美光：未来NAND Flash不求市占率但求低成本

　　由于智能型手机等行动装置应用驱动NANDFlash需求成长，加上日本强震造成东芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供货锐减50%，美光(Micron)看好NANDFlash产业将持续供不应求，除与英特尔(Intel)合资新加坡厂取得多数股权和产能，未来不排除再扩大NAND Flash产能，可行方案包括释出代工权给华亚科生产，或是启动新加坡二厂。美光指出，未来NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。

　　美光日前摆脱合作伙伴英特尔不愿再投资NANDFlash产业阴霾，双方宣布共同投资30亿美元，启动新加坡12寸晶圆厂IMFS(IM Flash Technologies Singapore)，且美光为确保获得多数产能，对该座厂房投资比重高于英特尔，未来可获得较多产能分配。

　　值得注意的是，2011年初传出美光与台塑针对NANDFlash技术授权华亚科生产一事进行谈判，但最后双方未达共识，但对于美光是否会释出NANDFlash代工权给华亚科，业界讨论不断。美光企业发展副总裁MichaelSadler表示，目前无法让华亚科代工NANDFlash，主要是受限于其与英特尔之间合约，规定NANDFlash技术不能转移到其它晶圆厂生产，但对于未来授权NANDFlash技术给华亚科的可能性，仍是保持开放空间和态度。

　　Sadler亦表示，美光要增加NANDFlash产能，另一个选项就是启动新加坡二厂，亦即现有新加坡晶圆厂旁边空地。然存储器业者认为，启动新加坡二厂所需资金恐相当高，英特尔不一定会再投资，若美光想快速扩大NANDFlash产能，让华亚科代工是最快方式。

　　过去华亚科13万片12寸晶圆产能主要是支持DRAM生产，但DRAM需求成长受限，华亚科已改弦易辙，生产MobileRAM和Server DRAM，调拨部分12寸产能给NAND Flash，会是美光取得更多NAND Flash产能最快捷径。

　　目前美光和英特尔在美国有2个策略联盟晶圆厂，分别位在维吉尼亚州Manassas厂和犹他州Lehi厂，双方亦在新加坡合资晶圆厂，因此，未来美光NAND Flash技术若要技转给其它代工厂，必须先获得英特尔首肯。

　　另外，相较于三星电子(Samsung Electronics)和东芝在NAND Flash产业市占率都高达35%左右，美光市占约维持在10~12%。美光强调，在NAND Flash产业中，其目标不会去追求全球第1，而是要求全球成本最低、最快速把产品推到市场上，如今25纳米制程已是产业最基本竞争门槛，下一轮战争将是在20纳米制程上。