8月13日，新洁能发布公告称，拟将此前募投项目中的“第三代半导体 SiC/GaN
功率器件及封测的研发及产业化”项目达到预定可使用状态日期延期至2025年8月。此次延期是受宏观环境等不可控因素的影响，项目的工程建设、设备采购及人员安排等相关工作进度均受到一定程度的影响，无法在计划时间内完成。据悉，此次延期项目属新洁能二厂区扩建项目，项目总投资约2.23亿元，2022年开建，原计划2024年建设完成。项目建成后，将实现年产 SiC/GaN 功率器件2640万只。新洁能称，本次募投项目延期仅涉及项目进度的
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新洁能 SiC GaN 功率器件 封测
IT之家 8 月 14 日消息，TrendForce 最新报告显示，随着英飞凌、德州仪器等对 GaN（氮化镓）技术倾注更多资源，功率 GaN 产业的发展将再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市场规模约 2.71 亿美元（IT之家备注：当前约 19.39 亿元人民币），到 2030 年有望上升至 43.76 亿美元（当前约 313.14 亿元人民币），CAGR（复合年均增长率）达 49%。据介绍，消费电子是功率 GaN 产业的主战场，并由快速充电器迅速延伸至家电、智能手
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功率器件 GaN
IT之家 8 月 8 日消息，英飞凌今日宣布，其位于马来西亚的居林第三厂区（Kulim 3）一期正式启用。该阶段聚焦碳化硅（SiC）功率半导体的生产，也将关注氮化镓（GaN）外围晶圆。▲ 英飞凌居林第三厂区英飞凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建设计划，投资额达 20 亿美元（IT之家备注：当前约 143.43 亿元人民币），可创造 900 个高价值工作岗位。英飞凌此后又在 2023 年 8 月宣布了价值 50 亿美元（当前约 358.57 亿元人民币）的 Kulim 3 二期计划
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英飞凌 碳化硅 功率器件
由于功率模块的设计和几何形状可以实现 EMI 建模，从而使设计人员能够在设计流程的早期预测和了解其系统中的 EMI 反应。相邻或共用导电回路的电子器件容易受到电磁干扰 (EMI) 的影响，使其工作过程受到干扰。要确保各电气系统在同一环境中不干扰彼此的正常运行，就必须最大限度地减少辐射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半导体器件在工作期间需要进行快速开关，因此通常会产生传导型 EMI。在开关状态转换过程中，器件两端的电压和流经器件的电流会迅速改变状态。开、关状态间
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汽车和清洁能源领域的制造商需要更高效的功率器件，能够适应更高的电压，拥有更快的开关速度，并且比传统硅基功率器件提供更低的损耗，而沟槽结构的 SiC 功率器件可以实现这一点。但是，虽然基于沟槽的架构可以降低导通电阻并提高载流子迁移率，但它们也带来了更高的复杂性。对于 SiC 功率器件制造商来说，准确测量外延层生长和这些沟槽中注入层深度的能力是相当重要的，特别是在面临不断增加的制造复杂性时。今天我们分享一下来自Onto Innovation 应用开发总监Nick Keller的文章，来重点介绍下SiC 功率器
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SiC 功率器件 沟槽结构测量
电动汽车 (EV) 市场的快速增长推动了对下一代功率半导体的需求，尤其是对碳化硅 (SiC) 半导体的需求尤为强劲。事实上，至少在本世纪下半叶之前，SiC功率器件可能会供不应求。而随着 SiC 衬底应用于 SiC 功率器件，衬底质量和制造技术方面取得了哪些进步，以提高器件性能、减少缺陷并增强可靠性？为了优化未来 SiC 功率器件的衬底特性，还需要哪些改进和发展？SiC的可靠性挑战SiC 是硅和碳的化合物，与硅相比有许多优点。SiC 芯片可以在更高温度下运行，并能有效处理更高电压，从而增强电动汽车的功率密度
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TrendForce集邦咨询最新《2024全球SiC Power
Device市场分析报告》显示，尽管纯电动汽车（BEV）销量增速的明显放缓已经开始影响到SiC供应链，但作为未来电力电子技术的重要发展方向，SiC在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势，预估2028年全球SiC
Power Device市场规模有望达到91.7亿美金。Tesla和比亚迪是两个备受瞩目的BEV品牌，近期均报告了令人失望的销售数据，其中Tesla在1
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电动汽车、可再生能源和云计算等应用正在推动提高效率和功率密度的需求。
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功率器件
经过了 2023 年的低迷，全球半导体业将希望寄托在 2024 年。从 2023 年第四季度开始，无论是智能手机，还是 PC 市场，都出现了回暖信号，供应链上相关厂商的订单开始多起来，而且，各大市场调研机构也都预测 2024 年将是新一个半导体周期的开始，整个电子半导体产业将进入上行周期。对于正处在各种挑战与困难之中的中国电子半导体产业来说，2024 年有望迎来更上一层楼的契机。一轮一轮的贸易限制政策，芯片企业投资（特别是 IC 设计企业）虚热冷却，本土新建晶圆厂陆续完成并开始量产，进口和本土芯片博弈后的
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工业电源的作用是将交流电转换为直流电，在工业领域为设备提供稳定的电力供应，在工业自动化、通讯、医疗、数据中心、新能源储能等领域广泛使用。与普通的电源相比，工业电源应用环境苛刻复杂，对电源的稳定性要求更高，需满足一些特殊要求，如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，同时，它对EMI和稳定性的要求也比其它应用更为严格。按在电能转换过程中的位置做分类，电源可分为一次电源和二次电源。模块电源属于二次电源，是采用优化的电路和结构设计，利用先进的工艺和封装技术制造， 形成的一个结构紧凑、体积小、高可靠的电子稳压电源
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过去，仿真的基础是行为和具有基本结构的模型。这些模型使用的公式我们在学校都学过，它们主要适用于简单集成电路技术中使用的器件。但是，当涉及到功率器件时，这些简单的模型通常无法预测与为优化器件所做的改变相关的现象。当今大多数功率器件不是横向结构，而是垂直结构，它们使用多个掺杂层来处理大电场。栅极从平面型变为沟槽型，引入了更复杂的结构，如超级结，并极大地改变了MOSFET的行为。基本Spice模型中提供的简单器件结构没有考虑所有这些非线性因素。现在，通过引入物理和可扩展建模技术，安森美(onsemi)使仿真精度
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据“徐州高新发布”公众号消息，12月18日，徐州高新区汉轩车规级功率器件制造项目开工建设。据悉，汉轩车规级功率器件制造项目总投资约15亿元，占地面积68.8亩，总建筑面积约8万平米，洁净室面积1.4万平米，满足6到8英寸晶圆生产需求，是一座专注于车规级功率器件的晶圆代工厂。项目规划VDMOS、SBD、FRD、SGT、IGBT、SIC MOS等多个工艺代工平台，规划月产能超过6万片，年销售收入约13.8亿元。项目建成后将进一步完善高新区半导体产业链布局，有力推动车规级功率器件国产化进程。
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功率器件 汽车电子 晶圆制造
本系列文章将介绍安森美(onsemi)高边SmartFET的结构和设计理念，可作为了解该器件在特定应用中如何工作的指南。范围仅限于具有模拟电流检测输出的SmartFET。今天将为大家介绍SmartFET的热响应，将简要解读产品数据表中公布的热数据和曲线。了解热网络对于外部条件可能出现极端变化的汽车应用而言，了解并准确估计器件的热响应是一个长期存在的挑战。以瞬态或连续温度波动形式表现的超过器件热容量的热过应力，是该领域中最常遇到的故障模式之一，尤其是功率器件，在其寿命期间经常观察到这种瞬态。此外，随着硅特征
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常见的几种功率半导体器件半导体是我们生活中使用的电器里比较常用的一种器件，那么你对半导体有多少了解呢？今天我们就从最基础的半导体功率器件入手，全面了解半导体的“前世今生”。电力电子器件又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）电子器件。1、MCT MOS控制晶闸管MCT是一种新型MOS与双极复合型器件。MCT是将MOSFET的高阻抗、低驱动下MCT的功率、快开关速度的特性与晶闸管的高压、大电流特型结合在一起，形成大功率、高压、快速全
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半导体 功率器件
11月30日消息，日前，比亚迪半导体功率器件和传感控制器件研发及产业化项目一期竣工。据了解，位于马山街道的比亚迪半导体项目总投资100亿元，用地417亩。项目建设年产72万片功率器件产品和年产60亿套光微电子产品生产线，达产后可实现年产值150亿元。顺应新能源汽车行业发展需求，一期项目研发生产的功率器件、传感控制器件，均为新能源汽车核心器件。据相关人员介绍，比亚迪半导体项目预计42个月全部竣工。
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功率器件介绍
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