台积电公布16纳米与10纳米制程计划

　　10纳米制程节点

　　台积电的16纳米制程技术预定今年夏天量产，该公司也公布了众所瞩目的10纳米制程计画;10纳米制程的逻辑闸密度会是16纳米制程的2.1倍，速度提升 20%，功耗则降低40%。台积电展示了采用10纳米节点的256MByte容量SRAM，预计10纳米节点将在2016年底开始生产，并透露有10家以 上的夥伴正进行不同阶段的设计。

　　“我们认为10纳米将会是持久技术节点，台积电也将加速10纳米制程进度，我认为这对产业界来说是一个很不错的征兆;”Jones表示：“随着10纳米节点加速进展──他们可能最后会迈向8纳米节点──台积电将拉近与英特尔(Intel)的差距，我认为台积电运势正好。”

　　Jone指出，台积电已经在16纳米以及10纳米技术投资115亿至120亿美元，这意味着该公司必须要有客户到位;为了强化10纳米制程的承诺，台积电将在2016年第二季进行一座新晶圆厂的10纳米制程设备装机，并将在本季在一座现有晶圆厂移入10纳米设备。

　　英特尔将会是台积电在10纳米制程节点的主要竞争者，前者预期在接下来10~18个月量产10纳米制程;而两者之间的竞争重点或许不在于量产时程，而是英特 尔的设计实力以及制造技术方面的问题。“还不清楚谁会在16/14纳米制程领先，但我认为台积电正积极尝试在10纳米节点超前;”Jone表示：“如果真是如此，台积电追上了英特尔，届时就要看台积电的10纳米与英特尔的10纳米是否相同。”