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SiC/GaN功率器件的栅极界面可靠性以及GaN HEMT 的栅极特性

发布人:旺材芯片 时间:2022-05-27 来源:工程师 发布文章

来源:芯TIP


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报告主题:SiC/GaN功率器件的栅极界面可靠性以及GaN HEMT的栅极特性

报告作者:Professor Layi Alatise and Dr Jose Ortiz Gonzalez

报告内容包含:(具体内容详见下方全部报告内容)

SiC/GaN功率器件的栅极界面可靠性

使用第三象限特性表征 BTI、使用串扰表征 BTI

GaN HEMT 中的栅极特性:

栅极特性、第三象限特性以及栅极应力和阈值电压不稳定性


报告详细内容



SiC/GaN功率器件的栅极界面可靠性

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GaN HEMT 的栅极特性

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关键词: 功率器件

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