东芝推出40V电压功率MOSFET“U-MOSIX-H”系列

　　东芝公司旗下的半导体&存储产品公司今天宣布推出40V电压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比东芝传统的U-MOS VI-H系列，新系列减少了76%的导通电阻，实现业界顶级的低导通电阻[1]。此外，它还减少了Qoss[2]的增加，从而提高开关电源的效率。样品出货即日起启动。

　　注：

　　·[1]截至2014年11月4日。东芝调查。

　　·[2]Qoss：输出电荷。

　　主要特性

　　·业界顶级的低导通电阻：0.85mΩ(最大值)

　　·业界顶级的低RDS(ON)・Qoss：60mΩ・nC

　　应用

　　适用于服务器和电信基站的高效开关电源

　　主要规格