效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。在纽伦堡2017年PCIM展会上，英飞凌展出了1200 V CoolSiC™ MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。如今，英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力。 英飞凌工业功率控
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英飞凌 碳化硅
三菱电机于6月27至29日在上海世博展览馆举行的PCIM Asia 2017(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会)展会中，以十款新型功率器件强势登场，其中第7代IGBT模块更首次作全电压、全封装及全系列展出(三菱电机展位号：E06)。 三菱电机以“创新功率器件构建可持续未来”为主题，今年展出的功率器件应用范围跨越五大领域，包括：变频家电、铁道牵引及电力传输、电动汽车、工业应用和新能源发电，致力为客户提供高性能及低损耗的产品。 变频家电市场 在变频家电应用方面，三菱电机展出
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三菱电机 碳化硅
功率因数校正（PFC）市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗超过75W的离线设备的谐波标准。由于北美没有管理PFC的规定，能源节省和空间/成本的考虑成为在消费类产品、计算机和通信领域中必须使用PFC的
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碳化硅 肖特基二极管 电源 DCM PFC
伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅和氮化镓为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。
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氮化镓 碳化硅
从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底，陈小龙团队花了10多年时间，在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化。
不久前，中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司(以下简称天科合达)合作，解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术，成功研制出了6英寸碳化硅单晶衬底。
从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底，陈小龙团队花了10多年时间，在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化。
第三代半导体材料
研究人员告诉记者，上世纪
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碳化硅 晶片
5月29日，国内首批产业化6英寸碳化硅外延晶片在位于厦门火炬高新区的瀚天天成电子科技(厦门)有限公司投产，并交付第一笔商业订单产品， 成为国内首家提供商业化6英寸碳化硅外延晶片的生产商。
据悉，碳化硅是继第一代硅、锗和第二代砷化镓等材料之后的第三代新型半导体材料。碳化硅半导体仪器大禁带宽度、高临界场强和高热导率等优良特性，成为制作高温、高频和大功率电力电子器件的理想半导体材料。
瀚天天成电子科技(厦门)有限公司总经理郑忠惠介绍，6英寸碳化硅外延晶片相对于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
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碳化硅 外延晶片
三菱电机今年以“创新功率器件构建可持续未来”为题，携带六款全新产品，于6月17至19日在上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展2014中隆重亮相。 今年展出的产品范围跨越六大领域，包括：工业应用、变频家电应用、可再生能源应用、铁路牵引和电力应用、电动汽车应用以及碳化硅器件应用。 在新产品方面，这次展出的全新第7代IGBT模块，适合应用在工业驱动和太阳能发电上。它采用了第7代IGBT硅片和二极管硅片;具有650V、1200V和1700V三种电压等级;提高利用门极电阻优化dv/dt的可控性;涵盖模块电流7
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三菱电机 PCIM 碳化硅
东京—东芝公司(TOKYO：6502)日前宣布将扩充其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列，为其现有的6A、8A和12A产品阵容中增添一款10A产品。该产品将于即日起批量交付。
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东芝 碳化硅
Mouser Electronics宣布备货Cree公司的CAS100H12AM1，这是业界首款在单个半电桥封装中结合SiC MOSFET和SiC肖特基二极管的产品。
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致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200 V 肖特基二极管系列，新的二极管产品瞄准广泛的工业应用，包括太阳能逆变器、电焊机、等离子切割机、快速车辆充电、石油勘探。
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美高森美 碳化硅 二极管
记者从东莞市天域半导体科技有限公司获悉，该公司投资碳化硅(SiC)材料这一高科技领域，连续砸进1.8亿元，正与中科院半导体研究所联合，进行“第三代半导体碳化硅外延晶片研发及产业化”，是我国首家、全球第五家专业从事第三代半导体碳化硅(SiC)外延片生产、研发和销售的高科技企业。
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LED 领域的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出其最新低基面位错(LBPD)100毫米4H碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1 cm-2，引起Vf偏移的基面位错容量小于0.1 cm-2。
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科锐材料产品经理 Vijay Balakrishna博士表示：“科锐拥有在碳化硅领域100毫米外延片的强大量产能力。最新的150毫米技术将进一步提升碳化硅晶圆片的标准。科锐的垂直整合能力确保能够为客户提供针对高品质150毫米碳化硅外延片的完整解决方案，并为电力电子市场的领先企业提供稳定的供货保障。
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科锐 碳化硅 LED
LED领域的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出高品质、低微管的150毫米 4H N型碳化硅外延片。科锐通过推出更大直径的外延片，从而继续引领碳化硅材料市场的发展。此项最新技术能够降低设备成本，并能够利用现有150毫米设备工艺线。新型150毫米外延片拥有高度均一的厚度为100微米的外延层，并已开始订购。
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进入21世纪，开关电源技术将会有更大的发展，这需要我国电力电子、电源、通信、器件、材料等工业和学术各界努...
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开关电源 转换器 碳化硅（SiC）
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