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国产存储芯片又取得突破，长江存储192层闪存送样，预计年底量产

• 头一段时间，有媒体报道称，长江存储自主研发的192层3D NAND闪存已经送样，预计年底实现量产。长江存储一直是我们优秀的国产存储芯片企业，从成立之初便保持了一个高速的发展状态。2016年成立，2017年便推出了32层NAND闪存。2019年，推出64层堆栈3D NAND闪存，并成功进入了华为Mate40手机的供应链。为了缩短与三星、SK海力士、铠侠等行业大厂的差距，长江存储跳过了96层，直接进行了128层3D NAND 闪存的研发，并在2020年正式宣布研发成功，它是业内首款128层QLC规格的3D N
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美光针对数据中心推出业界首款基于 176 层 NAND 的SATA SSD

• 内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布推出全球首款专为数据中心工作负载设计的基于 176 层 NAND 技术的SATA 固态硬盘 (SSD)。美光 5400 SATA SSD 是目前最先进的数据中心 SATA SSD产品，采用久经考验的第 11 代 SATA 架构，支持广范的应用场景，提供相比传统机械硬盘 (HDD) 显著提升的性能，并延长了 SATA 平台的使用寿命。美光副总裁暨数据中心存储产品总经理 Alvaro Toledo 表示
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SK海力士首次公开与Solidigm的“合作产品”

• “独立子公司成立仅三个月，两家公司在事业上的合作全面开始”SK海力士和Solidigm首次公开了结合SK海力士128层NAND闪存与Solidigm的SSD控制器和固件的合作产品。SK海力士和Solidigm将继续优化两家公司的运营，以创造协同效应和合作伙伴关系。加州圣何塞和南韩首尔2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm（或“公司”， www.skhynix.com）今日首次公开了两家公司共同开发的新企业级SSD（eSSD）产品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
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针对勒索软件与网络攻击 IBM打造新一代储存产品

• IBM发布下一代闪存产品，瞄准日益严峻的勒索软件和其他网络攻击。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在帮助企业更快速地检测勒索软件和其他网络攻击并从中恢复；而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存储模型能够提供单一且一致的操作环境，旨在提高混合云环境下的网络复原力和应用程序性能。 IBM 推出下一代储存产品，瞄准勒索软件及其他网络攻击根据IBM网络弹性机构的研究，46%的受访者表示在过去两年中经历了勒索软件攻击。随着网络攻
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SK海力士与英特尔已完成收购交易的第一阶段：NAND闪存市场会有什么变化？

• 据韩国媒体消息，中国监管机构审查了SK海力士垄断的可能，并就该家韩国芯片制造商从英特尔手中收购NAND闪存业务进行评估，并决定批准该收购，这为SK海力士扫清了最后一个障碍。
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TrendForce：三星NAND Flash生产不受西安封城影响

• 中国西安正受疫情影响而封城，目前尚无法预期解封时间，根据TrendForce调查，由于三星（Samsung）在当地设有两座大型工厂，均用以制造3D NAND高层数产品，投片量占该公司NAND Flash产能达42.3%，占全球亦达15.3%，现下封城措施并未影响该工厂的正常营运。然而，当地封城措施严格管控人流及物流，尽管2021年底至2022年一月中以前的出货多已经安排妥适，但无法排除接下来因物流延迟出货的可能，这将可能对采购端的物料安排造成影响。此外，该公司的原物料进货也有可能受到物流受阻而延迟，但三星
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笔记本电脑与手机火热 2021年第一季NAND Flash总营收季增5.1%

• 根据TrendForce表示，2021年第一季NAND Flash产业总营收达148.2亿美元，季增5.1%，其中位出货量成长11%，大致抵消平均销售单价下跌5%带来的影响。在议价时，需求端虽受惠于笔电、智能型手机需求强劲，但数据中心市场需求仍属疲弱，市场尚未脱离供过于求的状态，各类产品合约价仍呈现明显下跌。然而，OEM/ODM采购开始留意到NAND Flash控制器缺货冲击中低容量产品供给，自今年一月下旬便开始增加订单，一方面避免陷入缺货风险，也希望在料况无虞的情况下，策略性扩大市占，使得第一季NAND
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美光专家对176层NAND的解答

• 2020 年11 月，美光科技宣布出货全球首款176 层NAND，实现闪存性能和密度的重大突破（如图1）。为此，《电子产品世界》采访了该公司工艺集成技术开发高级总监Kunal Parekh 和NAND 组件产品线高级经理KevinKilbuck。问：176 层产品目前用于哪些应用？Kevin Kilbuck：我们Crucial英睿达品牌的某些消费类固态硬盘采用了176 层NAND，已经开始出货。问： 新的176 层NAND 如何解决产量挑战？如何解决层间干扰？Kunal Parekh： 通过严格的试验和测
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2021年DRAM与NAND增长快，美光领跑研发与新技术

• 近日，美光在业界率先推出 1α DRAM 制程技术。值此机会，该公司举办了线上媒体沟通会，执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana 先生介绍了对DRAM、NAND的市场预测，以及美光的研发、资本支出、产品布局等。执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana1   2021年DRAM和NAND将增长19%展望2021年，全球GDP增长约5%。而根据不同分析师的预测，半导体产业预计增长可达12%，整个半导体产业的产值将达5020亿美元。其中，内存与存储预计增长可达19%，增度远超整
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美光科技：DRAM芯片供应紧张将持续数年，NAND产能今年保持稳定

• 存储芯片大厂美光（Micron）执行副总裁兼事业长Sumit Sadana近日接受采访表示，2020年汽车电子和智能型手机需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年显现明显复苏，并带动存储器需求增长。目前主要有两种存储器产品，一种是DRAM（动态随机存储器），用于缓存，另一种是NAND Flash（闪存），用于数据的存储。在DRAM领域，韩国三星、海力士、美国美光三家企业把控了全球主要市场份额。NAND Flash市场则由三星、凯侠、西部数据、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana称，预期今
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TDK推出使用3D NAND闪存的高可靠性SSD

•  ·    SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2·    配置了3D NAND（TLC或pSLC）闪存·    新一代产品包括5个系列共计6个尺寸TDK株式会社（TSE:6762）将于2020年12月推出新一代闪存产品，该产品拥有5个系列，并针对工业、医疗、智能电网、交通和安全等应用进行了优化。5个系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND闪存控制IC“GBDrive
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美光推出 176 层 3D NAND

IT之家了解到，美光表示其 176 层 3D NAND 已开始批量生产，并已在某些英睿达的消费级 SSD 产品中出货。

• 11 月 10 日消息 全球顶级半导体峰会之一的 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11 月 10 日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 闪存技术，该技术具有 176 层存储单元堆叠。新的 176 层闪存是美光与英特尔分手以来所研发的第二代产品，上一代 3D NAND 则是 128 层设计，算是美光的过渡节点。而目前在三星的存储技术大幅度领先之下，美光 128 层 3D NAND 并没有特
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SK海力士90亿美元接盘英特尔NAND业务，存储芯片格局或生变

• 半导体并购再起。2020年以来，半导体的重磅收购不断。英伟达拟收购ARM，AMD洽谈收购赛灵思，半导体领域接连出现重大变数，金额屡创新高。今天新的主角又登场了 —— SK海力士与英特尔。SK海力士于20日发布公示官宣将以90亿美元收购英特尔NAND闪存业务。本次收购范围包括英特尔的固态硬盘 (SSD) 业务、NAND闪存和晶元业务，以及位于大连专门制造3D NAND Flash的Fab68厂房。不过，英特尔将保留傲腾 (Optane) 的存储业务。这是韩国公司有史以来最大规模的海外收购交易，超过三星在20
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研究机构预计全球NAND闪存销售额今年增至560亿美元 同比大增27%

• 据国外媒体报道，研究机构预计，销售额在去年大幅下滑的NAND闪存，在今年将大幅增长，同比增长率将达到27.2%，销售额将达到560.07亿美元。从研究机构的预计来看，在集成电路的33个产品类别中，NAND闪存今年销售额的同比增长率，将是最高的，是增长最明显的一类。就预期的销售金额而言，NAND闪存依旧会是集成电路中的第二大细分市场，仅次于DRAM，后者的销售额预计为645.55亿美元，较NAND闪存高85.48亿美元。在研究机构的预计中，在全球集成电路市场，NAND闪存今年的销售额将占到15.2%，仅次于
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KLA推出全新突破性的电子束缺陷检测系统

• 近日 KLA公司 宣布推出革命性的eSL10™电子束图案化晶圆缺陷检查系统。该系统具有独特的检测能力，能够检测出常规光学或其他电子束检测平台无法捕获的缺陷，从而加速了高性能逻辑和存储芯片的上市时间（包括那些依赖于极端紫外线（EUV）光刻技术的芯片）。eSL10的研发是始于最基本的构架，针对研发生产存在多年的问题而开发出了多项突破性技术，可提供高分辨率，高速检测功能，这是市场上任何其他电子束系统都难以比拟的。KLA电子束部门总经理Amir Azordegan 表示：“利用单一的高能量电子
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