- 芯片行业正由过热逐渐降温,传感器产业作为数字化时代万物互联基石、海量数据之源,却迎来了新一轮投融资热潮。据统计,仅2023年上半年就有多家中国本土传感器企业获得了数千万元以上的融资;二级市场对传感器产业的热度也在攀升,多家中国传感企业市值已超过100亿元……投资热度高涨的背后,是传感器市场需求的井喷式增长,但也带来了更多的挑战——传感器企业需要不断提升实力、着力创新,以应对市场的变化和竞争的加剧。9月13-15日,全球三大传感器展之一的SENSOR CHINA,时隔3年将再次于上海跨国采购会展中心盛大启幕
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SENSOR CHINA 2023 传感
- 近日,三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存,据爆料,这款闪存将采用双层堆栈架构,并超过 300 层。同样在 8 月,SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存,并计划于 2025 年上半期开始量产。早在 5 月份,据欧洲电子新闻网报道,西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现 8 平面 3D NAND 设备以及超过 300 字线的 3D NAND IC。3D NAND 终究还是卷到了 300 层……层数「争霸赛」众所周知,固态硬盘的数据传输速度虽然很快,但售价和容量还
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V-NAND 闪存 3D NAND
- 动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路,目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备,如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。技术进步驱动了DRAM的微缩,随着技术在节点间迭代,芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步伐,向三维发展,以提高单位面积的存储单元数量。(NAND指“NOT AND”,意为进行与非逻辑运算的电路单元。)l 这一趋势有利于整个行业的发展,因为它能推动存储器技术的突破,而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。l DRAM技
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3D DRAM 泛林
- MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印机主板方案,该方案主控 MCU LPC5528 是一颗 Cortex-M33 内核的高性能 MCU,主频达到 150MHz,拥有 512KB 片上 Flash ,256KB RAM ,有多个 Timer,多路 PWM,多种通信接口,支持 16 位的 ADC,资源丰富。 该方案支持 3.5 寸触摸屏显示,480*320 分辨率,支持 SD 卡、 U 盘传输打印资料给打印机,支持 5 轴电机控制,支
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3D 打印机 NXP LPC5528
- 中国上海,2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 将于 7 月 11-13 日在上海国家会展中心举办的 2023中国(上海)机器视觉展 (Vision China) 展示最新产品和解决方案。欢迎各位莅临 5.1A101 展位了解先进的 3D 解决方案,Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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Teledyne Vision China 3D AI成像
- 中国上海,2023年6月30日 – 安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟将于2023年7月11日至13日携手Omega亮相2023慕尼黑上海电子展,共同展示来自Omega的大量传感、控制与监测产品。 实现工业4.0这一目标需要自动化,而自动化的发展则对智能传感、控制与监测产品的性能提出了更高要求。Omega产品能够提高工业流程中的能源效率和生产力,因而被众多开发人员视为构建工业控制应用的首选方案。 此次电子展,e络盟和Omega将联合展出:· &nb
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e络盟 Omega 慕尼黑上海电子展 传感
- 5 月 5 日消息, 铠侠和西数展示最新的技术储备,双方正在努力实现 8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。根据其公布的技术论文,铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,读取延迟缩小到 40 微秒。此外,铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件,这是一个具有实验性的 3D NAND IC,通过金属诱导侧向
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3D NAND
- · Aldo Kamper就任艾迈斯欧司朗集团首席执行官;· 其首要任务是进一步提升艾迈斯欧司朗的战略聚焦和执行力;· 拥有丰富的半导体行业经验,引领集团发展。 中国 上海,2023年4月3日——全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗(瑞士证券交易所股票代码:AMS)今
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- 近日,外媒《BusinessKorea》报道称,三星的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化,并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法,据称这将改变存储器行业的游戏规则。3D DRAM是什么?它将如何颠覆DRAM原有结构?壹摩尔定律放缓,DRAM工艺将重构1966年的秋天,跨国公司IBM研究中心的Robert H. Dennard发明了动态随机存取存储器(DRAM),而在不久的将来,这份伟大的成就为半导体行业缔造了一个影响巨大且市场规模超千亿美元的产业帝国。DRA
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3D DRAM 存储器
- 据外媒《BusinessKorea》报道,三星电子的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化,并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室负责人Lee Jong-myung于3月10日在韩国首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“IEEE EDTM 2023”上表示,3D DRAM被认为是半导体产业的未来增长动力。考虑到目前DRAM线宽微缩至1nm将面临的情况,业界认为3~4年后新型DRAM商品化将成为一种必然,而不是一种方向。与现有
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存储 3D DRAM
- 国内EDA行业领导者芯和半导体,由于其Metis平台在2.5D/3DIC Chiplet先进封装设计分析方面的杰出表现,近日在半导体行业国际在线平台3D InCites的评选中,获封2023“Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖”称号。 “Xpeedic芯和半导体去年宣布Chipletz采用了Metis平台用于智能基板产品的设计,这一事件引起了我们极大的关注。“3D InCites创始人Françoise von Trapp表示,” 我们非常兴奋芯和半导体今年首次参加3D InCi
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芯和半导体荣 3D InCites Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖
- 国内EDA行业领导者芯和半导体,由于其Metis平台在2.5D/3DIC Chiplet先进封装设计分析方面的杰出表现,近日在半导体行业国际在线平台3D InCites的评选中,获封2023“Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖”称号。 “Xpeedic芯和半导体去年宣布Chipletz采用了Metis平台用于智能基板产品的设计,这一事件引起了我们极大的关注。“3D InCites创始人Françoise von Trapp表示,” 我们非常兴奋芯和半导体今年首次参加3D
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芯和半导体 3D InCites Herb Reiter年度最佳设计工具供应商奖
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