- 如何开发出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同时容量更大的闪存产品，这是美光研发工程师每天都要应对的挑战。随着各国对数字化转型和云迁移的重视，世界对存储容量和性能的要求越来越大。美光正在迎接这一创新变局。这些变化体现在异构计算、边缘计算、数据中心、金融系统实时大数据更新，以及移动设备、消费电子、汽车信息娱乐系统带来智能化沉浸式体验。美光232层NAND技术为这些高性能存储应用环境提供了可能。优秀的架构，高效优化存储颗粒的使用空间和密度 美光推出的全球首款232层NAND基于CuA架构，通过增加NAN
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美光 232层 NAND 存储技术
- 专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 分销商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Silicon Labs ZGM230S Z-Wave® 800系统级封装 (SiP) 模块。该系列产品是基于Silicon Labs低功耗Wireless Gecko平台的新一代Z-Wave 800器件，可帮助工程师快速开发高能效、可远程互操作的Z-Wave网状网络解决方案，并运用于各类智能家居物联网 (IoT) 设备，包括智能家居控制中心
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贸泽 Silicon Labs Z-Wave 800 SiP模块
- 根据集邦科技研究显示，目前NAND Flash正处于供过于求，下半年起买方着重去化库存而大幅减少采购量，卖方开出破盘价以巩固订单，使第三季NAND晶圆（wafer）价格跌幅达30～35％，但各类NAND Flash终端产品仍疲弱，原厂库存因此急速上升，预期将导致第四季NAND Flash总体平均价格跌幅扩大至15～20％。集邦表示，因为需求低迷导致NAND Flash下半年价格大跌，多数原厂的NAND Flash产品销售也将自今年底前正式步入亏损，意即部分供货商在运营陷入亏损的压力下，对于采取减产以降低亏
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集邦 NAND Flash
- 市调机构表示，在高通胀影响下，消费性产品需求疲软且旺季不旺，第三季DRAM位消耗与出货量持续呈现季减，各终端买方因需求明显下滑而推迟采购，导致供货商库存压力进一步升高。同时，各DRAM供货商为求增加市占的策略不变，市场上已有「第三、四季合并议价」或「先谈量再议价」的情形，导致第四季DRAM价格续跌13％～18％。标准型DRAM方面，由于笔电需求疲弱，OEM厂仍将着重去化DRAM库存，而DRAM供应端在营业利益仍佳的前提下，未有实际减产情形，故位产出仍持续升高，供货商库存压力日益明显。以DDR4与DDR5来
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集邦 DRAM NAND
- IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，苹果召开新品发布会，正式发布了 iPhone 14 系列手机，起价 5999 元。在此之前，韩媒消息称中国厂商长江存储已经进入苹果供应链，将供货 iPhone 14 系列 NAND 闪存。后续苹果也承认正考虑从长江存储采购 NAND 芯片，但仅会用于在中国销售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，苹果高度依赖三星电子、SK 海力士等韩国存储芯片厂商。因此，市场观察人士认为，苹果与长江存储合作，将使他们 NAND 闪存的供应商进一步
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iPhone 14 NAND 长江存储
- 根据市场研究机构TrendForce最近发布的报告显示，在2022年二季度全球NAND Flash闪存市场中，三星电子与SK海力士拿下了全球52.9%的市场份额。根据数据显示，2022年二季度三星电子NAND销售额为59.8亿美元，环比下滑5.4%，排名第一。SK海力士因为对英特尔NAND闪存业务收购的完成，2022年二季度销售额位36.15亿美元，环比增长12.1%，超越了铠侠，成为了全球第二大NAND闪存厂商，两家韩国厂商已经那拿下了全球NAND市场52.9%的份额。
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NAND 内存
- 江波龙（股票代码：301308）近期发布了中国大陆首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。FORESEE 512Mb SPI NAND Flash由江波龙完全自主研发，能够极大地帮助客户降低整机系统成本，并提升终端的产品竞争力。目前，FORESEE 512Mb SPI NAND Flash已全面量产，在智能穿戴、物联网模块、安防监控、网络通讯等领域得到广泛应用。加量减价，降本与增效兼得替换256Mb以上大容量SPI NOR Flash的上佳选择根据系统存储容量需求的不同，客
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江波龙 NAND
- 据国外媒体报道，当前全球最大的存储芯片制造商三星电子，预计会在年内开始生产236层NAND闪存。此外，它还计划在本月开设一个新的研发中心，负责更先进NAND闪存产品的开发。韩国媒体在报道中还表示，三星目前量产的NAND闪存，最高是176层，在236层的产品量产之后，三星电子NAND闪存的层数就将创下新高。从韩国媒体的报道来看，三星电子对即将量产的236层NAND闪存寄予了厚望。他们在报道中就表示，在NAND闪存市场，三星电子的市场份额占了35%，为全球最高。将层数增加60层后，他们计划凭借生产技术、价格及
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三星 NAND 闪存
- 半导体行业十分有趣，同时也充满挑战。俗话说，“打江山难，守江山更难”，这句话形容半导体行业十分贴切。我们需要顶住重重压力，不断突破物理、化学、制造和创新的极限，以推动逻辑、内存、存储等计算器件的发展。如何开发出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同时容量更大的闪存技术是我们每天都要应对的挑战。美光凭借3D NAND新技术与率先推出的新产品再攀高峰，借此机会让我们回顾美光取得的辉煌成就。 美光一直以来被公认为3D NAND技术的领导厂商，之前我们推出了业内首款176层替换栅极NAND技术，再次
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美光 232层 NAND
- 要点： 第一代骁龙®8+为三星最新旗舰折叠屏智能手机三星Galaxy Z Flip4和Z Fold4在全球提供支持。 高通技术公司全新旗舰移动平台第一代骁龙8+实现能效和性能双突破，带来全面提升的极致终端侧体验。 两款产品均支持5G毫米波[1]，能够带来最快的商用5G网络速率；同时还采用高通FastConnect™ 6900移动连接系统，凭借顶级Wi-Fi 6/6E对6GHz[2]频段的支持和先进的蓝牙特性，提供极速连接，确保用户所需的高效生产力和连接能力。&nb
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骁龙8+ 三星 Galaxy Z
- 根据集邦科技指出，2023年DRAM市场需求位成长仅8.3％，是历年来首度低于10％，远低于供给位成长约14.1％，分析至少2023年的DRAM市况在供过于求的情势下仍相当严峻，价格恐将持续下滑。至于NAND Flash仍是供过于求，但价格下跌应有助于搭载容量提升。从各类应用来看，高通膨持续冲击消费市场需求，故优先修正库存是品牌的首要目标，尤其前两年面对疫情造成的上游零组件缺料问题，品牌超额下订，加上通路销售迟缓，使得目前笔电整机库存去化缓慢，造成2023年笔电需求将进一步走弱。标准型PC DRAM方面，
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集邦 DRAM NAND
- 自从苹果第以环保的名义取消iPhone随机充电头之后，一众安卓厂商也纷纷效仿。其中就有三星。但在一些国家，还是不得不附赠出电器。最新消息显示，三星在巴西销售Galaxy Z Fold 4 和 Galaxy Z Flip 4的包装内将会提供充电器。据根据爆料人士Abhishek Yadav 透露的截图信息，近日型号为“SM-F936B/DS”的 Galaxy Z Fold 4 双卡版本和型号为“SM-F721B”的 Galaxy Z Flip 4 单 SIM 卡版本通过了巴西监管机构 ANATEL 的认证。
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巴西 Galaxy Z Fold 4
- Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布已量产全球首款 232 层 NAND。它采用了业界领先的创新技术，从而为存储解决方案带来前所未有的性能。与前几代 NAND 相比，该产品拥有业界最高的面密度和更高的容量及能效，能为客户端及云端等数据密集型应用提供卓越支持。 美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 层 NAND 率先在生产中将 3D NAND堆叠层数扩展到超过 200 层，
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美光 232层 NAND
- 芯研所7月22日消息，TrendForce集邦咨询表示，需求未见好转，NAND Flash产出及制程转进持续，下半年市场供过于求加剧，包含笔记本、电视与智能手机等消费性电子下半年旺季不旺已成市场共识，物料库存水位持续攀升成为供应链风险。因渠道库存去化缓慢，客户拉货态度保守，造成库存问题漫溢至上游供应端，卖方承受的抛货压力与日俱增。芯研所采编TrendForce集邦咨询预估，由于供需失衡急速恶化，第三季NAND Flash价格跌幅将扩大至8~13%，且跌势恐将延续至第四季。按照供应链的说法，虽然仍
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NAND SSD 存储
- NAND Flash制造商一直试图通过增加每个单元存储的位数来提高其存储设备的存储密度，据外媒报导，近日铠侠表示，公司一直在试验在一个单元中存储更多比特数的NAND Flash闪存。据报道，近日铠侠表示，已设法在每个单元中存储7 Bits (7 bpc)，尽管是在实验室和低温的条件下。 为了使存储密度更高，存储电压状态的数量将随着每个单元存储Bits的增加呈指数增长。例如，要存储4位，单元必须保持16个电压电平 (2^4)，但使用6位，该数字会增长到64(2^6)。而铠侠实现的每个单元
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SSD NAND Flash 铠侠
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