4月7日，中国汽车芯片产业创新战略联盟功率半导体分会在长沙成立，将加快汽车功率芯片的国产化。在成立大会暨汽车功率芯片发展研讨会期间，第一财经记者获悉，汽车结构性缺芯给国产芯片带来机会，降本提质是国产功率芯片尤其是碳化硅功率半导体“上车”的关键；三安光电用于电动车主驱的碳化硅功率半导体有望今年四季度正式“上车”。 汽车结构性缺芯给国产芯片带来机会 有行业专家向第一财经记者表示，一辆电动车如果前驱与后驱都用功率半导体，功率半导体约占电机控制器的成本50%。奇瑞汽车研发总院芯片规划总监郭宇辉告诉第一财经记者
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汽车电子 功率半导体 碳化硅
【2023 年 4 月 13 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。这款装置可以满足工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流 (DC-DC) 转换器和电动车 (EV) 电池充电器等应用，对更高效率与更高功率密度的需求。 DMWS120H100SM4 在高电压 (1200V) 和汲极电流 (可达 37A) 的条件下运作，同时维持低导
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Diodes 碳化硅 MOSFET
2023年4月12日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解决方案。EliteSiC产品系列包括二极管、MOSFET、IGBT和SiC二极管功率集成模块 (PIM)，以及符合AEC-Q100标准的器件。这些器件经过优化，可为能源基础设施和工业驱动应用提供高可靠性和高性能。可再生能源和大功率工业应用需要高击穿电压 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
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贸泽 安森美 EliteSiC 碳化硅
IT之家 3 月 22 日消息，TechInsights（前 Strategy Analytics）今日发布报告称，随着电池电动汽车的发展，汽车半导体的需求激增，宽带隙技术的使用也有所增加。SiC MOSFET 为动力系统提供了 Si IGBT 和 SiC MOSFET 的替代方案。TechInsights 表示，碳化硅市场收益在 2022 年至 2027 年期间将以 35% 的复合年增长率从 12 亿美元（IT之家注：当前约 82.44 亿元人民币）增长到 53 亿美元（当前约 364.11
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碳化硅
一直以来，“里程焦虑”、“充电缓慢”都是卡住新能源汽车脖子的关键问题，是车企和车主共同的焦虑；但随着高压电气技术的不断进步和快充时代的到来，将SiC(碳化硅）一词推向了市场的风口浪尖。继2019年4月保时捷Taycan Turbo S 全球首发三年后，800V高压超充终于开始了普及。相比于400V，800V带来了更高的功效，大幅提升功率，实现了15分钟的快充补能。而构建800V超充平台的灵魂就是材料的革新，基于碳化硅的新型控制器，便引领着这一轮高压技术的革命。小鹏发布的800V高压SiC平台Si（硅）早已
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碳化硅 SiC
领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi）近日宣布与宝马集团（BMW）签署长期供货协议（LTSA），将安森美的EliteSiC技术用于这家德国高端汽车制造商的400 V直流母线电动动力传动系统。安森美最新的EliteSiC 750 V M3芯片被集成到一个全桥功率模块中，可提供几百千瓦的功率。两家公司的战略合作针对电动动力传动系统的开发和整合，使安森美能为特定应用提供差异化的芯片方案，包括优化尺寸和布局以及高性能和可靠性。优化的电气和机械特性实现高效率和更低的整体损耗，同时提供极高的系
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3 月 3 日消息，美国电动汽车制造商特斯拉在首次投资者日活动上表示，计划减少下一代电动汽车动力系统中碳化硅晶体管的使用量，当地时间周四相关芯片制造商的股价纷纷下跌。本周三举行的特斯拉投资者日活动讨论的一个主要内容是效率提升和成本控制。特斯拉动力系统工程负责人科林・坎贝尔（Colin Campbell）登台展示了公司计划如何在保持高性能和转化效率的同时降低汽车动力系统的成本。坎贝尔透露，“在我们的下一代动力系统中，作为关键部件的碳化硅晶体管价格昂贵，但我们找到了一种方法，可以在不影响汽车性能或效率的情况下
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特斯拉 碳化硅
在相当长的一段时间内，硅一直是世界各地电力电子转换器所用器件的首选半导体材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出现带来了一种替代材料，它能减轻对硅的依赖。SiC 是宽禁带 (WBG) 半导体：将电子激发到导带所需的能量更高，并且这种宽禁带具备优于标准硅基器件的多种优势。由于漏电流更小且带隙更大，器件可以在更宽的温度范围内工作，而不会发生故障或降低效率。它还具有化学惰性，所有这些优点进一步巩固了 SiC 在电力电子领域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已广泛用于众多应用，例如电源、纯
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安森美 碳化硅
日前，英飞凌科技继续扩大了与碳化硅（SiC）供应商的合作。英飞凌是一家总部位于德国的半导体制造商，此次与Resonac Corporation（原昭和电工）签署了全新的多年期供应和合作协议。早在2021年，双方就曾签署合作协议，此次的合作是在该基础上的进一步丰富和扩展，将深化双方在SiC材料领域的长期合作伙伴关系。协议显示，英飞凌未来十年用于生产SiC半导体的SiC材料中，约占两位数份额将由Resonac供给。前期，Resonac将主要供应6英寸SiC材料，协议后期则会助力英飞凌向8英寸晶圆的过渡。合作过
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英飞凌 碳化硅
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）持续扩大与碳化硅（SiC）供应商的合作。英飞凌是一家总部位于德国的半导体制造商，此次与Resonac Corporation（原昭和电工）签署了全新的多年期供应和合作协议。早在2021年，双方就曾签署合作协议，此次的合作是在该基础上的进一步丰富和扩展，将深化双方在SiC材料领域的长期合作伙伴关系。协议显示，英飞凌未来十年用于生产SiC半导体的SiC材料中，约占两位数份额将由Resonac供给。前期，Resonac将主要供应6英寸SiC
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英飞凌 Resonac 碳化硅 SiC
Diodes 公司 (Diodes)近日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)。产品组合包含 DIODES DSCxxA065系列，共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) 的产品，以及 DIODES DSCxx120系列，共有八款 1200V 额定电压 (2A、5A 和 10A) 产品。这些宽带隙 SBD 的优点包括可大幅提高效率和高温可靠
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Diodes 碳化硅 肖特基势垒二极管 SBD
● Wolfspeed 将与采埃孚在德国建立联合研发中心，旨在进一步提升在全球碳化硅系统和器件创新领域的领先地位。● 采埃孚将向 Wolfspeed 投资，以支持全球最先进、最大的碳化硅器件工厂的建设。全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc.和与致力于打造下一代出行的全球性技术公司采埃孚集团宣布建立战略合作伙伴关系。这其中包括建立一座联合创新实验室，共同推动碳化硅系统和器件技术在出行、工业和能源应用领域的进步。此次合作还包括采埃孚将向
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Wolfspeed 采埃孚 碳化硅
· 将成为全球最大的200mm 半导体工厂，采用创新性制造工艺来生产下一代碳化硅器件。· 扩展至欧洲的碳化硅器件制造布局，将支持不断加速中的客户需求，同时也将支持公司在 2027 财年达成 40 亿美元的长期营收展望。· 将成为公司先前宣布的 6
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2023 年 1 月 30 日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON）宣布与德国大众汽车集团 (VW)签署战略协议，为大众汽车集团的下一代平台系列提供模块和半导体器件，以实现完整的电动汽车 (EV) 主驱逆变器解决方案。安森美所提供的半导体将作为整体系统优化的一部分，形成能够支持大众车型前轴和后轴主驱逆变器的解决方案。 安森美将首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驱逆变器电源模块，作为协议的一部分。EliteSiC 电源模块具备引脚兼容特性，可
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意法半导体（ST）是一家拥有非常广泛产品组合的半导体公司，尤其汽车更是ST非常重视的市场之一。 意法半导体车用和离散组件产品部策略业务开发负责人Luca SARICA指出，2022年车用和离散组件产品部（ADG）占了ST总营收的30%以上。ST在2021年的营收达到43.5亿美元，而若与2022年相比，车用产品部门与功率和离散组件部门的营收增幅都相当显著，达30%以上。车用和离散组件产品部拥有意法半导体大部分的车用产品，非常全面性的产品组合能够支持汽车的所有应用。 图一 : ADG营运策略ADG
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