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碳化硅! 文章 进入碳化硅!技术社区

SiC MOSFET的桥式结构解析

  • 本文将对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍。
  • 关键字: SiC  碳化硅  MOSFET  

碳化硅MOSFET晶体管的特征

  • 功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化,一直在进行各种改良。
  • 关键字: SiC  碳化硅  MOSFET  

SiC-SBD与Si-PND的正向电压比较

  • 本文对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。
  • 关键字: SiC  碳化硅  SBD  

SiC-SBD与Si-PND的反向恢复特性比较

  • 反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数,所以不仅要比较trr的数值,还要理解其波形和温度特性,这样有助于有效使用二极管。
  • 关键字: SiC  碳化硅  SBD  

SiC肖特基势垒二极管的特征,及与Si二极管的比较

  • 继SiC功率元器件的概述之后,将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。
  • 关键字: 碳化硅  SiC  SBD  肖基特二极管  

SiC功率元器件的开发背景和优点

  • SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。
  • 关键字: SiC  碳化硅  

什么是碳化硅?SiC的特性和特征

  • 碳化硅(SiC)是比较新的半导体材料。本文来了解一下它的物理特性和特征。
  • 关键字: SiC  碳化硅  

ST先进SiC牵引电机逆变器解决方案

  • 意法半导体(ST)作为全球领先的汽车半导体供应商之一,多年前就开始布局新能源汽车领域,在2019年正式成立新能源车技术创新中心,推出了SiC牵引电机逆变器的整体解决方案。该方案按照功能安全IS026262标准流程开发,满足ASIL D等级。基于AutoSAR的软件架构和模型化的软件算法,为客户前期方案评估和后续开发提供了便利,大大缩短了整个研发周期。
  • 关键字: SiC  碳化硅  牵引逆变器  

ST第三代碳化硅技术问世 瞄准汽车与工业市场应用

  • 电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要。意法半导体汽车和离散组件产品部(ADG)执行副总裁暨功率晶体管事业部总经理Edoardo MERLI说明,从图二可以看到由于全球能源需求正在不断成长,我们必须控制碳排放,并将气温上升控制在1.5度以下,减排对此非常重要,但要实现这些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST对此也有制定一些具体的目标。 图二图三显示的是一些关于如何利用电力科技实现各种节能目标的具体数据,图中是对全球电力消耗状况的统计。仅就工业领域来说,如果能将电力利用效率提升1%,
  • 关键字: ST  碳化硅  汽车  工业  SiC  

跻身第三代半导体市场 ST助力全球碳中和

  •   随着第三代半导体的工艺越来越成熟和稳定,应用在工业和电动汽车上的产品也变得多样化。作为半导体行业中的佼佼者,意法半导体同样重视第三代半导体带来的优势作用,推出了有关氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的一系列产品,有力地推动了第三代半导体在电动汽车和工业领域上的应用发展。2022年2月意法半导体召开媒体交流会,介绍了意法半导体在全球碳中和理念的背景下,如何通过创新技术和推出新的产品系列,为世界控制碳排放做出贡献。  据调查,工业领域中将电力利用效率提升1%,就能节约95.6亿千瓦时的能源。这意味着节约了
  • 关键字: 意法半导体  ST  碳化硅  氮化镓  202203  

Power Integrations推出业界首款内部集成1700V SiC MOSFET的汽车级高压开关IC

三安集成:碳化硅车规产品“上车”,湖南基地实现规模交付

  • 新年第一个月,中国首条碳化硅全产业链垂直整合制造平台 -- 湖南三安“喜提”多个好消息。长沙制造碳化硅二极管量产出货并顺利通过客户验证,车规级二极管接连获得汽车行业客户订单。新能源汽车迎来“碳化硅元年”,湖南三安驶入发展快车道在化石燃料资源和环境问题面前,各国都发布了“双碳”计划。欧盟各国决定在2040-2060年间彻底禁止燃油车,拜登政府也计划拿出超过600亿美元用于推动家用车和公交车的电动化,日本则是通过提高行业燃油经济性标准以促进新能源车普及。碳化硅功率器件以其出色的能源转换效率,在充电桩、车载充电
  • 关键字: 三安集成  碳化硅  车规产品  

深化碳中和愿景下的中欧科技创新合作

  • 11月27日, 由中国科学技术协会与深圳市人民政府共同主办,由中国科协企业创新服务中心、深圳市科学技术协会承办、深圳市科技交流服务中心、深圳基本半导体有限公司、深圳中欧创新中心执行的“2021中欧科技创新合作发展论坛”专业论坛——“2021中欧第三代半导体高峰论坛”在深圳隆重举行。论坛上,来自国内及英国、法国、比利时等国际知名的科学家、科技组织、科研院校、行业协会、半导体企业及投资机构等泛第三代半导体产业生态圈的代表参与大会,共同探讨中欧第三代半导体产业发展和应用现况及未来趋势,并就如何深化“碳中和”目标
  • 关键字: 第三代半导体  碳化硅  

2021基本创新日盛大开启 碳化硅系列新品重磅发布

  • 新基建和“双碳”战略目标推动下,第三代半导体产业正在开启发展加速度,有望成为绿色经济的中流砥柱,引领新一轮产业革命。“创新为基,创芯为本”,11月27日,2021基本创新日活动在深圳盛大启幕。基本半导体总经理和巍巍博士在会上发布了汽车级全碳化硅模块、第三代碳化硅肖特基二极管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品,至此基本半导体产品布局进一步完善,产品竞争力再度提升,将助力国内第三代半导体产业进一步发展,受到了现场来自汽车、工业、消费等领域以及第三代半导体产业生态圈的多位业内人士的高度关注。汽车级全碳化硅功
  • 关键字: 第三代半导体  碳化硅  MOSFET  

Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列

  • 基础半导体元器件领域的专家Nexperia,今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管,正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措,旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。 Nexperia的首款SiC肖特基二极管为工业级器件,重复反向峰值电压为650V(VRRM),持续正向电流为10A(IF),旨在为功率转换应用实现超高性能、高效率、低损耗。以及兼容高压的具有更高爬电距离的纯双引脚(R2P)封装,使该系列
  • 关键字: Nexperia  碳化硅  SiC  二极管  
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碳化硅!介绍

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