双栅极SET 与MOSFET 的混合特性 由SET 的周期振荡特性和MOSFET 的阈值电压特性可构成双栅极SET/MOSFET ...
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双栅极 SET MOSFET
CMOS器件的等比例缩小发展趋势，导致了栅等效氧化层厚度、栅长度和栅面积都急剧减小。栅氧化层越薄，栅漏电流越 ...
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MOSFET 栅漏电流 噪声分析
高级半导体解决方案的领军厂商瑞萨电子株式会社(TSE：6723，以下简称“瑞萨”)，于日前发布了最新的用于个人计算机CPU、服务器和储存系统的供电稳压器 (VR) 芯片集诞生。它包括行业首个集成微控制器(MCU)数字接口的VR控制器R2A30521NP和带集成电流检测电路的智能脉宽调制(PWM)- Driver - MOSFET功率器件DrMOS)R2J20759NP。
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瑞萨 MCU MOSFET
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充公司宽广的接口及电源管理产品阵容，推出一对优化的超小超薄小信号MOSFET，用于空间受限的便携消费电子产品，如平板电脑、智能手机、GPS系统、数字媒体播放器及便携式游戏机。
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安森美 MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件，将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩展至7A～73A。
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Vishay MOSFET
全球高性能模拟混合信号半导体设计和制造领导厂商Intersil公司(纳斯达克全球交易代码：ISIL)日前宣布，推出面向电源和电机驱动应用的业内领先“HIP”系列MOSFET桥式驱动器新品---HIP212x系列。该100V、2A高频半桥驱动器产品家族提供最短的上升/下降时间，可调节死区时间控制和灵活的控制输出。
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Intersil MOSFET 驱动器
摘要： 对具有驱动变压器的功率MOSFET管驱动电路的动态过程进行了分析，推导了驱动变压器设计参数（绕组电流有效值，变压器功率）的计算方法，定量分析了变压器漏感和电路杂散电感对开通过程的影响，并通过仿真和试
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MOSFET 驱动 变压器设计
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用热增强型2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封装的单路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封装、高度0.8mm的单片30V器件---Si5429DU，扩充其TrenchFET® Gen III系列P沟道功率MOSFET。
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Vishay MOSFET
全球高性能模拟混合信号半导体设计和制造领导厂商Intersil公司(纳斯达克全球交易代码：ISIL)日前宣布，<0}推出以最小功率耗散提供电源冗余和保护的坚固、紧凑型ORing FET控制器。
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Intersil MOSFET ISL6146
在这篇《电源设计小贴士》中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组
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MOSFET 同步降压 电阻比
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克代码：NXPI)近日发布了LFPAK56D产品组合——多款双通道Power-SO8 MOSFET，专为燃油喷射、ABS和稳定性控制等汽车应用而设计。恩智浦LFPAK56D系列产品完全符合AEC-Q101标准，具有一流的性能和可靠性;同时，与通常需要使用两个器件的DPAK解决方案相比，节省了77%的占位面积。
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恩智浦 LFPAK56D MOSFET
LED 领域的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出其最新低基面位错(LBPD)100毫米4H碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1 cm-2，引起Vf偏移的基面位错容量小于0.1 cm-2。
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科锐 LED 碳化硅
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶体管，助力技术型企业满足日益严格的生态设计标准对功率和能效的要求，瞄准太阳能微逆变器、光伏模块串逆变器和电动汽车等绿色能源应用。
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意法 晶体管 MOSFET LED
科锐材料产品经理 Vijay Balakrishna博士表示：“科锐拥有在碳化硅领域100毫米外延片的强大量产能力。最新的150毫米技术将进一步提升碳化硅晶圆片的标准。科锐的垂直整合能力确保能够为客户提供针对高品质150毫米碳化硅外延片的完整解决方案，并为电力电子市场的领先企业提供稳定的供货保障。
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科锐 碳化硅 LED
LED领域的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出高品质、低微管的150毫米 4H N型碳化硅外延片。科锐通过推出更大直径的外延片，从而继续引领碳化硅材料市场的发展。此项最新技术能够降低设备成本，并能够利用现有150毫米设备工艺线。新型150毫米外延片拥有高度均一的厚度为100微米的外延层，并已开始订购。
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科锐 LED 碳化硅
碳化硅(sic)mosfet介绍
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