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碳化硅! 文章 进入碳化硅!技术社区

碳化硅(SiC)功率器件或在电动汽车领域一决胜负

  • 电力电子器件的发展历史大致可以分为三个大阶段:硅晶闸管(可控硅)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和刚显露头角的碳化硅(SiC)系列大功率半导体器件。碳化硅属于第三代半导体材料,与普通的硅材料相比,碳化硅的优势非常突出,它不仅克服了普通硅材料的某些缺点,在功耗上也有非常好的表现,因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材料。正因为如此,已经有越来越多的半导体企业开始进入SiC市场。到2023年,SiC功率半导体市场预计将达到15亿美元。SiC器件的供应商包括Fuji、英飞凌、Littelfuse、三菱、安森
  • 关键字: 碳化硅、SiC、功率器件、电动汽车  

罗姆子公司SiCrystal和意法半导体宣布签署碳化硅晶圆长期供应协议

  • 近日,罗姆和横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;)宣布,意法半导体与罗姆集团旗下的SiCrystal公司签署一了份碳化硅(SiC)晶圆长期供应协议。SiCrystal为一家在欧洲SiC晶圆市场占有率领先的龙头企业。协议规定, SiCrystal将向意法半导体提供总价超过1.2亿美元的先进的150mm碳化硅晶片,满足时下市场对碳化硅功率器件日益增长的需求。意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示:“该SiC衬底长期供应协
  • 关键字: 碳化硅  晶圆  

环球晶圆:硅晶圆明年回温

  • 半导体硅晶圆大厂环球晶圆董事长徐秀兰日前表示,明年半导体景气仍受贸易摩擦、总体经济及汇率三大变数干扰,但从客户端库存改善、拉货动能加温,以及应用扩大等来看,硅晶圆产业已在本季落底,明年上半年整体景气动能升温速度优于预期,她预估环球晶圆明年首季与本季持平或略增,往后将会逐季成长。
  • 关键字: 环球晶圆  硅晶圆  碳化硅  

Maxim发布隔离式碳化硅栅极驱动器,提供业界最佳电源效率、有效延长系统运行时间

  • 近日,Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔离栅极驱动器,帮助高压/大功率系统设计者将电源效率提升4%,优于竞争产品;功耗和碳排放减少30%。驱动器IC优化用于工业通信系统的开关电源,典型应用包括太阳能电源逆变器、电机驱动、电动汽车、储能系统、不间断电源、数据农场及其他大功率/高效率电源等。目前,许多开关电源采用宽带隙碳化硅(SiC)晶体管来提高电源效率和晶体管可靠性。但是,高开关频率的瞬态特性会产生较大噪声,影响系统的正常工作或者需要额外的措施抑制干扰
  • 关键字: 碳化硅  栅极驱动器  

意法半导体完成对碳化硅晶圆厂商Norstel AB的并购

  • 近日, 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)于12月2日宣布,完成对瑞典碳化硅(SiC)晶圆制造商Norstel AB(“ Norstel”)的整体收购。在2019年2月宣布首次交易后,意法半导体行使期权,收购了剩余的45%股份。Norstel并购案总价为1.375亿美元,由现金支付。
  • 关键字: 意法半导体  碳化硅  Norstel AB  

科锐与ABB在汽车和工业领域展开SiC合作

  • 全球碳化硅(SiC)技术领先企业科锐与ABB电网事业部宣布达成合作,共同扩展SiC在快速增长大功率半导体市场的采用。协议内容包括在ABB种类齐全的产品组合中将采用科锐Wolfspeed SiC基半导体,这将助力科锐扩大客户基础,同时加快ABB进入正在快速扩大的电动汽车(EV)市场。
  • 关键字: 科锐  ABB  碳化硅  

北京经开区第三代半导体现新突破

  • 一辆新能源汽车、一组高能效服务器电源,核心功能的实现都离不开电力电子系统中半导体器件的支撑。碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的典型代表,具有低能耗、体积小、重量轻等特点,国际上都在竞相研发碳化硅半导体制备技术。近日,记者在区内企业世纪金光半导体有限公司(以下简称“世纪金光”)了解到,其研制成功了碳化硅6英寸单晶并实现小批量试产,研发的功率器件和模块也已大批量应用于新能源汽车、光伏、充电桩、高能效服务器电源、特种电源等领域,实现第三代半导体碳化硅关键领域全面布局。
  • 关键字: 第三代半导体  碳化硅  世纪金光  

国际首次碳化硅MEMS微推力器阵列在轨点火试验成功

  • 近日,随金牛座纳星运行了37天的碳化硅MEMS(微机电系统)微推力器阵列芯片接受地面点火指令成功点火,在轨验证了对金牛座纳星的姿态控制技术。 
  • 关键字: MEMS  碳化硅  微推力器阵列  

第三代半导体将催生万亿元市场

  •   日前,第三届中欧第三代半导体高峰论坛在深圳举行。与会专家学者认为,第三代半导体未来应用潜力巨大,具备变革性的突破力量,是半导体以及下游电力电子、通讯等行业新一轮变革的突破口。  2018年,美国、欧盟等持续加大第三代半导体领域研发支持力度,国际厂商积极、务实推进,商业化的碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)电力电子器件新品不断推出,性能日益提升,应用逐渐广泛。受益于整个半导体行业宏观政策利好、资本市场追捧、地方积极推进、企业广泛进入等积极因素,国内第三代半导体产业稳步发展。但是,在材料指标、器件性能等方
  • 关键字: 半导体  碳化硅  

中欧“大咖”齐聚深圳,共话第三代半导体发展

  • 最近,由深圳市科学技术协会、坪山区人民政府、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导,青铜剑科技、深圳第三代半导体研究院、南方科技大学深港微电子学院主办,深圳基本半导体、深圳中欧创新中心承办的第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”在深圳五洲宾馆成功举办。来自中国和欧洲的专家学者、企业高管、投资精英等近200名代表参会,围绕第三代半导体技术创新、产业发展、国际合作进行深入探讨与交流,加速第三代半导体材料国产化替代进程,助力国产半导体开辟一片新天地。深圳市科学技术协会党组书记林祥、深圳市坪山区科技创新局局长黄鸣出席论
  • 关键字: 碳化硅  二极管  MOSFET  

更高效的半导体材料——碳化硅

  • 在功率电子学中,半导体基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率会高得多。巴塞尔大学的物理学家,Paul Scherrer研究所和ABB在科学期刊“应用物理快报”中解释了阻止硅和碳结合使用的原因。能源消耗在全球范围内不断增长,风能和太阳能等可持续能源供应变得越来越重要。然而,电力通常远离消费者产生。因此,高效的配电和运输系统与将产生的直流电转换成交流电的变电站和电力转换器同样重要。节省大笔开支现代电力电子设备必须能够处理大电流和高电压。目前用于场效应晶体管的半导体材料制成的晶体管现在主要基于硅技术。然而,在硅上使
  • 关键字: 碳化硅  

安森美为20岁庆生,“高能效电子创新”显示旺盛活力

  • 1999年从摩托罗拉半导体部剥离时,安森美只是一家年营业额12亿美元的标准半导体供应商,2018年已达到年营收近60亿美元,转型成为领先的高能效创新的半导体方案供应商。过去的20年,是半导体技术飞跃发展的20年,也是并购重组频繁的20年,很多中小公司在并购浪潮中淹没了,而安森美却逐渐壮大,形成了自己的特色和稳定的市场。安森美的成功经验是什么?如今的特色和对未来的观察是什么?近日,安森美半导体战略、营销及方案工程高级副总裁David Somo和中国区销售副总裁谢鸿裕接受了电子产品世界等媒体的采访。1 靠创新
  • 关键字: 汽车  传感器  碳化硅  云电源  

华为出手第三代半导体材料 性能实现千倍提升

  • 华为出资7亿元全资控股,刚刚于今年4月23日成立的哈勃科技投资有限公司近日出手,投资了山东天岳先进材料科技有限公司,持股达10%。山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。
  • 关键字: 华为  半导体  碳化硅  

CISSOID发布最新工业和汽车级碳化硅功率模块高温栅极驱动器创新成果

  • 中国北京,2019年7月16日–各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布,公司将在7月17日 – 20日于北京举行的“第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议”上,发表题为“一种用于工业和汽车级碳化硅MOSFET功率模块的高温栅极驱动器”的论文,并介绍公司在该领域的最新研究开发成果。CISSOID首席技术官Pierre Delatte将于19日在该会议上发表该文章。当今,碳化硅(SiC)在汽车制造商的大力追捧下方兴未艾,碳化硅技术可以提供更高的能效和增加功率密度;在工业应用方面,越来越多的人则
  • 关键字: CISSOID  碳化硅  功率模块  高温栅极驱动器  

Cree将投资10亿美元,扩大SiC(碳化硅)产能

  • 此次产能扩大,将带来SiC(碳化硅)晶圆制造产能的30倍增长和SiC(碳化硅)材料生产的30倍增长,以满足2024年之前的预期市场增长 5年的投资,充分利用现有的建筑设施North Fab,并整新200mm设备,建造采用最先进技术的满足汽车认证的生产工厂 投资:4.5亿美元用于North Fab;4.5亿美元用于材料超级工厂(mega factory);1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入
  • 关键字: 碳化硅  碳化硅基氮化镓  工厂  
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碳化硅!介绍

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