即将普及的碳化硅器件

　　专家指出，对于耗电大户的信息业的数据中心，目前采用SiC器件在一年内可收回投资。

　　目前影响SiC晶体管量产的两个因素是其动态电阻稍大和氧化层的可靠性。前者是由于SiC晶体管沟道移动性低，后者则可影响到晶体管的可靠性。

　　SiC衬底市场

　　SiC器件的基础材料是SiC衬底。决定SiC器件能否普及的是器件价格。影响价格的是器件成品率。而器件成品率受到衬底质量的制约。2009年世界最大的SiC衬底厂商美国Cree公司，已可批量生产高质量6英寸SiC衬底。2008年起，Cree公司已可量产无中空贯穿缺陷(微管)的SiC衬底。从2008年5月开始，其微管基本为零的4英寸衬底能批量供应。日本新日本制铁2008年也生产出同样基本无微管缺陷的4英寸衬底。

　　在SiC衬底市场方面，美国Cree公司垄断了优质SiC衬底的供应。2007年起，该公司在市场上供应2至3英寸基本上无微管的衬底。2008年其位错为每平方厘米5千个。2009年将提供6英寸基本上无微管的衬底。其次是德国SiCrystal公司和日本新日铁公司。SiCrystal2008年可提供基本上无微管的3英寸SiC衬底，其位错为每平方厘米2千个;新日铁目前拥有每平方厘米1个微管的3英寸SiC衬底，其位错为每平方厘米5千个至2万个，2009年稍晚些可推出4英寸SiC衬底。第3梯队产品质量一般，有日本东纤-道康宁合资公司和中国天科合达蓝光半导体公司。天科合达蓝光公司在出售2英寸SiC衬底基础上，2008年第3季度又推出了3英寸SiC衬底，其每平方厘米微管数量在50个以下。据Yolu发展公司的统计和预测，2005年至2009年SiC器件市场的年增长率为27%，2010年至2015年的年增长率为60%至70%。

　　有关专家指出，我国天科合达蓝光公司进入SiC衬底市场影响巨大。其将迅速降低国际市场上SiC衬底的售价，从而推动SiC器件的更快普及。我国有关部门应进行支持，促进SiC器件在国内的应用，而不要使其只为国外厂商，特别是日本厂商，做廉价原料的供应商。