等离子处理提高65nm逻辑器件可靠性 作者： 时间：2009-05-20 来源：网络 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 收藏 <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a635e61e&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a576c0a2&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 沉浸和预处理时间的影响 为了进一步了解NH3等离子预处理对器件电学性质的作用，作了一些实验研究沉浸（NH3和N2）和预处理（NH3）时间对VBD性能的影响。 实验结果显示，沉浸和预处理总时间增加时，击穿电压大大提高（图6），这可能是因为Cu/SiN界面的改善，与Cu/SiN界面上C和O含量的减少是一致的。 上一页 1 2 3 4 5 下一页
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