- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。
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Vishay MOSFET SiA436DJ
- 前言近年来，产业的发展、有限的资源及日益严重的地球暖化现象，促使环保节能的观念逐渐受到重视，更造...
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高效能 Power MOSFET
- 本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知...
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MOSFET 开关损耗 主导参数
- 日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)面向服务器、笔记本电脑以及平板电脑等所使用的低耐压DC/DC转换器，开发出了功率MOSFET。
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罗姆 MOSFET DC/DC
- 恩智浦半导体(纳斯达克代码：NXPI)日前推出业内首款2 mm x 2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN (分立式扁平无引脚)封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势，与传统无引脚封装相比，焊接连接质量更好。
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恩智浦 MOSFET
- 在“2012年欧洲电力电子、智能运动、电能品质国际研讨会与展览会”上，英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，该产品系列增强了英飞凌在SiC(碳化硅)产品市场的领先地位。这个革命性的新产品系列，立足于英飞凌在SiC技术开发以及高质量、大批量生产方面十多年的丰富经验。
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英飞凌 SiC JFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用坚固耐用TO-220 fullpak封装的车用功率MOSFET系列，适合包括无刷直流电机、水泵和冷却系统在内的各类汽车应用。
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IR MOSFET
- 工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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情况 解析 方案 相关 MOSFET 电阻 下降 功率 能使导
- 开关电源由于体积小、重量轻、效率高等优点，应用已越来越普及。MOSFET由于开关速度快、易并联、所需驱动功率低等优点已成为开关电源最常用的功率开关器件之一。而驱动电路的好坏直接影响开关电源工作的可靠性及性能
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介绍 分析 电路 驱动 MOSFET 开关电源
- 由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖，电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设备的能源效率，具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在。在半导体器件中，功率损耗的降低可以改善
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VCESAT 1200V 开关 碳化硅
- 目前，电源工程师面临的一个主要难题是，随着功能的日益增多，商用电子产品的尺寸不断缩小，留给电源电路的空间越来越少。解决这个难题的办法之一是充分利用在MOSFET技术和封装上的进步。通过在更小尺寸的封装内采用
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电源 设计 简化 封装 芯片 功率 MOSFET
- 日本京都大学工学研究系电子工学专业教授木本恒暢等人的研究小组，试制出了耐压高达21.7kV的SiC制PiN二极管。此前虽有耐压为十数kV的半导体功率元件，但超过20kV的尚为首次，“是半导体元件中的世界最高值”(木本)。
该二极管的设想用途为置换变电站使用的硅制GTO。比如，日本的电网电压为6.6kV，因此要求耐压达到20kV。据称目前是使用3～4个数kV的GTO来确保耐压的。如果使用耐压超过20kV的SiC制PiN二极管，一个即可满足要求。由此，转换器及冷却器等便可实现
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SIC 二极管 半导体
- 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (纳斯达克：NXPI)日前宣布推出全新汽车级功率MOSFET器件系列，该系列采用恩智浦的Trench 6技术，具有极低导通电阻(RDSon)、极高的开关性能以及出色的品质和可靠性。恩智浦新型汽车级MOSFET已取得AEC-Q101认证，成功通过了175˚C高温下超过1,600小时的延长寿命测试(性能远超Q101标准要求)，同时具有极低PPM 水平。
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恩智浦 MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介绍
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