全球连接与电源解决方案龙头厂商Qorvo近日发布一款 C 波段雷达方案，新增接收机频率捷变能力，同时降低发射链路的直流功耗与发热。根据EEPW的消息，该方案面向脉冲式有源电扫阵列（ESA）系统设计，集成业界首款 C 波段 BAW 开关滤波器组，搭配 50W、200W 高效率氮化镓（GaN）功率放大器。C 波段架构说明在 C 波段（5.2–5.9GHz），过去要实现频率捷变只能依靠分立滤波器、开关与射频布线搭建电路，市场此前没有集成式开关滤波器组产品。发射功率较高时，功率放大器效率偏低会导致直流功耗与发热增
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Qorvo
C波段
雷达前端
BAW
频率捷
氮化镓
功率器件
GaN
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，其功率半导体解决方案已用于全球顶级汽车制造商宝马的电动汽车平台。在宝马提出的新世代电动平台“Neue Klasse”中，罗姆的SiC功率器件将助力电动动力总成系统进一步实现更高的效率、性能与可靠性。宝马的“Neue Klasse”中集成的罗姆SiC功率器件助力下一代电动出行工具发展。车载高性能SiC功率器件，不仅支撑着功率电子的主要功能，还要确保在严苛的车载环境下依然实现高能效和稳定运行。这有助于延长电动汽车的续航里程、提升其充电性能及整车能效。罗姆
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罗姆
SiC
功率器件
宝马
Neue Klasse
电动动力总成
在ZVS（Zero Voltage Switching，零电压开关）软开关设计中，MOSFET关断损耗Eoff的准确计算至关重要。其中，一个经常被忽略但影响显著的参数就是输出电容储能Eoss（Output Capacitance Stored Energy）。然而，在实际工程中，大多数MOSFET、SiC MOSFET及GaN器件的数据手册仅提供Coss与VDS的关系曲线，少数器件虽然给出了Eoss数值，但通常仅对应某一固定母线电压，无法直接应用于实际工作条件。因此，如何根据Coss曲线计算任意工作电压下
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英飞凌
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损耗Eoff
MOSFET
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硬开关
Yole报告指出，在电气化、人工智能算力基建与可再生能源需求驱动下，2031 年全球功率器件市场规模有望突破 410 亿美元。英飞凌、安森美、意法半导体依旧占据行业主导地位；与此同时，华润微、士兰微等中国厂商，以及安世半导体（丹麦 / 中国布局）正在持续提升市场份额。产能过剩、地缘政治冲突与产业链区域化布局，正重塑全球厂商的生产制造战略。硅基器件仍是行业核心基础，碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）技术则加速推动功率转换向更高能效迭代。各大企业正身处多重因素交织的复杂经营环境：产能过剩、产品降价压力、地缘博
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功率器件
Yole
据耀途集团（Yole Group）分析，受人工智能数据中心、800 伏高压电动汽车以及可再生能源系统需求拉动，碳化硅（SiC）功率器件市场预计 2031 年规模将达到 1100 亿美元，2025 至 2031 年复合年均增长率（CAGR）为 20%。人工智能基础设施正成为核心增长赛道：耀途预测，到 2031 年，含数据中心配套在内、用于电力电子的化合物半导体衬底市场规模将达 200 亿美元。在人工智能数据中心及新一代 AI 算力基础设施中，碳化硅功率器件是高性能新一代电源设备的核心支撑。 全球产
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碳化硅
功率器件
摘要：碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了《碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源》《三种替代Si和SiC MOSFET的方案》。本文为第三篇，将介绍SiC Cascode JFET的动态特性、SiC Combo JFET的应用灵活性。（一） SiC CJFET：性价比优势对于当前市场上任意给定的半导体封装，CJFET始
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碳化硅
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新能源电源
安森美（onsemi）正式发布全新GaNEXUS 氮化镓（GaN）功率器件产品组合。首期上市产品包含覆盖 40V 至 650V 全电压档位的 GaNEXUS 场效应管（FET）样品，其中 650V GaNEXUS 智能氮化镓器件集成全套保护功能，可简化系统集成设计、提升整机可靠性。该系列器件经过专属架构优化，在 AI 数据中心供电、48V 电源系统、机器人与工业自动化、能源基础设施等高功耗应用场景下，能够实现更高能效、更高功率密度与更优异的散热性能。配图：安森美全新 GaNEXUS 氮化镓功率器件产品系列
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安森美
GaNEXUS
氮化镓
功率器件
新研究表明：低压工况下氮化镓器件安全性提升、损耗进一步降低，但面向高压工业场景仍存在诸多技术难题。核心要点氮化镓器件凭借优异耐压性能，市场渗透率持续攀升；芯粒（Chiplet）等新型架构可实现更快开关速率，同时降低功率损耗；氮化镓率先落地低压消费电子领域，工业级高压应用仍需大量技术攻关。随着电能逐步替代化石能源渗透各行各业，系统设计人员亟需可耐受更高输入电压、扛住短路与过电压尖峰冲击的功率开关与变流器。氮化镓（GaN）等宽禁带半导体凭借更高击穿场强与导热系数，可满足高功率密度产品设计需求，备受器件研发人员
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氮化镓
功率器件
GaN
随着 AI 数据中心向更高功率密度和更高效能源分配演进，高压中间母线转换器 (HVIBC) 正逐渐成为下一代云计算供电架构中的关键器件。本文针对横向 GaN HEMT、碳化硅 MOSFET 及 SiC Cascode JFET (CJFET) 三类宽禁带功率器件，在近 1MHz 高频开关条件下用于高压母线转换器的性能展开对比分析。重点评估了导通损耗、开关特性、栅极电荷损耗及缓冲电路需求等关键指标。同时，本文亦探讨了三种谐振转换器拓扑 —— 堆叠式 LLC、单相 LLC 与三相 LLC—— 对其系统效率与元
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AI
数据中心
供电
功率器件
用户最容易感知到 800V 的地方，是快充速度。充电枪插上去以后，车里不是只有电池包在工作。OBC、DC-DC、BMS、电驱、热管理、高压继电器、隔离器件、驱动芯片、电流传感器和保护电路，都会在很短时间内进入状态。系统要同时看电压、电流、温度、绝缘状态和故障信号。800V 把快充和高功率运行推到前台，也把整车高压系统里的细节放大。电压升高以后，同样功率下电流可以降低，线束、连接器、铜排和功率器件上的导通损耗有机会减轻。与此同时，绝缘、隔离、开关噪声、短路保护、热管理和长期可靠性都会变得更难。快充要稳定，电
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800V
高压平台
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国际IDM大厂德州仪器（TI）近期向客户发出调价通知，预计自今年7月1日起调整产品售价，市场解读，除反映原材料与供应链成本压力外，也代表过去两年陷入价格竞争的模拟IC与功率元件市场，正式进入新一轮涨价循环。 法人点名，包括德微、强茂、茂达等相关功率元件及IC设计供应链，皆有机会受惠。据悉，TI价格将适用于7月1日后所有订单与出货，涨价范围涵盖旗下多项产品线，并强调此次价格调整主要受材料、制程技术与整体供应链成本上升影响。 TI虽未公布具体涨幅，但供应链透露，部分功率管理IC、MOSFET与工控相关产品涨幅
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德州仪器
美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。不过，ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令，仍需经过为期60天的美国总统审查期后才能生效。而作为对终裁的回应，英诺赛科宣布，ITC在第337‑TA‑1414号调查中作出最终裁定，确认英诺赛科当前的GaN功率器件产品未侵犯英飞凌的相关专利，并可不受限制地继续在美国进口和销售。原文如下：ITC全体委员一致同意英
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GaN
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英诺赛科
Innoscience
英飞凌
路透社 4 月 27 日报道，因未能获得罗姆公司同意，电装集团正考虑撤回针对这家日本芯片制造商的收购提案。这家丰田集团旗下零部件供应商最早于今年 2 月提交收购要约，一旦落地，罗姆的碳化硅功率半导体业务将直接纳入车企体系管控。目前该笔收购取消的原因众说纷纭，日经的报道是电装认为无法满足罗姆的报价要求，而路透社则认为罗姆内部评估后认为三家合并计划对罗姆未来比被电装收购更有利。不管如何，电装撤回收购报价，意味着日本功率器件三强的合并将全面加速。罗姆方
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电装
罗姆
功率器件
编者按ROHM 进⼊中国市场多年，在功率器件、汽车电⼦、⼯业控制等领域积累了扎实的技术基础。近⼏年，随着新能源汽车、⼯业⾃动化以及 AI 服务器等新应⽤不断发展，ROHM 的技术能⼒也在进⼊更多值得关注的场景。如果要理解⼀家长期深耕功率半导体及相关领域的公司，不能只看它的某⼀条产品线，也不能只看某⼀个应⽤场景。ROHM 更适合放到⼀个更完整的框架⾥去理解：它不只是产品线较为完整的⼚商，也是在多个关键应⽤场景中持续建⽴技术能⼒和系统价值的半导体公司。基于这样的理解，EEPW 策划了这⼀组系列内容，希望从媒体
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ROHM
功率器件
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，决定将自身拥有的GaN功率器件开发和制造技术，与合作伙伴台积公司（TSMC）的工艺技术相融合，在集团内部建立一体化生产体系。通过获得台积公司的GaN技术授权，罗姆将进一步增强相应产品的供应能力，从而满足AI服务器和电动汽车等领域对GaN产品日益增长的需求。 GaN功率器件具有优异的高电压和高频特性，有助于应用产品实现更高效率和更小体积，因此已被广泛应用于AC适配器等消费电子产品。此外，其在AI服务器的电源单元及电动汽车（EV）的车载充电器等
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罗姆
GaN
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供应能力
德州仪器(TI)正研发氮化镓功率器件，为人形机器人打造更小型、更高能效的电机关节。随着全身人形机器人的兴起，支撑其运动的电机控制器、功率电子器件和散热系统，必须提供比以往更强的动力、更高的精度和更高的效率。为了实现与人类相近的活动范围，机器人全身通常需要部署约40 个伺服电机—— 一般是永磁同步电机（PMSM）或无刷直流电机（BLDC）。这些电机分布在身体不同部位，主要集中在颈部、躯干、手臂、腿部、脚趾及其他关节（手部除外）。为模拟人类的灵巧性，单只机械手可集成超过 10 个额外电机，用于控制独立手指与抓
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氮化镓
人形机器人
高效电机关节
TI
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作者简介赵阳（1991），男，工学硕士，英飞凌工业与基础设施业务部门应用工程师，主要从事电力电子技术方面的研究工作。候增全（1997），男，工学硕士，英飞凌工业与基础设施业务部门应用工程师，主要从事电力电子技术方面的研究工作。摘要目前应用于储能系统的电芯技术正在快速发展，单体容量从280Ah升级至300+Ah，储能PCS的功率也随之不断提升。IGBT器件作为PCS系统中的核心部件，应用中的设计要点和输出能力的准确评估决定了PCS的性能表现。本文通过实验对比验证了功率器件在应用设计中的关键因素，包括功率回路
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储能系统
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氮化镓（GaN）功率器件正加速拓展至人工智能数据中心、机器人、电动汽车、可再生能源等多个行业，同时还切入数字医疗、量子计算等新兴领域，这一趋势推动氮化镓市场从今年到 2030 年实现显著增长。尤其在数据中心市场，采用新型拓扑结构的氮化镓电源相比硅基电源，能实现更高的效率和功率密度，功耗损耗最多可降低 30%，助力打造更高效、更紧凑的数据中心架构。应用于人形机器人的氮化镓电机驱动器，体积可缩小 40%，还能提升精细动作的控制精度。英飞凌氮化镓业务线高级副总裁兼总经理约翰内斯・朔伊斯沃尔博士在接受《欧洲电子工
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人工智能
机器人
氮化镓
功率器件
在传统横向结构的GaN器件中，电流沿芯片表面流动。而垂直 GaN 的 GaN 层生长在氮化镓衬底上，其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部，而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能够承受更高的电压和更大的电流，从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的系统设计。垂直架构：功率技术新高度垂直 GaN 创新：vGaN 支持高电压和高频率运行， 效率优于硅芯片先进制造工厂：GaN 研发工作在占地 66,000 平方英尺、 配备 GaN 生产专用工具的洁净室设施中进行专有 GaN 生长工艺：工程师借助安森
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安森美
GaN
功率器件
进入2026年，NOR Flash的基本面与DRAM和NAND形成显著差异：其定价保持稳定，基本不受存储周期性波动影响。同时，市场需求正日益转向适用于汽车、工业及真无线耳机（TWS）等领域的更高密度SPI NOR产品。更大的固件容量、无线升级（OTA）需求以及边缘AI的集成，共同推动了高密度NOR Flash设备的采用，尤其是从128Mb向256Mb及以上容量的升级。尽管出货量趋于平稳，但产品密度的提升、漫长的认证周期以及向55-40纳米工艺稳定迁移，将持续驱动其价值增长。得益于供需结构的稳定，NOR F
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NOR Flash
MEMS
传感器
功率器件
在现代电子设备中，元器件的可靠性是系统稳定运行的基石。然而，在实际应用中，我们常常会遇到各种各样的器件失效问题。其中，过电应力（Electrical Over Stress, EOS）导致的失效占比超过80%以上，而器件本身质量原因导致的失效案例形貌上通常与“EOS”形貌类似，故因器件本身质量原因导致的失效很多时候常常被误判或忽视。本文将简单学习EOS的失效机理、典型特征、与静电放电（ESD）的异同，然后结合两个功率器件失效实际案例，简述如何通过“EOS”的现象找到失效根因。一、何为过电应力（EOS）？E
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EOS
元器件
功率器件
iDEAL半导体，一家专注于提供突破性效率的无晶圆厂功率半导体公司，宣布与Mouser电子签署全球分销协议。该协议涉及iDEAL基于其新颖、专利、最先进的SuperQ技术的功率器件。SuperQ与传统超级结架构相比，在效率和性能方面实现了显著提升，使功率工程师能够满足现代功率系统的需求，同时保持硅的可靠性、成本效益和供应链稳健性。在首批基于SuperQ的产品进入量产后，150V MOSFET现已立即可用。这些产品提供领先的导通电阻（RDS(on)）和优异的身形因子（FOM），包括业界最低的开关
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iDEAL
Mouser
SuperQ
功率器件
来自印度的深科技初创公司Reflex Drive选择英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的半导体功率器件，用于其下一代无人机（UAV）电机控制解决方案。通过集成英飞凌OptiMOS™ 80 V和100 V功率器件，Reflex Drive的电子调速器（ESC）实现了更好的热管理和更高的效率，从而在紧凑的设计中实现了高功率密度。此外，通过采用将XMC1404微控制器与MOTIXTM 6EDL7141 三相栅极驱动器IC结合的英飞凌MOTIX™ IMD7
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英飞凌
功率器件
Reflex Drive
无人机
电机控制
其他栅极驱动器转换器考虑因素栅极驱动器 DC-DC 转换器还有其他独特的问题。其中包括：1） 调节：当器件不切换时，DC-DC 转换器上的负载接近于零。然而，大多数传统转换器始终要求最小负载;否则，它们的输出电压会急剧增加，可能达到栅极击穿水平。发生的情况是，这个高电压存储在大容量电容器上，因此当器件开始切换时，它可能会出现栅极过压，直到转换器电平下降到正常负载下。因此，应使用具有箝位输出电压或极低最小负载要求的 DC-DC 转换器。2） 启动和关断：重要的是，在驱动电路电压轨达到指定值之前，I
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栅极驱动器
功率器件
据路透社援引彭博社报道，在关于即将破产的传闻出现近一个月后，Wolfspeed 现在正面临一次重大动荡。由 Apollo 全球管理公司领导的债权人正准备根据破产计划接管公司。报道称，这家陷入困境的碳化硅巨头预计将在几天内公布一项预包装破产计划——旨在迅速削减数十亿美元的债务。在锁定重组协议后，Wolfspeed 将要求债权人就计划进行投票，然后正式申请第 11 章保护，报道补充道。由意法半导体领导的对头将受益根据 TrendForce 的观察，由于破产程序的不确定性，Wolfspeed 的 Si
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意法半导体
功率器件
有效的 MOSFET/IGBT 器件开关取决于栅极驱动器及其电源。从电源和电机驱动器到充电站和无数其他应用，硅 （Si）、碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） MOSFET等开关功率半导体以及绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 是高效电源系统设计的关键。但是，为了实现功率器件的最大性能，需要合适的栅极驱动器。顾名思义，该元件的作用是驱动功率器件栅极，快速、清晰地将其置于导通模式或将其拉出导通模式。这样做要求驱动器能够拉出或吸收足够的电流，尽管负载（栅极）存在内部器件和杂散（寄生）电容、电感和其他
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栅极驱动器
功率器件
_____随着技术的不断进步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）因其优异的性能被广泛应用于各种电子设备中。然而，这些器件在长期连续使用后会出现老化现象，导致性能退化。如何在短时间内准确评估这些器件的老化特性，成为行业关注的焦点。目前，针对功率器件的老化测试主要包括多种不同的测试方式。其中，JEDEC制定的老化测试标准（如HTGB、HTRB、H3TRB和功率循环测试）主要针对传统的硅基功率器件。对于新型的SiC等功率器件，AQG-324标准进一步要求增加动态老化测试，如动态栅偏和动态反偏测试。
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高温工况
老化测试
ROHM宣称其新型SiC模块已「达到业界顶级水平」，这使得安装面积显著减少。
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1、电感本质我们通常所说的电感指的是电感器件，它是用绝缘导线(例如漆包线,沙包线等)绕制而成的电磁感应元件。在电路中，当电流流过导体时，会产生电磁场，电磁场的大小除以电流的大小就是电感。电感是衡量线圈产生电磁感应能力的物理量。给一个线圈通入电流，线圈周围就会产生磁场，线圈就有磁通量通过。通入线圈的电源越大，磁场就越强，通过线圈的磁通量就越大。实验证明，通过线圈的磁通量和通入的电流是成正比的，它们的比值叫做自感系数，也叫做电感。1.2 电感分类按电感形式 分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈
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