控设计：CW32+IVCC1102输入：AC 110V~270V 20Amax输出：DC 350V-430V 20Amax功率：3000W设计功率：3500W效率：98.5%能用在哪些地方？① 可以作为3KW LLC电源或者全桥可调电源的前级PFC环节；②
关键字：
碳化硅 3KW 电源 电路设计
为适应公司战略发展需要，经深圳市市场监督管理局核准，深圳基本半导体有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商变更登记手续，公司名称正式变更为“深圳基本半导体股份有限公司”。此次股份改制是基本半导体发展的重要里程碑，标志着公司治理结构、经营机制和组织形式得到全方位重塑，将迈入全新的发展阶段。从即日起，公司所有业务经营活动将统一采用新名称“深圳基本半导体股份有限公司”。公司注册地址变更至青铜剑科技集团总部大楼，详细地址为：深圳市坪山区龙田街道老坑社区光科一路6号青铜剑科技大厦1栋801。股改完成后
关键字：
基本半导体 铜烧结 碳化硅 功率芯片
碳化硅！介绍
您好，目前还没有人创建词条碳化硅！!
欢迎您创建该词条，阐述对碳化硅！的理解，并与今后在此搜索碳化硅！的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473