/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。散热功率半导体器件在开通和关断过程中和导通电流时会产生损耗，损失的能量会转化为热能，表现为半导体器件发热，器件的发热会造成器件各点温度的升高。半导体器件的温度升高，取决于产生热量多少（损耗）和散热效率（散热通路的热阻）。IGBT模块的风冷散热
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英飞凌 功率器件 热设计 热阻
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章将比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。第一讲 《功率器件热设计基础（一）----功率半导体的热阻》 ，已经把热阻和电阻联系起来了，那自然会想到热阻也可以通过串联和并联概念来做数值计算。热阻的串联首先，我们来看热阻的串联。当两个或多个导热层依次排列，热量依次通过
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英飞凌 功率器件 热设计 串联 并联
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会联系实际，比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。功率半导体模块壳温和散热器温度功率模块的散热通路由芯片、DCB、铜基板、散热器和焊接层、导热脂层串联构成的。各层都有相应的热阻，这些热阻是串联的，总热阻等于各热阻之和，这是因为热量在传递过程中，需要依次克服每一个热阻，所以总热阻就是
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英飞凌 功率器件 热设计 散热器
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。芯片表面温度芯片温度是一个很复杂的问题，从芯片表面测量温度，可以发现单个芯片温度也是不均匀的。所以工程上设计一般可以取加权平均值或给出设计余量。这是一个MOSFET单管中的芯片，直观可以看出芯片表面温度是不一致的，光标1的位置与光标2位置温度
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英飞凌 功率器件 热设计 温度测试
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。热容热容 C th 像热阻 R th 一样是一个重要的物理量，它们具有相似的量纲结构。热容和电容，都是描述储存能力物理量，平板电容器电容和热容的对照关系如图所示。平板电容器电容和热容
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英飞凌 功率器件 热设计 功率半导体热容
前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。有了热阻热容的概念，自然就会想到在导热材料串并联时，就可以用阻容网络来描述。一个带铜基板的模块有7层材料构成，各层都有一定的热阻和热容，哪怕是散热器，其本身也有热阻和热容。整个散热通路还包括导热脂、散热器和环境。不同时间尺度下
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英飞凌 功率器件 热设计 热等效模型
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。任何导热材料都有热阻，而且热阻与材料面积成反比，与厚度成正比。按道理说，铜基板也会有额外的热阻，那为什么实际情况是有铜基板的模块散热更好呢？这是因为热的横向扩散带来的好处。热横向扩散除了热阻热容，另一个影响半导体散热的重要物理效应为热的横向传
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英飞凌 功率器件 热设计 热扩散
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。为什么引入结构函数？在功率器件的热设计基础系列文章 《功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法》 和 《功率半导体芯片温度和测试方法》 分别讲了功率半导体结温、芯片温度、壳温和散热器温度的测试方法，用的
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英飞凌 功率器件 热设计 结构函数
前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。驱动IC电流越来越大，如采用DSO-8 300mil宽体封装的EiceDRIVER™ 1ED3241MC12H和1ED3251MC12H 2L-SRC紧凑型单通道隔离式栅极驱动器，驱动电流高达+/-18A，且具有两级电压变化率控制和有
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英飞凌 功率器件 热设计 热系数
在电子产品领域，PCB（Printed Circuit Board，印刷电路板）是极为关键的部件，无论是高速电路、高频电路还是毫米波相关产品，都离不开它。而 PCB 板的加工是一项复杂的系统工程，涵盖 PCB 材料、药水、加工工艺以及线路几何参数等多个方面，其中诸多因素都会对传输线的阻抗造成影响。一、影响传输线阻抗的因素（一）线路几何参数1、线宽线宽与阻抗成反比关系，即线宽越宽，阻抗越小；线宽越窄，阻抗越大。在生产过程中，若工艺不稳定致使线宽发生变化，那么阻抗也会随之改变。据与众多厂商合作的经验，传输线线
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PCB 电路设计 阻抗
在集成电路应用设计中，项目原理图设计完成之后，就需要进行PCB布板的设计。PCB设计是一个至关重要的环节。设计结果的优劣直接影响整个设计功能。因此，合理高效的PCB Layout是芯片电路设计调试成功中至关重要的一步。本次我们就来简单讲一讲PCB Layout的设计要点。PCB Layout设计要点元器件封装选择电阻选择: 所选电阻耐压、最大功耗及温度不能超出使用范围。电容选择: 选择时也需要考虑所选电容的耐压与最大有效电流。电感选择: 所选电感有效值电流、峰值电流必须大于实
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PCB 电路设计
12 月 25 日消息，Chiphell 网友 skanlife 今早分享了一张疑似对应英伟达 GeForce RTX 5090 显卡的 PCB 正面（无焊接元件）照片，目前无法确认该 PCB 对应“公版”FE 还是 AIC 型号。▲ 图源 skanlife从上下两张 PCB 均可发现，显卡 GPU 核心焊盘外围环布了 16 个显存焊盘，对应传闻中 RTX 5090 的 16 颗 16Gb GDDR7 显存（合计 32GB）。对于下方 PCB，从左侧起以顺时针方向来看，这 16 个显存焊盘为“5452”排
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英伟达 GPU 计算平台 RTX 5090 PCB
现在但凡打开SoC原厂的pcb Layout Guide，都会提及到高速信号的走线的拐角角度问题，都会说高速信号不要以直角走线，要以45度角走线，并且会说走圆弧会比45度拐角更好。事实是不是这样？PCB走线角度该怎样设置，是走45度好还是走圆弧好？90度直角走线到底行不行？大家开始纠结于pcb走线的拐角角度，也就是近十几二十年的事情。上世纪九十年代初，PC界的霸主Intel主导定制了PCI总线技术。（很感谢Intel发布了PCI接口，正是有了PCI总线接口的带宽提升，包括后来的AGP总线接口，才诞生了像
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PCB 电路设计
受苹果手机销售不如预期及国际情势不确定性影响，市场观望情绪浓厚，PCB产业第四季成长动能有限，不过台湾电路板协会（TPCA）认为，今年PCB台商海内外总产值将突破新台币8千亿关卡，以年增5％的表现，来到8,083亿，主要是主流终端产品温和复苏，以及AI基础设施如服务器、网通设备规格提升、低轨卫星市场的推动。台商PCB第三季全球产值展现稳健成长，岛内外总产值达到2,271亿，季增19％，年增9.6％，但是第四季市场较为观望，终端及下游备货也相对保守。TPCA预计，第四季全球产值为2,090亿，较去年同期小幅
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手机.卡类终端.pcb.热设计介绍
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