台积电OIP（开放创新平台）于美西当地时间25日展开，除表扬包括力旺、M31在内之业者外，更计划推出3Dblox新标准，进一步加速3D IC生态系统创新，并提高EDA工具的通用性。 台积电设计构建管理处负责人Dan Kochpatcharin表示，将与OIP合作伙伴一同突破3D IC架构中的物理挑战，帮助共同客户利用最新的TSMC 3DFabric技术实现优化的设计。台积电OIP生态系统论坛今年由北美站起跑，与设计合作伙伴及客户共同探讨如何通过更深层次的合作，推动AI芯片设计的创新。 Dan Kochpa
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台积电 OIP 3D IC设计
在音频波束成形和外科手术机器人等新兴市场中，接近传感器实现了自主性和自动化、安全操作以及高能效。接近传感器在系统设计中非常普遍，因此不太经常遇到“是否需要接近传感器”这一问题，而更常见的是哪种类型能满足设计目标。在开发新技术时，合适的解决方案并不总是很直观。其中，考虑规格十分重要，尤其是终端设备特性，以此来确定系统设计应该采用哪种传感技术。自主性和自动化人数统计、跌倒检测和避障是接近传感器的主要用例。人数统计颠覆了零售分析，无需摄像头即可测量店铺的客流量并减轻客户的隐私顾虑。扫地机器人可以检测自身环境以避
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TI 模拟 传感
近日，据媒体报道，日本存储芯片厂商铠侠公布了3D NAND闪存发展蓝图，目标2027年实现1000层堆叠。铠侠表示，自2014年以来，3D NAND闪存的层数经历了显著的增长，从初期的24层迅速攀升至2022年的238层，短短8年间实现了惊人的10倍增长。铠侠正是基于这种每年平均1.33倍的增长速度，预测到2027年达到1000层堆叠的目标是完全可行的。而这一规划较此前公布的时间早了近3年，据日本媒体今年4月报道，铠侠CTO宫岛英史在71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示，公司计划于2030至2031
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铠侠 3D NAND堆叠
6月25日消息，据媒体报道，SK海力士在近期于美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，重磅发布了关于3D DRAM技术的最新研究成果，展示了其在该领域的深厚实力与持续创新。据最新消息，SK海力士在3D DRAM技术的研发上取得了显著进展，并首次详细公布了其开发的具体成果和特性。公司正全力加速这一前沿技术的开发，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一数据意味着在单个测试晶圆上，能够成功制造出约1000个3D DRAM单元，其中超过一半（即561个）为良
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SK海力士 3D DRAM
● Calibre 3DThermal 可为 3D IC 提供完整的芯片和封装内部热分析，帮助应对从芯片设计和 3D 组装的早期探索到项目 Signoff 过程中的设计与验证挑战● 新软件集成了西门子先进的设计工具，能够在整个设计流程中捕捉和分析热数据西门子数字化工业软件近日宣布推出 Calibre® 3DThermal 软件，可针对 3D
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西门子 Calibre 3DThermal 3D IC
IT之家 5 月 21 日消息，综合韩媒 ZDNet Korea 和 The Elec 报道，三星电子执行副总裁 Lee Siwoo 在本月举行的 IEEE IMW 2024 研讨会上表示该企业计划在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上：一种是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶体管） DRAM；另一种是 VS-CAT（Vertical Stacke
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3D 内存 存储 三星
联电昨（2）日所推出业界首项RFSOI 3D IC解决方案，此55奈米RFSOI制程平台上所使用的硅堆栈技术，在不损耗射频（RF）效能下，可将芯片尺寸缩小逾45％，联电表示，此技术将应用于手机、物联网和AR/VR，为加速5G世代铺路，且该制程已获得多项国际专利，准备投入量产。 联电表示，RFSOI是用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等射频芯片的晶圆制程。随着新一代智能手机对频段数量需求的不断增长，联电的RFSOI 3D IC解决方案，利用晶圆对晶圆的键合技术，并解决了芯片堆栈时常见的射频干扰问题，将装置中
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5G 联电 RFSOI 3D IC
近日，晶圆代工大厂联电举行法说会，公布2024年第一季财报，合并营收546.3亿元新台币，较2023年第四季549.6亿元新台币减少0.6%，较2023年第一季542.1亿元新台币成长0.8%。第一季毛利率达30.9%，归属母公司净利104.6亿元新台币。联电共同总经理王石表示，由于电脑领域需求回升，第一季晶圆出货量较2023年第四季成长4.5%。尽管产能利用率微幅下降至65%，成本控管及营运效率提升，仍维持相对稳健获利。电源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服务器矽中介层需求推动下，特殊制程占总营收
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联电 3D IC
光子学和电子学这两个曾经分离的领域似乎正在趋于融合。
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Zivid最新SDK2.12正式发布，是对我们3D视觉相机的一次绝佳更新。本次发布中，我们全新的Omni Engine有了更惊人的性能提高。Omni v2提供了更长的工作距离，速度更快，点云质量更好，特别是在透明物体上。升级要点· Omni Engine v.2我们用于捕捉透明度的最先进的3D技术已经获得了重大升级。Omni v2显著减少了与成像透明物体相关的点云伪影和错误并且可以比以前快约35%地生成这些高质量的点云。当在高端GPU上运行时，我们推荐的预设和配置的捕获时间从490毫秒减少到约315毫秒。
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Zivid 3D 机器人
在 AI 服务器中，内存带宽问题越来越凸出，已经明显阻碍了系统计算效率的提升。眼下，HBM 内存很火，它相对于传统 DRAM，数据传输速度有了明显提升，但是，随着 AI 应用需求的发展，HBM 的带宽也有限制，而理论上的存算一体可以彻底解决「存储墙」问题，但该技术产品的成熟和量产还遥遥无期。在这样的情况下，3D DRAM 成为了一个 HBM 之后的不错选择。目前，各大内存芯片厂商，以及全球知名半导体科研机构都在进行 3D DRAM 的研发工作，并且取得了不错的进展，距离成熟产品量产不远了。据首尔半导体行业
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据国外媒体Xtech Nikkei报道，日本存储芯片巨头铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知，在所有的电子产品中，NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展，以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨，堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后，NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
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3D NAND 集邦咨询
从目前公开的DRAM（内存）技术来看，业界认为，3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一，是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工？如何解决尺寸限制等行业技术痛点？大厂布局情况？如何理解3D DRAM？DRAM（内存）单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成，其中，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
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