- 工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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MOSFET 车用 保护 性能
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件，适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。
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IR MOSFET
- 功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗超过75W的离线设备的谐波标准
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电源应用 碳化硅 肖特基二极管
- 基板成本也较低采用β-Ga2O3制作基板时，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
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氧化镓 SiC 功率元件 MOSFET LED
- 与SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源...
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SiC 功率元件 GaN 导通电阻
- 在电源设计小贴士 #42 中，我们讨论了 MOSFET 栅极驱动电路中使用的发射器跟踪器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶体管便可以实现 2A 范围的驱动电流。在本设计小贴士中，我们来了解一下自驱动同整流器并探讨何时需要分
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MOSFET 驱动器 卓越 解决方案 集成 替代 设计 分立 器件
- 在电源设计小贴士#42中，我们讨论了MOSFET栅极驱动电路中使用的发射器跟踪器，并且了解到利用小型SOT-23晶体管...
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电源设计 分立器件 MOSFET
- 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飞凌的H-PSOF (带散热片的小外形扁平引脚塑料封装) 先进汽车MOSFET封装技术达成许可协议。H-PSOF是符合JEDEC标准的TO无铅(TO-LL) 封装 (MO-299)。
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飞兆 英飞凌 MOSFET
- 英飞凌科技(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出全新650V CoolMOS CFDA，壮大其车用功率半导体产品阵容。这是业界首个配备集成式快速体二极管的超结MOSFET解决方案，可满足最高汽车质量认证标准AEC-Q101。650V CoolMOS CFDA尤其适用于混合动力汽车和纯电动汽车的电池充电、直流/直流转换器和HID(高强度放电)照明等谐振拓扑。
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英飞凌 MOSFET
- DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。仅仅考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让MOSFET维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种
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MOSFET 选择 控制器 开关 系统 电源
- 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)与飞兆半导体公司(NYSE: FCS)近日宣布签署英飞凌先进汽车级MOSFET封装工艺H-PSOF(带散热盘的塑料小外形扁平引脚封装)——符合JEDEC标准的TO-Leadless封装(MO-299)——的许可协议。
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英飞凌 飞兆 MOSFET
- 电路热插拔控制的目的是为了在一块正在工作的电路板上添加或“插入”一块未通电的电路板，不会中断原电路板正在进行的工作状态，并且同时启动添加到系统中的那块电路板的有序上电。主要目的是为了当电流转入一块插入到“正在工作”或带电的背板或其他电路的电路板时，保护MOSFET器件。
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热插拔 MOSFET
- 采用IMEC的SiC技术完成生物电信号采集,人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了，但如何将他们的体积
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IMEC SiC 生物电信号采集
- 在同步降压电源应用中,降低MOSFET导通电阻对同步整流器而言十分关键,因为多数情况下,快速恢复式整流电...
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MOSFET 门极驱动 电压优化
碳化硅(sic)mosfet介绍
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