新内存芯片材料实现速度高于闪存千倍

　　北京时间12月12日消息，据国外媒体报道，由IBM、旺宏(Macronix)和奇梦达(Qimonda)等企业组成的研发团队近日表示，已开发出能制造高速“相变(phase-change)”内存的材料；与当前常用的闪存相比，相变内存运行速度高于前者500~1000倍，能耗也将大幅度降低。 
　　据悉该新型材料为复合半导体合金。IBM纳米科学部门资深经理斯派克