- 东京—东芝公司(Toshiba Corporation)和Nippon Denno Co., Ltd.日前宣布开发一种自动中止与关闭系统，可在发生地震时，关闭半导体生产设备。该系统已从2013年2月起在东芝旗下子公司—东芝岩手电子公司(Iwate Toshiba Electronics)投入使用。东芝打算进一步完善该系统，并将之推向市场。
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东芝 晶圆 半导体
- 晶圆龙头台积电13日董事会通过573.65亿元资本支出，连同上次核准金额，合计为2033.65亿元，约占台积电全年资本支出上限100亿美元的68%，显示台积电加速先进制程脚步。
台积电将今年资本支出上修至95至100亿美元(约新台币2990亿)，只少许落后英特尔的110亿美元，是台湾投资计画最大的电子大厂。
设备厂商透露，台积电加紧20纳米及16纳米先进制程量产及试产时程，添购所需设备，推估今年台积电全年资本支出，绝对会在上限100亿美元，而且明年也可能与今年相近。
设备商表示，台积
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台积电 晶圆
- 三维晶片(3DIC)商用量产设备与材料逐一到位。3DIC晶圆贴合与堆叠制程极为复杂且成本高昂，导致晶圆厂与封测业者迟迟难以导入量产。不过，近期半导体供应链业者已陆续发布新一代3DIC制程设备与材料解决方案，有助突破3DIC生产瓶颈，并减低晶圆薄化、贴合和堆叠的损坏率，让成本尽快达到市场甜蜜点。
工研院材化所高宽频先进构装材料研究室研究员郑志龙强调，3DIC材料占整体制程成本三成以上，足见其对终端晶片价格的影响性。
工研院材化所高宽频先进构装材料研究室研究员郑志龙表示，高昂成本向来是3DIC
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晶圆 3D
- 三维晶片(3D IC)商用量产设备与材料逐一到位。3D IC晶圆贴合与堆叠制程极为复杂且成本高昂，导致晶圆厂与封测业者迟迟难以导入量产。不过，近期半导体供应链业者已陆续发布新一代3D IC制程设备与材料解决方案，有助突破3D IC生产瓶颈，并减低晶圆薄化、贴合和堆叠的损坏率，让成本尽快达到市场甜蜜点。
工研院材化所高宽频先进构装材料研究室研究员郑志龙强调，3D IC材料占整体制程成本三成以上，足见其对终端晶片价格的影响性。
工研院材化所高宽频先进构装材料研究室研究员郑志龙表示，高昂成本向来
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晶圆 堆叠
- 高通在移动设备领域的处理器工艺普遍已经进入到28nm阶段，而且此前均由台积电代工生产;受制于台积电产能的影响以及价格因素，有消息称高通将会在9月份起将五分之一的28nm晶圆订单转交给28nm工艺同样已经成熟的GlobalFoundries。
GlobalFoundries收获高通28nm晶圆订单
此前GF长期因为工艺进展缓慢而备受批评，而如今GF的28nm生产线看上去已经完全成熟，因此势头良好的高通投来大笔订单。业内人士认为，GF之所以能够吸引高通的青睐，主要原因应该是价格更具优势，比如说
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- Intel近日确认，位于美国俄勒冈州的Fab 1DX二期工程已经破土动工，这也是全球第一座将会用来生产450毫米大尺寸晶圆的工厂(目前主流300毫米)。
Intel发言人Chuck Mulloy对媒体透露说：“D1X二期工程的建设已经开始。”
Intel今年初骄傲地展示了全球第一块450毫米晶圆，同时宣布将在今年内投资20亿美元兴建新工厂，不过当时给出的时间表只是模糊的今年晚些时候。看来虽然大环境情况一般，Intel前进的步伐却依然铿锵有力。
Chuck Mu
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Intel 晶圆
- 行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion公司(纽约证交所码：CODE)与中国发展最迅速的300mm半导体晶圆厂XMC(武汉新芯集成电路制造有限公司)日前共同宣布一项技术许可协议。根据该协议，XMC将获得Spansion 浮栅(Floating Gate)NOR闪存技术授权。
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- 2013年时间已然过半，全球半导体市场发展态势初露端倪。据权威机构挪威奥斯陆的卡内基集团分析师Bruce Diesen的最新数据显示，2013年全球半导体增长1%，与2012年下降2%、2011年持平以及2010年大涨32%相比，反映又一个下降周期到来。但业界都认为2014年半导体产业可能会有较为明显的增长。
增长动能尚在积累
2013年半导体业向上增长的动能尚在积累之中，估计2014年才会有较为明显的增长。然而在未跨入EUV与450mm硅片时代之前，半导体产业可能很难再有近10%的增长。
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- 2009年，TI建造了行业里第一个300mm的用于模拟芯片的晶圆厂，此举改变了半导体行业的局面。
到那时为止，模拟芯片的制造使用的是200mm以及更小尺寸的晶圆。在300mm晶圆厂里，TI可以获得比竞争对手更有利的die-size和成本优势。理论上，一块300mm晶圆提供的芯片数比200mm的晶圆多2.5倍，从而使TI降低整体的制造成本。
在过去的一年里，英飞凌和意法半导体已经开始加紧筹划各自的用于模拟芯片的300mm晶圆厂。并且寻求填补缺少晶圆厂和轻晶圆客户空隙的方法，GlobalFou
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- 台积电28日在纽约州鱼溪市(Fishkill)进行第二天的美东征才活动。台积电着眼于此区域丰沛的半导体人才，期待志同道合的菁英加入。
台积电北美人力资源处资深处长曾春良说，「台积电是一家龙头企业，每个人都想来龙头企业上班。」这是台积电征才的最大优势。
台积电全球员工人数已超过3万7000人，2012年拥有足以生产相当于1509万片八寸晶圆的产能。其中，包括三座先进的12寸晶圆厂、四座8寸晶圆厂、一座6寸晶圆厂，是全球规模最大的专业积体电路制造服务公司。
曾春良指出，「在台积电上班，你
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- 一线晶圆厂正纷纷以混搭20纳米制程的方式，加速14或16纳米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14纳米FinFET前段闸极结合20纳米后段金属导线制程的方式达 成试量产目标;而台积电为提早至2015年跨入16纳米FinFET世代，初版方案亦可望采用类似的混搭技术，足见此设计方式已成为晶圆厂进入 FinFET世代的共通策略。
联华电子市场行销处处长黄克勤提到，各家厂商在16/
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- 当我在1987年创立台积电的时候，没有人会预料到我们未来会有怎么样的发展。”张忠谋回忆说。在当时，半导体公司只设计和制造芯片。台积电是第一个纯粹的“晶圆代工厂”——刚开始的定位就是一家没有芯片设计师的晶圆厂。其他厂商的顾虑成就了台积电的发展。在张忠谋以82岁高龄担任董事长并第二次出任公司CEO的时候说到，这样的发展方式使的台积电在开始的八年内没有任何竞争。
现在，我们的理念逐渐成为一种趋势。去年，全球一半的逻辑芯片是由台积电生产的(相对
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- 一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后段金属导线制程的方式达成试量产目标;而台积电为提早至2015年跨入16奈米FinFET世代，初版方案亦可望采用类似的混搭技术，足见此设计方式已成为晶圆厂进入FinFET世代的共通策略。
联华电子市场行销处处长黄克勤提到，各家厂商在16/14奈
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- 多家台湾媒体报道，台湾联电(UMC)正与厦门市政府合作，将投资3亿美元在当地新建一座晶圆厂。iSuppli公司半导体首席分析师顾文军撰文表示质疑，认为联电在厦门建厂缺乏合理性。文章全文如下：
据台湾的媒体(工商时报和经济日报等)报道，联电将在厦门新建8寸或者12寸厂。其实很久之前我也听说这个消息了，因为近年来联电在资本支出上远远落后于竞争对手,资金缺口很大，所以一直寻找在大陆合作，希望“不差钱”的大陆金主能够“慷慨解囊”“雪中送炭&rd
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- 台湾半导体产业晶圆厂西进政策，在8寸晶圆厂时代是以「总量管制、技术领先」为两大原则，其中总量管制是至2005年以核准3座8寸晶圆厂为上限，当时是晶圆代工厂台积电，以及记忆体厂茂德和力晶申请。
技术领先的规定是指到大陆设立8寸晶圆厂的半导体厂必须已在台湾设有12寸晶圆厂，且12寸晶圆厂达量产规模后，才可提出申请，且不能是先进制程。当时台积电松江8寸厂和茂德渝德8寸厂成功西进大陆，力晶后来则因为DRAM产业景气走下坡，财报连年亏损而没有赴大陆。
2009年在总统大选过后，开始讨论松绑12寸晶圆
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晶圆 介绍
晶圆 晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%。晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅 [
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