- 随着个人计算机行业向着工作电流为200A的1V核心电压推进，为了满足那些需求，并为该市场提供量身定制新型器件所需要的方法，半导体行业正遭受着巨大的压力。过去，MOSFET设计工程师只要逐渐完善其性能就能满足市场的
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MOSFET 高精度 设计技巧
- 全新沟道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面贴装器件 (SMD) 封装，电压范围从 40V 至 200V。标准和逻辑电平栅级驱动 MOSFET 都为 IR 车用塑料封装 MOSFET 产品系列设定了导通电阻性能新标准。基准导通电阻在 40V 下最大为 1.25 毫欧，60V 下最大为2.1 毫欧，75V 下为 2.6 毫欧，100V 下为 4.0 毫欧。在 D2Pak-7P 封装中许多器件的最大额定电流达 240A。
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IR MOSFET
- 为了减轻对环境的影响，最新的电子设备急需高效率化，并且对其中配备的电机、LED等功率器件的控制也逐渐形成用微处理器/DSP等来控制的趋势（软件控制）。因此，电子设计工程师除了需要微处理器/DSP的知识之外，关于功率器件的驱动知识也是必不可少。
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新日本无线 MOSFET 驱动器NJW4800
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列，可为一系列应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制，以及内燃机 (ICE) 和混合动力汽车平台上的其它重载应用。
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IR MOSFET
- 英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步巩固英飞凌在新一代汽车电源管理应用领域的领导地位。
新推出的器件系列采用多种标准封装，电流范围为50A至180A，囊括30多个器件型号，其中包括通态电阻最低的车用P沟道40V MOSFET。180A是P沟道工艺的基准。
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英飞凌 汽车电源 MOSFET
- 2011 年 9 月 13 日— Intersil公司（纳斯达克全球交易代码：ISIL）今天推出业内首款双6A峰值电流驱动能力的双通道MOSFET驱动器---ISL89367。此款独特器件为设计人员提供了高速驱动多个并联大电流功率MOSFET的集成解决方案，非常适合用于开关电源、电机驱动器和D类放大器等应用。
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Intersil MOSFET
- 英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步巩固英飞凌在新一代汽车电源管理应用领域的领导地位。
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英飞凌 MOSFET 40V OptiMOS P2
- 编者语：在现代工厂的机械设备中，电气传动系统所耗费的电能占到了60%~70%，采用节能传动系统可以为机械设备降低...
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碳化硅 变频器 节能
- 随着家用电器、视听产品的普及，办公自动化的广泛应用和网络化的不断发展，越来越多的产品具有了待机功能，以随时...
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待机功耗 MOSFET
- 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也...
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MOSFET MOSFET驱动电路
- 首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道M...
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PMOS 开关管 MOSFET 二极管
- 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出用于汽车系统自安崭新的可调节输出非同步升压控制器。
NCV8871是一款输入电压范围为3.2伏(V)至44 V的宽输入电压器件，能用于驱动外部N沟道MOSFET。此器件包含的内部稳压器为门驱动器提供电荷，它在休眠模式下的静态电流为3.0微安(µA)，使功耗降至最低。它还具有可同步开关频率特性，提供两种分别可设定为典型值170 kHz或是典型值1 MHz的版本
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安森美半导体 MOSFET 非同步升压控制器 NCV8871
- 富士电机计划生产采用碳化硅作为原料的功率半导体，并在2012年前于该公司位于日本长野县的松元制作所增设一条产线，此为该公司首次在自家工厂设置碳化硅功率半导体的产线，未来预计在2012年春季开始量产。
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富士电机 SiC
- 恩智浦半导体NXP 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道Trench MOSFET产品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装占位面积仅有2 x 2 mm，高度仅为0.65 mm，专门针对诸如移动设备等高性能消费产品的小型化发展趋势而设计。
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NXP MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介绍
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