- 功率器件在我国还属于朝阳产业,就其在中国发展的历程来看,从20世纪50年底的可控硅SCR发展到80年代的较为成熟的绝缘栅双极晶体管IGBT,发展时间较短。就其增长速度来看,市场规模增长速度较快,高于我国制造业的平均增长速度,并已经成为了全球最大的功率器件市场。
根据统计局的数据显示,2013年,我国功率器件销售额比2012年增长9.9%,销售金额达到1804.87亿元。就其下游需求行业来看,无论是从生活联系紧密的数码相机、LED电视、手机到新能源汽车、工业控制,均是目前成长良好需求广阔甚至在未来
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功率器件 半导体 LED
- IGBT是功率器件技术演变的最新产品,是未来功率器件的主流发展方向。IGBT器件(绝缘栅双极型晶体管)是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点。又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技术和功能上的优势,IGBT产品可以实现对以往功率器件产品的逐步替代。IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势。IGBT能够实现节能减排,具有很好的环境保护效益。IGBT被公认为是电力电子技术第三次革命最具代表性的产品,是未来应用发展的必然
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功率器件 IGBT
- 三菱电机(www.MitsubishiElectric-mesh.com)日前在参加2014年PCIM亚洲展时,估计功率器件市场在整体经历了2012年的业绩下滑后,市场正在逐渐恢复并升温,预计到2016年,整体业绩可以回复到2011年的历史高峰。
为了满足市场需要,三菱电机功率半导体制作所总工程师佐藤克己先生表示,三菱电机持续每年投入产品研发,降低产品的重量、尺寸和损耗,最终实现提升性能和降低成本。现时集中发展第7代IGBT模块、混合碳化硅产品、工业用DIPIPMTM、以及新的IPM系列。
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三菱电机 功率器件
- 日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布,将参加在上海举行的“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会”(PCIM Asia 2014 )。本次展会于2014年6月17日至19日在上海世博展览馆拉开帷幕,东芝半导体&存储产品公司此次将展示其最新的、应用在电力领域的技术和产品。
展示产品简介:
IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)
东芝在IGBT的基础上成功研发出&
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东芝 功率器件 光耦
- 通过对众多公司的访问,发现数字电源是增长很快的领域;功率器件的效能在提升,封装是其创新的一个重要部分;电源模块正面向特定的应用和客户,提供端到端的解决方案;电源芯片向微纳功耗和能量采集领域挺进;电源测试在从单台仪器向整体解决方案转型。
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电源 功率器件 电源管理 能量采集 201404
- 本文介绍了一种“总体分布、局部集中”式的轿车车门控制器设计方案,即以安森美半导体系统基础芯片NCV7462和...
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前车门控制器 感应电阻器 功率器件
- 虽然电动汽车完全成为主流还需要一定的时间,但一些制造商深信面向大众市场的零排放汽车时代已经来临。当谈到针对未来交通开发的技术时,电动汽车和电池产业毫无疑问是焦点所在,当前研发工作重点放在提高电池存储容量和加快电池充电时间。通过与汽车和电池制造商的合作,TEConnectivity公司目前正在为这一新兴市场领域开发新的技术和解决方案。
下图显示了PPTC技术如何应用于混合动力汽车和电动汽车电池模块中的过温检测。该例使用了一个热敏传感器阵列来监视单节电池故障。由于给PPTC器件加热会使器件电阻迅速非
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电动汽车 电源 功率器件
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绿色电源 高性能 功率器件
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Si基 GaN 功率器件
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功率器件 混合动力车
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功率器件 开关电源 电源
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隔离驱动 功率器件
- 大型电力电子设备中,随着温度的增加,失效率也增加,因此大功率高压变频器功率器件的热设计直接关系到设备的可...
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大功率 高压变频器 功率器件
- GaN是什么?
什么是GaN?GaN中文名:氮化嫁,用化学元素来解释就是V族化合物。六方晶系铅锌矿型结构,为直接带隙半导体。室温禁带宽度3.39eV。电子和空穴有效惯性质量分别为0.19和0.6。电阻率>107Ω·m,电子迁移率 (1.25~1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化学气相淀积法制备。
GaN材料的研究与应用是全球半导体研究的热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被
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GaN 功率器件
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