Intel近日确认，位于美国俄勒冈州的Fab 1DX二期工程已经破土动工，这也是全球第一座将会用来生产450毫米大尺寸晶圆的工厂(目前主流300毫米)。
Intel发言人Chuck Mulloy对媒体透露说：“D1X二期工程的建设已经开始。”
Intel今年初骄傲地展示了全球第一块450毫米晶圆，同时宣布将在今年内投资20亿美元兴建新工厂，不过当时给出的时间表只是模糊的今年晚些时候。看来虽然大环境情况一般，Intel前进的步伐却依然铿锵有力。
Chuck Mu
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Intel 晶圆
在苹果、微软、BlackBerry及新加入的Google等主流操作系统的支持下，Bluetooth(蓝牙)传输芯片快速导入穿戴式智能配件上，根据分析师预测，在各大操作系统商的支持推动下，Bluetooth Smart装置的出货量将能预见高达10倍以上的增长。
Bluetooth SIG营销长卓文泰表示，近期Bluetooth Smart装置发展日益蓬勃，从Nike、Adidas、Kwikset等国际品牌，到Tethercell、Hipkey、94Fifty及Pebble等以创新闻名的后起之秀，然
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蓝牙 IC
行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion公司(纽约证交所码：CODE)与中国发展最迅速的300mm半导体晶圆厂XMC(武汉新芯集成电路制造有限公司)日前共同宣布一项技术许可协议。根据该协议，XMC将获得Spansion 浮栅(Floating Gate)NOR闪存技术授权。
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Spansion XMC 嵌入式 晶圆
2013年时间已然过半，全球半导体市场发展态势初露端倪。据权威机构挪威奥斯陆的卡内基集团分析师Bruce Diesen的最新数据显示，2013年全球半导体增长1%，与2012年下降2%、2011年持平以及2010年大涨32%相比，反映又一个下降周期到来。但业界都认为2014年半导体产业可能会有较为明显的增长。
增长动能尚在积累
2013年半导体业向上增长的动能尚在积累之中，估计2014年才会有较为明显的增长。然而在未跨入EUV与450mm硅片时代之前，半导体产业可能很难再有近10%的增长。
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半导体 晶圆
2009年，TI建造了行业里第一个300mm的用于模拟芯片的晶圆厂，此举改变了半导体行业的局面。
到那时为止，模拟芯片的制造使用的是200mm以及更小尺寸的晶圆。在300mm晶圆厂里，TI可以获得比竞争对手更有利的die-size和成本优势。理论上，一块300mm晶圆提供的芯片数比200mm的晶圆多2.5倍，从而使TI降低整体的制造成本。
在过去的一年里，英飞凌和意法半导体已经开始加紧筹划各自的用于模拟芯片的300mm晶圆厂。并且寻求填补缺少晶圆厂和轻晶圆客户空隙的方法，GlobalFou
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半导体制造 晶圆
台积电28日在纽约州鱼溪市(Fishkill)进行第二天的美东征才活动。台积电着眼于此区域丰沛的半导体人才，期待志同道合的菁英加入。
台积电北美人力资源处资深处长曾春良说，「台积电是一家龙头企业，每个人都想来龙头企业上班。」这是台积电征才的最大优势。
台积电全球员工人数已超过3万7000人，2012年拥有足以生产相当于1509万片八寸晶圆的产能。其中，包括三座先进的12寸晶圆厂、四座8寸晶圆厂、一座6寸晶圆厂，是全球规模最大的专业积体电路制造服务公司。
曾春良指出，「在台积电上班，你
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台积电 晶圆
一线晶圆厂正纷纷以混搭20纳米制程的方式，加速14或16纳米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14纳米FinFET前段闸极结合20纳米后段金属导线制程的方式达 成试量产目标;而台积电为提早至2015年跨入16纳米FinFET世代，初版方案亦可望采用类似的混搭技术，足见此设计方式已成为晶圆厂进入 FinFET世代的共通策略。
联华电子市场行销处处长黄克勤提到，各家厂商在16/
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晶圆 FinFET
当我在1987年创立台积电的时候，没有人会预料到我们未来会有怎么样的发展。”张忠谋回忆说。在当时，半导体公司只设计和制造芯片。台积电是第一个纯粹的“晶圆代工厂”——刚开始的定位就是一家没有芯片设计师的晶圆厂。其他厂商的顾虑成就了台积电的发展。在张忠谋以82岁高龄担任董事长并第二次出任公司CEO的时候说到，这样的发展方式使的台积电在开始的八年内没有任何竞争。
现在，我们的理念逐渐成为一种趋势。去年，全球一半的逻辑芯片是由台积电生产的(相对
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台积电 晶圆
研究机构ICInsights表示，到了2017年，中国境内IC产能将有70%来自国际半导体业者，较2012年大幅提升58%，不过中国整体IC总产量却仅占全球6%市占率，这也显示虽然中国已成为全球最大个人电子消费市场，但并不代表IC生产量也会马上在境内大量生产，但已有愈来愈多国际半导体厂开始前进中国，在当地建立生产据点，因此预期2012~2017年，中国IC产量将会出现强劲成长走势，年复合成长率17.6%。
ICInsights表示，近年来SK海力士、台积电、英特尔、三星都在2012年积极展开在中
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半导体 IC
一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后段金属导线制程的方式达成试量产目标;而台积电为提早至2015年跨入16奈米FinFET世代，初版方案亦可望采用类似的混搭技术，足见此设计方式已成为晶圆厂进入FinFET世代的共通策略。
联华电子市场行销处处长黄克勤提到，各家厂商在16/14奈
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晶圆 FinFET
研究机构IC Insights表示，到了2017年，中国境内IC产能将有70%来自国际半导体业者，较2012年大幅提升58%，不过中国整体IC总产量却仅占全球6%市占率，这也显示虽然中国已成为全球最大个人电子消费市场，但并不代表IC生产量也会马上在境内大量生产，但已有愈来愈多国际半导体厂开始前进中国，在当地建立生产据点，因此预期2012~2017年，中国IC产量将会出现强劲成长走势，年复合成长率17.6%。
IC Insights表示，近年来SK海力士、台积电(2330)、英特尔、三星都在201
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台积电 IC
多家台湾媒体报道，台湾联电(UMC)正与厦门市政府合作，将投资3亿美元在当地新建一座晶圆厂。iSuppli公司半导体首席分析师顾文军撰文表示质疑，认为联电在厦门建厂缺乏合理性。文章全文如下：
据台湾的媒体(工商时报和经济日报等)报道，联电将在厦门新建8寸或者12寸厂。其实很久之前我也听说这个消息了，因为近年来联电在资本支出上远远落后于竞争对手,资金缺口很大，所以一直寻找在大陆合作，希望“不差钱”的大陆金主能够“慷慨解囊”“雪中送炭&rd
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半导体 晶圆
国际半导体设备暨材料协会(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)指出，半导体技术走向系统化，整合不同晶片堆叠而成的3D IC(立体堆叠晶片)将成为主流发展趋势，2.5D IC从设计工具、制造、封装测试等所有流程的解决方案大致已准备就绪，以期2014年能让2.5D IC正式进入量产。
SEMI台湾暨东南亚区总裁曹世纶表示，2.5D及3D IC制程解决方案已经逐渐成熟，产业界目前面临最大的挑战是量产能力如何提升，业界预估明后
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台湾半导体产业晶圆厂西进政策，在8寸晶圆厂时代是以「总量管制、技术领先」为两大原则，其中总量管制是至2005年以核准3座8寸晶圆厂为上限，当时是晶圆代工厂台积电，以及记忆体厂茂德和力晶申请。
技术领先的规定是指到大陆设立8寸晶圆厂的半导体厂必须已在台湾设有12寸晶圆厂，且12寸晶圆厂达量产规模后，才可提出申请，且不能是先进制程。当时台积电松江8寸厂和茂德渝德8寸厂成功西进大陆，力晶后来则因为DRAM产业景气走下坡，财报连年亏损而没有赴大陆。
2009年在总统大选过后，开始讨论松绑12寸晶圆
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晶圆代工厂联电为抢食中国半导体产业快速成长商机，计划与厦门和当地政府合资兴建8寸晶圆厂，锁定产能极缺的40到55纳米制程技术。
联电发言体系17日表示，日前董事会通过在3亿美元(约新台币90亿元)内拟投资、参股或购买亚洲8寸或12寸晶圆厂后，公司经营团队积极评估参股或设厂，大陆的确有很多高科技园区积极向联电招揽投资，但联电的一切程序，均会遵循政府法令进行，目前没有定案。
这将是联电继先前协助和舰到大陆设厂，2009年宣布100%合并和舰后，另一项赴大陆设立晶圆厂行动，也是2005年政府核准
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