/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。任何导热材料都有热阻，而且热阻与材料面积成反比，与厚度成正比。按道理说，铜基板也会有额外的热阻，那为什么实际情况是有铜基板的模块散热更好呢？这是因为热的横向扩散带来的好处。热横向扩散除了热阻热容，另一个影响半导体散热的重要物理效应为热的横向传
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/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。为什么引入结构函数？在功率器件的热设计基础系列文章 《功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法》 和 《功率半导体芯片温度和测试方法》 分别讲了功率半导体结温、芯片温度、壳温和散热器温度的测试方法，用的
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前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。驱动IC电流越来越大，如采用DSO-8 300mil宽体封装的EiceDRIVER™ 1ED3241MC12H和1ED3251MC12H 2L-SRC紧凑型单通道隔离式栅极驱动器，驱动电流高达+/-18A，且具有两级电压变化率控制和有
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/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。功率半导体的电流密度随着功率半导体芯片损耗降低，最高工作结温提升，器件的功率密度越来越高，也就是说，相同的器件封装可以采用更大电流规格的芯片，使输出电流更大，但同时实际的损耗和发热量也会明显增大。功率器件中的分立器件、Easy系列模块，Eco
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远山半导体在连续推出几款高压GaN器件后，最终将他们最新款产品的额定电压推向1700V，相较于之前的1200V器件又有了显著的提升。为了解决GaN器件常见的电流崩塌问题，他们采用特有的极化超级结（PSJ: Polarization Super Junction）技术，并对工艺进行进一步优化，使器件的额定工作电压和工作电流得到更大的提升（1700V/30A）。本次测试采用远山半导体提供的1700V/100mΩ规格GaN样品,其可以轻松应对1000V输入电压下的开关测试需求，在静态测试条件下，1700V时测得
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GaN 电流崩塌 功率器件
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。功率器件的输出电流能力器件的输出电流能力首先是由芯片决定的，但是IGBT芯片的关断电流能力很强，在单管里是标称电流的3倍或4倍，模块由于考虑多芯片并联等因素，关断电流能力定义为标称电流的2倍。在实际系统设计中，器件输出电流能力往往受限于芯片的
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英飞凌 功率器件
功率MOSFET的正向导通等效电路（1）：等效电路（2）：说明：功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。功率MOSFET的反向导通等效电路（1）（1）：等效电路（门极不加控制）（2）：说明：即内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOSFET 的体二极管，多数情况下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向导通等效电路（2）（1）：等效电路（门极加
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/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。上一篇讲了两种热等效电路模型，Cauer模型和Foster模型，这一篇以二极管的浪涌电流为例，讲清瞬态热阻曲线的应用。浪涌电流二极管的浪涌电流能力是半导体器件的一个重要参数。在被动整流应用中，由于电网的频率是50Hz，因此10ms的二极管电流
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据媒体报道，美国商务部13日宣布，已与德国汽车零部件供应商博世达成初步协议，向其提供至多2.25亿美元补贴，用于在加州生产碳化硅（SiC）功率半导体。据悉，这笔资金将支持博世计划的19亿美元投资，改造其位于加州罗斯维尔的工厂，以生产碳化硅功率半导体。此外，美国商务部还将为博世提供约3.5亿美元政府贷款。博世计划于 2026 年开始生产 SiC 芯片，据估计，该项目一旦全面投入运营，可能占美国SiC制造产能的40%以上。
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12 月 12 日消息，日本半导体制造商罗姆 ROHM 当地时间本月 10 日宣布同台积电就车载氮化镓 GaN 功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。罗姆此前已于 2023 年采用台积电的 650V 氮化镓 HEMT（注：高电子迁移率晶体管）工艺推出了 EcoGaN 系列新产品。罗姆、台积电双方将致力于把罗姆的氮化镓器件开发技术与台积电业界先进的 GaN-on-Silicon（硅基氮化镓）工艺技术优势结合起来，满足市场对高耐压和高频特性优异的功率器件日益增长的需求。台积电在新闻稿中提到，
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/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。确定热阻抗曲线测量原理——R th /Z th 基础：IEC 60747-9即GB/T 29332半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）（等同采用）中描述了测量的基本原理。确定热阻抗的
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SiC 功率器件市场规模逐年扩大，并将保持高速增长。
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为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增长的需求，功率元件正在不断发展。为了向系统设计人员提供广泛的电源解决方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封装、支持多种拓扑结构以及电流和电压范围的IGBT 7器件组合。这一新产品组合具有更高的功率容量、更低的功率损耗和紧凑的器件尺寸，旨在满足可持续发展、电动汽车和数据中心等高增长细分市场的需求。高性能IGBT 7器件是太阳能逆变器、氢能生态系统、商用车和农用车以及更多电动飞机（MEA）中电源应用的关键构件
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大半导体产业网消息，日前，中芯国际联席CEO赵海军在业绩会上表示，为满足公司客户的需求，公司将加速布局功率器件产能，充分支持汽车工业和新能源市场的发展。中芯国际将会在此前宣布的逻辑电路产能基础上，调转一部分来做功率器件，不会因为增加功率器件生产而新增产能规模或投资。赵海军表示，会把原来已有的背面处理、键合、逻辑电路等已有工艺能力迁移到功率产品中，这也是之后与客户合作的方向。
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中芯国际 逻辑电路 功率器件 新能源
8月13日，新洁能发布公告称，拟将此前募投项目中的“第三代半导体 SiC/GaN
功率器件及封测的研发及产业化”项目达到预定可使用状态日期延期至2025年8月。此次延期是受宏观环境等不可控因素的影响，项目的工程建设、设备采购及人员安排等相关工作进度均受到一定程度的影响，无法在计划时间内完成。据悉，此次延期项目属新洁能二厂区扩建项目，项目总投资约2.23亿元，2022年开建，原计划2024年建设完成。项目建成后，将实现年产 SiC/GaN 功率器件2640万只。新洁能称，本次募投项目延期仅涉及项目进度的
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新洁能 SiC GaN 功率器件 封测
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