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半导体模块的结构特点及特殊设计要求

作者: 时间:2011-03-18 来源:网络 收藏

本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/179429.htm

表1 常用绝缘材料及其

材料名称 热导率W/m℃(25℃) 线膨胀系数10-6/℃(25~400℃) 绝缘强度kV/mm(25℃) 电阻率Ω·cm(25℃)
Al2O3 24~28 7.3 10 >1014
BeO 250~300 8 10 >1014
AlN 120~270 5.0 ≥15 >1012
DCB 7.4(150~200℃) 10 >1014
Al2O3作为绝缘导热材料早期广泛应用于焊接式,是小电流焊接式通常采用的材料,由于采用Al2O3金属化片组装的模块各层之间的热膨胀系数相差很大,故在各层之间产生了较大的应力,现在已逐渐被DCB瓷片所取代。

BeO作为绝缘导热材料早期广泛应用于压接式模块,是4种材料中热导率最高的材料,但由于它具有毒性,而且价格较贵,故现在很少采用。

高性能AlN的热导率接近于BeO,作为取代BeO的优选材料,现广泛应用于压接式电力模块中。

DCB瓷片是通过的工艺将铜箔烧在陶瓷基片上(常用的陶瓷基片材料为Al2O3)上。它的是热膨胀系数与硅片接近,利用它制作小电流模块时可以节省玻璃钝化芯片的下钼片,不仅减少了材料,同时还降低了材料的热阻和接触热阻,因此,它广泛应用于焊接式模块中。

综上所述,可用于模块中的绝缘导热材料的性能有很大的差异,因此,采用不同的绝缘材料组装的同一的模块,其热学性能就会有很大的差异,从而导致允许通过的电流容量不同。所以,为了保证模块的性能,现在国际上通常在焊接式模块中采用DCB瓷片,压接式模块中采用AlN瓷片作为绝缘导热材料。

4 芯片的

由于模块化是将多只芯片封装在一只外壳内,因此其性能要尽可能地保持一致。

采用陶瓷片虽然解决了绝缘问题,但其导热性能不怎么理想,就是导热性最好的材料BeO的热导率与铜的热导率相比也差很多,所以,模块的热阻比分立式器件的大很多,而模块又是采用单面散热,因此,只能通过增大芯片的面积或降低芯片的功耗来弥补其缺点。这就模块芯片的通态压降要尽可能的低才能满足要求。

5 选用模块需要注意的事项

不同厂家生产的模块因其和工艺的不同,其产品的技术指标会有很大的差别,特别是一些不具备能力和检验手段的小厂,其生产的模块的质量更是无法保证,因此,在选用时需要特别注意以下几点。

1)绝缘材料的选取

由于不同绝缘材料的热导率有很大的差别,其价格也相差很大,因此,导致不同厂家生产的同一外型的模块,其实际允许通过的电流容量存在很大的差异。

2)芯片的选取

为了保证模块达到额定电流的容量,首先,要保证芯片的通态压降;其次,要保证芯片的电流密度,即芯片的直径。芯片是密封在外壳内的,直径是无法看到的,只有通过测试通态压降等参数才能了解芯片的性能。

3)焊接模块的焊接孔洞

影响焊接模块质量的主要因素是模块的焊接质量,特别是焊接孔洞和虚焊的发生,将严重影响产品的导热和导电性能。其产生的主要原因是焊接过程中助焊剂产生的气泡没有排出去,残留在焊接面内,形成孔洞;或者在焊接前对焊接面的清洗不净,导致虚焊等。

4)模块基板的形状与接触热阻

模块的热量要通过模块的基板传导出去,因此,模块基板与散热器接触的好坏,即模块基板与散热器的接触热阻,直接影响模块的散热效果;焊接模块在生产过程中如果工艺不合理,其模块的基板通常会产生中间向上凹的现象,因此,当将模块固定在散热器上时,模块的中间部分不能与散热器和很好接触,使散热器不能充分发挥作用,导致模块无法通过额定电流,通过很小的电流就会烧毁。

5)模块电流容量的误区

目前,国外商品化的臂对式晶闸管模块最大的仅有500A,整流管模块最大的为700A,而国内模块有越做越大的趋势,甚至做到几千A。从热学上考虑,由于模块是单面散热,若模块的电流容量做得过大,其消耗的功率必将增大,当模块的电流容量达到一定的数值时,需要模块及散热器的热阻非常小,这采用常规的散热方法是无法达到的;特别是对于大电流模块,用于散热的基板面积很大,要保证模块基板的整个平面与散热器具有良好的接触单靠模块的几个紧固螺栓是很难达到的,如若接触不良或局部接触不上,模块与散热器的接触热阻将增加几倍或几十倍以上,模块电流容量将大大下降。所以,某些模块虽然标称几千A,而在实际应用中是很难达到其标称额定电流容量的,因此,模块并不是电流越大越好。


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