- 碳化硅场效应晶体管(SiC FET)接近于理想的开关，具有低损耗、宽带隙技术和易于集成设计等优势。Qorvo的SiC FET技术如今以高效模块化产品的形式呈现;本文探讨了这种产品形态如何使SiC FET成为太阳能逆变器应用的理想之选。
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202407 太阳能 PV SiC FET 宽带隙 碳化硅 光伏
- 据日经中文网报道，日本中央硝子（Central Glass）开发出了用于功率半导体材料“碳化硅（SiC）”衬底的新制造技术。据介绍，中央硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）来制造SiC衬底的技术。与使用高温下升华的SiC使单晶生长（升华法）的传统技术相比，液相法在增大衬底尺寸以及提高品质方面更具优势。该技术可使衬底的制造成本降低10%以上，良率也会大幅度提升。由于利用液相法制备SiC衬底较为复杂，此前该技术一直未应用在实际生产中。中央硝子运用基于计算机的计算化学，通过推算溶液的动态等，成功量产出了6
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- 6月28日，据韩媒报道，意法半导体（ST）将从明年第三季度开始将其碳化硅（SiC）功率半导体生产工艺从6英寸升级为8英寸。该计划旨在提高产量和生产率，以具有竞争力的价格向市场供应SiC功率半导体。意法半导体功率分立与模拟产品部副总裁Francesco Muggeri近日接受记者采访时表示：“目前，生产SiC功率半导体的主流尺寸为6英寸，但我们计划从明年第三季度开始逐步转向8英寸。”随着晶圆尺寸的增加，每片可以生产更多的芯片，每颗芯片的生产成本降低。SiC晶圆正在从6英寸逐步转变到8英寸。意法半导体计划明年
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- ● 安森美 (onsemi) 将实施高达 20 亿美元的多年投资计划，巩固其面向欧洲和全球客户的先进功率半导体供应链● 垂直整合的碳化硅工厂将为当地带来先进的封装能力，使安森美能够更好地满足市场对清洁、高能效半导体方案日益增长的需求 ● 安森美与捷克共和国政府合作制定激励方案，以支持投资计划落实● 该投资将成为捷克共和国历史上最大的私营企业投资项目之一，属于对中欧先进半导
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- 作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中，应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可以实现更低的开关和导通损耗，同时具有更高的阻断电压和雪崩能力，显著提升系统效率及功率密度，从而降低系统综合成本。图 SiC/Si器件效率对比一、行业典型应用碳化硅MOSFET的主要应用领域包括：充电桩电源模块、光伏逆变器、光储一体机、新能源汽车空调、新能
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- 本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案，该分析方法是采用红外热像仪直接测量每颗裸片在连续工作时的温度，分析两个电驱逆变模块验证，该测温系统的验证方法是，根据栅源电压阈值选择每个模块内的裸片。我们将从实验数据中提取一个数学模型，根据Vth选择标准，预测当逆变器工作在电动汽车常用的电压和功率范围内时的热不平衡现象。此外，我们还能够延长测试时间，以便分析在电动汽车生命周期典型电流负荷下的芯片行为。
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- 作为天岳先进三大SiC材料生产基地之一，与其位于山东济南和济宁的两大基地相比，其上海基地项目似乎更受关注。近日，天岳先进上海基地项目披露了最新进展，再次成为焦点。2024年5月，天岳先进位于上海临港重装备产业区的生产基地第一个项目完成验收，意味着该生产基地由此进入新的发展阶段。01天岳先进“疯狂”扩产据悉，天岳先进上海基地项目最初于2021年第二季度备案和申报，规划投资25亿元，项目全部达产后，SiC衬底的产能约为30万片/年。从投资规模和产能规划来看，上海基地项目有望让天岳先进的市场地位再进一步。近年来
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- ● ST将在意大利卡塔尼亚新建8英寸碳化硅功率器件和模块大规模制造及封测综合基地● 这项多年长期投资计划预计投资总额达50亿欧元，包括意大利政府按照《欧盟芯片法案》框架提供的20亿欧元资金● 卡塔尼亚碳化硅产业园将实现ST的碳化硅制造全面垂直整合计划，在一个园区内完成从芯片研发到制造、从晶圆衬底到模块的碳化硅功率器件全部生产，赋能汽车和工业客户的电气化进程和高能效转型服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体
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- 自意法半导体（STMicroelectronics）官方获悉，当地时间5月31日，意法半导体宣布，将在意大利卡塔尼亚新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工厂，用于功率器件和模块以及测试和封装。新碳化硅工厂的建设是支持汽车、工业和云基础设施应用中碳化硅器件客户向电气化过渡并寻求更高效率的关键里程碑。据悉，该项目预计总投资约为50亿欧元（约合人民币392.61亿元），意大利政府将提供约20亿欧元的补助支持。新工厂的目标是在2026年投入生产，到2033年达到满负荷生产，满产状态下每周可生产多达15,000
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- 根据合肥安赛思半导体有限公司（以下简称：安赛思）官方消息，5月18日，安赛思与新加坡三福半导体科技有限公司（以下简称：三福半导体）签署战略合作备忘录仪式暨安徽大学与三福半导体联合实验室揭牌仪式正式举行。据介绍，安赛思是一家致力于研发新一代半导体功率器件智能驱动技术及衍生产品的高新技术企业，目前已成功开发了IGBT和SiC智能驱动模块以及工业电力电子变换器、电力电子继电器等产品，应用领域涵盖电动汽车、智能制造、机电设备和航空航天等。三福半导体聚焦集成电路设计、制造和封装测试，致力于先进技术研发、成果转移转化
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- 作为第三代半导体两大代表材料，SiC产业正在火热发展，频频传出各类利好消息；GaN产业热度也正在持续上涨中，围绕新品新技术、融资并购合作、项目建设等动作，不时有新动态披露。在关注度较高的扩产项目方面，上个月，能华半导体张家港制造中心（二期）项目在张家港经开区再制造基地正式开工建设。据悉，能华半导体张家港制造中心（二期）项目总投资6000万元，总建筑面积约10000平方米，将新建GaN外延片产线。项目投产后，将形成月产15000片6英寸GaN外延片的生产能力。而在近日，又有一个GaN外延片项目取得新进展。5
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- 智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi)，将于5月至6月举办面向新能源和电动汽车应用领域的技术经理、工程师和渠道合作伙伴的2024“碳”路先锋技术日暨碳化硅(SiC) 和功率解决方案5城巡回研讨会。该系列研讨会将针对汽车电气化和智能化以及工业市场可持续性能源发展的广泛应用场景，共同探讨最新的能效设计挑战，展示针对更多纵深应用的SiC解决方案。安森美希望借此携手中国的“碳”路先锋们，加速先进功率半导体技术的落地，实现应用系统的最佳能效。在中国，市场对SiC的需求强劲，应用场景日益多样化。新能源
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- 随着人工智能技术的飞速发展，越来越多的企业开始探索如何将人工智能技术融入业务流程中，以提升质量、降本增效。在高精尖制造业领域，人工智能、自动驾驶等新兴产业对碳化硅材料的需求日益增多，大力发展碳化硅产业，可带动原材料与设备2000亿级产业，加快我国向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。广东天域联手浪潮信息，为MES关键业务打造稳定、高效、智能的数据存储底座，让数字机台、智能制造"有底有数"。广东天域半导体股份有限公司成立于2009年，是我国最早实现第三代半导体碳化硅外延片产业化的企业
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- 电池组，无疑是电动汽车心脏般的存在，它不仅是车辆动力之源，更是决定车辆成本高低的关键因素。作为电动汽车中最昂贵的单个组件，电池组承载了车辆行驶所需的大部分能量，而其内部的每一个电池单元都需要经过精密的监测和控制，以维持其长久且安全的使用寿命。电池管理系统（BMS），作为电池组的“大脑”，其任务繁重且关键。它要实时监控每一个电池单元的健康状况，确保它们的平衡与稳定；还要负责操作电池组的加热和冷却系统，确保电池在各种环境条件下都能维持最佳的工作状态；此外，BMS还需实时报告电池的充电状态，以便驾驶员能够准确了
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- 安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名为M3S，其中S代表开关。M3S 系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化，如太阳能逆变器、ESS、UPS 和电动汽车充电桩等。帮助开发者提高开关频率和系统效率。本应用笔记将描述M3S的一些关键特性，与第一代相比的显著性能提升，以及一些实用设计技巧。本文为第一部分，将重点介绍M3S的一些关键特性以及与
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