富士通加入软银-英特尔Saimemory项目，打造HBM替代方案

这项耗资5200万美元的开发项目目标是在本世纪末前完成批量生产。 

软银将向Saimemory出资2000万美元。富士通和日本理研国立研究院将出资700万美元。日本政府预计还将补贴部分费用。

Saimemory旨在开发存储容量为HBM的2到3倍，且功耗减半且价格相当或更低的内存。

它将使用英特尔和东京大学的知识产权和专利。新兴电气工业和Powerchip半导体负责制造和原型制作。英特尔将提供由DARPA资助开发的堆叠技术。

Saimemory的方法是利用新颖的互联技术堆叠标准DRAM芯片。

另一家采用相同方法的公司是NEO Semiconductor，而上周，英伟达向Groq支付了200亿美元，开发了AI推理集成电路技术，消除了对高密度磁体的必要。