小米连续在汽车、手机端发力。日前，小米集团董事长兼CEO雷军晒出小米SU7 Ultra原型车视频和照片，同日小米集团合伙人、总裁卢伟冰也开启了一场关于小米15 Ultra的新品曝光直播。据了解，小米将在下一周会召开新品发布会，发布包括小米15Ultra和小米SU7 Ultra在内的“双旗舰”，以及AIoT相关的一系列产品。卢伟冰称，小米15 Ultra将会是小米手机突破6000+元档位的关键产品。手机业务之外，卢伟冰也给大家电立下了高端化的目标，只对标全球市场上的标杆品牌。雷军通过微博宣布，小米汽车App
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小米 高端化 手机 汽车
为什么在高速PCB设计中，信号线不能多次换孔？大家在进行PCB设计时肯定都接触过过孔，所以大家都知道过孔对PCB信号质量的影响很大，先给大家介绍一下我们在PCB设计时过孔应该如何选取。通常有三种类型的过孔可供选择：（单位是mil）8/16±2mil 10/20±2mil 12/24±2mil通常，当板子比较密的情况下，我们会使用8/16±2mil(8/14,8/16,8/18)大小的过孔，当板材相对空旷时，可选择12/24±2mil(12/22,12/24,12/26都可以)大小的过孔，10/20之间可以
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PCB 电路设计
2月13日消息，2025世界政府峰会上，阿里巴巴联合创始人、董事局主席蔡崇信确认了阿里巴巴与苹果合作的传闻。他表示，苹果在中国市场需要一个本地合作伙伴来支持其手机服务，而苹果一直以来对合作伙伴非常挑剔。经过与多家中国公司接触后，苹果最终选择了与阿里巴巴合作。蔡崇信表示，我们非常幸运，也非常荣幸能够与苹果这样的伟大公司做生意。
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国内的大语言模型DeepSeek近日迅速出圈，凭借其在自然语言处理、代码生成和多轮对话等任务中的出色表现，吸引了众多开发者和研究者的关注，甚至登上了不少地区的app榜单。不过在使用时经常会遇到服务器繁忙的困扰，解决办法也很简单，就是将其部署到本地，无需依赖云端服务即可享受AI带来的便利。要在本地部署DeepSeek，需要借助运行大语言模型的工具，这里我们建议使用LM Studio，这是一款专为本地运行大语言模型设计的客户端工具。它支持多种开源模型，并提供了简单易用的界面，使得用户无需编写复杂的代码即可加载
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对于硬件工程师而言，PCB 设计水平直接影响电子产品的性能与稳定性。在之前的系列文章中，我们探讨了 PCB 设计的众多关键要点，本文将继续深入，聚焦一些容易被忽视却又至关重要的方面，助力硬件工程师进一步提升 PCB 设计技能。一、布局设计①高功率发热元件是否放置在靠近 PCB 边缘或通风口等易于散热的区域？可利用 CFD（计算流体动力学）模拟软件，分析不同放置位置的空气流动与散热效果，从而确定最佳位置。②发热元件之间是否保持足够的间距以避免热量聚集？可依据热仿真分析结果，设定合适的间距值，保证热量有效散发
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PCB 电路设计
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。散热功率半导体器件在开通和关断过程中和导通电流时会产生损耗，损失的能量会转化为热能，表现为半导体器件发热，器件的发热会造成器件各点温度的升高。半导体器件的温度升高，取决于产生热量多少（损耗）和散热效率（散热通路的热阻）。IGBT模块的风冷散热
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英飞凌 功率器件 热设计 热阻
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章将比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。第一讲 《功率器件热设计基础（一）----功率半导体的热阻》 ，已经把热阻和电阻联系起来了，那自然会想到热阻也可以通过串联和并联概念来做数值计算。热阻的串联首先，我们来看热阻的串联。当两个或多个导热层依次排列，热量依次通过
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英飞凌 功率器件 热设计 串联 并联
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会联系实际，比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。功率半导体模块壳温和散热器温度功率模块的散热通路由芯片、DCB、铜基板、散热器和焊接层、导热脂层串联构成的。各层都有相应的热阻，这些热阻是串联的，总热阻等于各热阻之和，这是因为热量在传递过程中，需要依次克服每一个热阻，所以总热阻就是
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/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。芯片表面温度芯片温度是一个很复杂的问题，从芯片表面测量温度，可以发现单个芯片温度也是不均匀的。所以工程上设计一般可以取加权平均值或给出设计余量。这是一个MOSFET单管中的芯片，直观可以看出芯片表面温度是不一致的，光标1的位置与光标2位置温度
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英飞凌 功率器件 热设计 温度测试
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。热容热容 C th 像热阻 R th 一样是一个重要的物理量，它们具有相似的量纲结构。热容和电容，都是描述储存能力物理量，平板电容器电容和热容的对照关系如图所示。平板电容器电容和热容
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英飞凌 功率器件 热设计 功率半导体热容
前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。有了热阻热容的概念，自然就会想到在导热材料串并联时，就可以用阻容网络来描述。一个带铜基板的模块有7层材料构成，各层都有一定的热阻和热容，哪怕是散热器，其本身也有热阻和热容。整个散热通路还包括导热脂、散热器和环境。不同时间尺度下
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英飞凌 功率器件 热设计 热等效模型
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。任何导热材料都有热阻，而且热阻与材料面积成反比，与厚度成正比。按道理说，铜基板也会有额外的热阻，那为什么实际情况是有铜基板的模块散热更好呢？这是因为热的横向扩散带来的好处。热横向扩散除了热阻热容，另一个影响半导体散热的重要物理效应为热的横向传
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英飞凌 功率器件 热设计 热扩散
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。为什么引入结构函数？在功率器件的热设计基础系列文章 《功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法》 和 《功率半导体芯片温度和测试方法》 分别讲了功率半导体结温、芯片温度、壳温和散热器温度的测试方法，用的
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英飞凌 功率器件 热设计 结构函数
前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。驱动IC电流越来越大，如采用DSO-8 300mil宽体封装的EiceDRIVER™ 1ED3241MC12H和1ED3251MC12H 2L-SRC紧凑型单通道隔离式栅极驱动器，驱动电流高达+/-18A，且具有两级电压变化率控制和有
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英飞凌 功率器件 热设计 热系数
在电子产品领域，PCB（Printed Circuit Board，印刷电路板）是极为关键的部件，无论是高速电路、高频电路还是毫米波相关产品，都离不开它。而 PCB 板的加工是一项复杂的系统工程，涵盖 PCB 材料、药水、加工工艺以及线路几何参数等多个方面，其中诸多因素都会对传输线的阻抗造成影响。一、影响传输线阻抗的因素（一）线路几何参数1、线宽线宽与阻抗成反比关系，即线宽越宽，阻抗越小；线宽越窄，阻抗越大。在生产过程中，若工艺不稳定致使线宽发生变化，那么阻抗也会随之改变。据与众多厂商合作的经验，传输线线
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手机.卡类终端.pcb.热设计介绍
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