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EEPW首页 >> 主题列表 >> 碳化硅!

碳化硅! 文章 最新资讯

意法半导体与赛米控合作,在下一代电动汽车驱动系统中集成碳化硅功率技术

  • 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)近日宣布,为世界排名前列的电源模块系统厂商赛米控(Semikron)的eMPack®电动汽车电源模块提供碳化硅(SiC)技术。该供货协议是两家公司为期四年的技术合作开发成果。采用意法半导体先进的 SiC 功率半导体,双方致力于在更紧凑的系统中实现卓越的能效,并在性能方面达到行业标杆。SiC 正迅速成为汽车行业首选的电动汽车牵引驱动的电源技术,有助于提高行驶里程和可靠性。赛米控最近宣布已获得一笔价值 1
  • 关键字: 意法半导体  赛米控  电动汽车  碳化硅  

UnitedSiC(现名Qorvo)宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET

  • 2022年5月11日移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)系列。
  • 关键字: UnitedSiC  Qorvo  SiC  碳化硅  场效应管  

安森美推全球首款TOLL封装碳化硅MOSFET 尺寸大幅缩小

  • 安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON)在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless(TOLL)封装的碳化硅(SiC)MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关组件迅速增长的需求。直到最近,SiC组件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7接脚封装。TOLL封装的尺寸仅为9.90mm x 11.68mm,比D2PAK封装的PCB面积节省30%。而且,它的外形只有2.30mm,比D2PAK封装的体积小60%。除了更小尺寸之外,TOLL封装还提供比D2PAK 7接
  • 关键字: 安森美  TOLL封装  碳化硅  MOSFET  

罗姆SiC评估板测评:快充测试

  • 一、测试工装准备1、P02SCT3040KR-EVK-001测试板2、电压源3、示波器4、负载仪二、测试项目进行1、安装 SIC后的空载波形SiC安装空载波形空板,空载GS 为100hz 25V 信号2、DCDC 在线测试1)空载测试驱动空载输出12V,gs驱动为200hz总宽度3.6uS的锥形信号2)加载  24转55V  2A dcdc驱动信号波形如下:带载 6.6k 15V驱动信号单脉冲宽度,3uS左右总结由于轻负载,温度始终未超过50度。开关速度方面优于硅基产品,以后有对应设备
  • 关键字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

罗姆SiC评估板测评:射频热凝控制仪测试

  • 测试设备①直流电源由于手上没有高电压的直流电源,只能使用一般的电源,且手上只有一个低压直流稳压源,所以这稳压电源既用于给开发板电源供电,又用于半桥母线电源。②电子负载半桥电源电源的输出负载,可恒流或者恒压或者恒负载,测试电源的带载能力非常好用。③信号发生器产生不同频率的可调制的方波信号,用于MOS管的驱动④示波器观察驱动信号、输出信号、MOS管的波形⑤万用表测量各测试点的电压⑥温度巡检仪测量带载后MOS管的温度测试拓扑将说明书中电路按照上述描述修改:两个直流电源换成CBB电容,在Hvdc母线上加上12V电
  • 关键字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

罗姆SiC评估板测评:基于碲化镉弱光发电玻璃的高效功率变换技术研究

  • 感谢ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001评估板,有幸参与评估板的测试。拿到评估板的第一感觉就是扎实,评估板四层PCB的板子厚度达到了30mm;高压区域也有明显的标识。
  • 关键字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

SiC MOSFET的桥式结构解析

  • 本文将对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍。
  • 关键字: SiC  碳化硅  MOSFET  

碳化硅MOSFET晶体管的特征

  • 功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化,一直在进行各种改良。
  • 关键字: SiC  碳化硅  MOSFET  

SiC-SBD与Si-PND的正向电压比较

  • 本文对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。
  • 关键字: SiC  碳化硅  SBD  

SiC-SBD与Si-PND的反向恢复特性比较

  • 反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数,所以不仅要比较trr的数值,还要理解其波形和温度特性,这样有助于有效使用二极管。
  • 关键字: SiC  碳化硅  SBD  

SiC肖特基势垒二极管的特征,及与Si二极管的比较

  • 继SiC功率元器件的概述之后,将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。
  • 关键字: 碳化硅  SiC  SBD  肖基特二极管  

SiC功率元器件的开发背景和优点

  • SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。
  • 关键字: SiC  碳化硅  

什么是碳化硅?SiC的特性和特征

  • 碳化硅(SiC)是比较新的半导体材料。本文来了解一下它的物理特性和特征。
  • 关键字: SiC  碳化硅  

ST先进SiC牵引电机逆变器解决方案

  • 意法半导体(ST)作为全球领先的汽车半导体供应商之一,多年前就开始布局新能源汽车领域,在2019年正式成立新能源车技术创新中心,推出了SiC牵引电机逆变器的整体解决方案。该方案按照功能安全IS026262标准流程开发,满足ASIL D等级。基于AutoSAR的软件架构和模型化的软件算法,为客户前期方案评估和后续开发提供了便利,大大缩短了整个研发周期。
  • 关键字: SiC  碳化硅  牵引逆变器  

ST第三代碳化硅技术问世 瞄准汽车与工业市场应用

  • 电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要。意法半导体汽车和离散组件产品部(ADG)执行副总裁暨功率晶体管事业部总经理Edoardo MERLI说明,从图二可以看到由于全球能源需求正在不断成长,我们必须控制碳排放,并将气温上升控制在1.5度以下,减排对此非常重要,但要实现这些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST对此也有制定一些具体的目标。 图二图三显示的是一些关于如何利用电力科技实现各种节能目标的具体数据,图中是对全球电力消耗状况的统计。仅就工业领域来说,如果能将电力利用效率提升1%,
  • 关键字: ST  碳化硅  汽车  工业  SiC  
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碳化硅!介绍

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