等离子处理提高65nm逻辑器件可靠性 作者： 时间：2009-05-20 来源：网络 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 收藏 <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a635e61e&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a576c0a2&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 等离子预处理作用 为了了解等离子处理对Cu/SiN界面的作用，在PECVD系统中于淀积SiN体薄膜前有和没有预处理情况下淀积SiN薄膜。通过用SIMS测量Cu和SiN界面污染，研究等离子预处理的作用。实验数据说明，淀积SiN体薄膜前用NH3处理可显著减少Cu和SiN界面处的O和C含量（图3）。增加预处理时间也可使O和C含量减少，见图4和图5，这表明NH3预处理是去除有机污染和减少到Cu的Cu-O的有效方法。 上一页 1 2 3 4 5 下一页
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