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z-nand 文章

第二季NAND Flash品牌厂营收季成长8%,第三季价格续扬

  •   集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,今年第二季整体NAND Flash市况持续受到供货吃紧的影响,即便处于传统NAND Flash的淡季,各产品线合约价平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手机与平板计算机内的eMMC/UFS以及SSD合约价仍持续小涨,2017年将是NAND Flash厂商营收表现成果丰硕的一年。   DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出,由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面临微缩限制,NAND Flash原厂纷纷转进垂直堆栈
  • 关键字: NAND  东芝  

DIGITIMES:声光暂掩的大陆半导体产业发展近况

  •   开年以来大陆半导体产业发展似乎进入沉潜期。首先是年初长江存储CEO杨士宁郑重发布新闻稿澄清,表示从未发表过32层3DNANDFlash今年量产的消息。接下来是中芯国际董事长周子学表达的大陆半导体产业发展“三步走”(注1),指出要花至少15年的时间,大陆才能发展出比较有市场竞争力的企业主体。再来是最近紫光集团表示,由于长江存储的存储器芯片工厂专案投资规模过大,目前尚处于建设初期,短期无法产生销售收入,时机不成熟,停止收购长江存储的股份。虽然似乎大陆整个半导体产业持续其发展动能,但
  • 关键字: 摩尔定律  NAND  

三大内存创最缺且涨势最久纪录,手机品牌包产能

  •   DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大内存会一直缺货到明年,许多客户抢货,已包下南亚科、旺宏和华邦电全部产能。 业界指出,未签订长约的客户,内存供货将短缺,冲击产品上市或出货时程。   集邦、IC Insight等研究机构最近纷纷出具报告,强调DRAM、NAND Flash到年底都处于缺货状态;NOR Flash更因美系二大供货商淡出效应在下半年显现,缺货问题更严重。   业界表示,三大内存应用范围广,尤其NOR Flash几乎是各电子产品储存程序代码关键组件,虽然单价远比DRAM
  • 关键字: NAND  DRAM  

各家争鸣存储器技术标准 储存技术之争再掀战火

  •   在2017年快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit)上,可见各主要NAND Flash供应商持续推出更新式存储器芯片以期能主导竞争优势,几乎各主要供应商也都在谈论简化Flash储存系统内建软件的必要性,以减少应用在资料中心时出现的延迟问题,以及试图定义固态硬盘(SSD)全新尺寸标准,另值得注意的是,本届大会上甚至连主要硬盘(HD)制造商,都已几乎不在主题演说中提及硬盘相关技术资讯或发展趋势。   根据科技网站EE Times报导,在本届大会上,三星电子(Samsung Electr
  • 关键字: 存储器  NAND  

3D NAND究竟出了什么问题?

  • 3D NAND比平面NAND更昂贵,但大家都期待它将有助于快速地降低NAND的成本,以及取代平面NAND,这是为什么呢?
  • 关键字: 3D NAND  存储器  

具有划时代意义的芯片汇总,赛灵思FPGA和东芝NAND闪存在列

  •   对大多数人来说,微芯片是一些长着小小的金属针,标着看似随机的字母或数字的字符串的黑盒子。但是对那些懂的人来说,有些芯片就像名人一样站在红毯上。有许多这样的集成电路直接或间接地为改变世界的产品赋能,从而得到荣耀,也有一些芯片对整个计算环境造成了长期的影响。也有一些,它们的雄心壮志失败后成为警世的故事。  为了纪念这些伟大的芯片,并讲述它们背后的人和故事,IEEE Spectrum 制作了这个“芯片名人堂”(Chip Hall of Fame)。登堂的是7
  • 关键字: FPGA  NAND  

1Tb V-NAND内存即将面世

  •   三星计划在明年推出容量达1-Tbit的V-NAND芯片,以及采用其现有芯片的高密度固态硬盘。   三星(Samsung)计划明年推出容量达1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND,以及采用其现有芯片的高密度固态硬盘(SSD)。 该公司并表示,去年发表的Z-NAND产品也开始出样,据称这款产品能够达到媲美或超越英特尔(Intel) 3DXP内存的低延迟能力。   三星的Tbit NAND可支持高达每秒1.2Gbits的数据速率,并在一个堆栈32颗裸晶的封装中支持高达4
  • 关键字: V-NAND  NVMe  

三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒 容量高达1Tb

  •   相较于2.5寸SATA,M.2的SSD有着非常明显的体积优势,如果总线走PCIe,速度上更是完爆。   在旧金山的闪存峰会上,三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒,容量高达1Tb,用于消费级产品。   三星表示,今后的2TB 3D闪存SSD产品将使用上这一新品,即一整颗芯片封装16Tb Die,继续减小体积。   如此精巧之后,连传统M.2 2242(NGFF)的电路板型都用不到了,三星据此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 标准。   其
  • 关键字: 三星  V-NAND  

东芝传计划砸1兆日元建新厂、增产3D NAND

  •   日刊工业新闻7日报导 ,为了提高3D架构的NAND型闪存(Flash Memory)产能、以因应三星电子等竞争对手加快扩产脚步,东芝(Toshiba)将进一步祭出增产投资,计划在日本岩手县北上市兴建新工厂,该座新厂预计于2018年度动工、 2021年度启用,总投资额将达1兆日圆的规模。 东芝目前已在四日市工厂厂区内兴建3D NAND专用厂房「第6厂房」。   该座3D NAND新工厂兴建计划由东芝半导体事业子公司「东芝内存(Toshiba Memory Corporation、以下简称TMC)」负责
  • 关键字: 东芝  NAND  

存储器分类汇总,DRAM/EPROM/NAND FLASH这些行业名词你真的知道吗?

  •   RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM SRAM DRAM(下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM,random access memory(随机存取存储器)的缩写,下面是51hei.com为大家整理的目前所有的存储器的区别。  SRAM:静态随机存储器,就是它不需要刷新电路,不像动态随机存储器那样,每隔一段时间就要刷新一次数据。但是他集成度比较低,不适合做容量大的内存,一般是用在处理器的缓存里面。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做C
  • 关键字: DRAM  NAND   

半导体人才流失中国,三星呼吁韩国政府帮忙

  •   根据韩国英文媒体 《The Korea Times》 的报导,三星副总裁权五铉 (Kwon Oh-hyun) 日前就像韩国政府喊话,要韩国政府给予半导体产业更多的支持,以解决人才荒的问题。   报导中指出,目前是三星副总裁,也是领导三星显示器部门的权五铉,日前在一项公开演讲中指出,韩国的半导体产业自认为有其竞争的实力。 不过,却面临当当前半导体人才不足的问题。 权五铉进一步指出,半导体产业是第 4 次工业革命的重要基础,因此希望韩国政府能藉由科技培训的管道,持续为半导体与设备产业供应需要的人才。
  • 关键字: 三星  NAND   

解读:上半年中国固态硬盘市场发展现状

  •   受NAND Flash供货紧张影响,以及数据中心、企业、移动设备等领域SSD强劲需求,2017年上半年NAND Flash价格持续走高。根据ZDC统计,NAND Flash价格累计涨幅达26%,消费类每GB销售价格突破了0.3美金。        2017年上半年,中国市场智能手机、平板电脑等移动设备需求出现下滑,再加上NAND Flash的价格持续走高,高价压力下的SSD市场呈现一片低迷景象。但随着6月份需求旺季的到来,固态硬盘的关注度有所回升。       
  • 关键字: 固态硬盘  NAND   

ICinsights:DRAM、NAND售价已暴涨一年

  •   IC Insights的报告显示,DRAM及NAND Flash售价已经连续四个季度上涨。    不过因为原厂纷纷提出扩产计划,IC Insights稍早忧心忡忡认为,未来几年包括三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西部数据、武汉新芯、长江存储,都大举提高3D NAND Flash产能,大陆还有新建厂商也会加入战场,3D NAND Flash产能供过于求的可能性相当高。     近期SK海力士宣布今年资本支出追加至86.1亿美元,进行3D NAND Flash和DRAM两大内存
  • 关键字: DRAM  NAND  

NAND闪存供应短缺,三星斥资186亿美元投资芯片

  •   韩国三星电子有限公司本周二表示,计划在韩国投资至少21.4万亿韩元(约合186.3亿美元),以巩固其在内存芯片和下一代智能手机领域的领先地位。   作为世界最大的记忆芯片生产商,三星将在2021年前对位于平泽市的NAND闪存工厂投入14.4万亿韩元。此外,位于华城市的半导体生产线也将拿到6万亿韩元的投资。剩下的1万亿韩元,将分配给三星位于韩国的OLED屏幕工厂。同时,三星还计划为西安的NAND闪存生产基地添置一条新的生产线。   近年来,三星、东芝和SK海力士已投入了数百亿美元来推动NAND闪存的
  • 关键字: NAND  三星  

ICinsights:DRAM、NAND涨势第四季微幅逆转

  •   ICinsights认为,全球内存下半年价格上涨动能可能减缓,包含DRAM与NAND闪存均是如此。   尽管涨势减缓,但DRAM与NAND今年营收预料仍将创新高记录,这完全都是拜先前平均售价快速上涨之赐。 以DRAM为例,DRAM平均售价今年预估年涨幅高达63%,此为1993年有记录以来之最。   内存价格从去年第三季起涨,ICinsights预期动能可能持续至2017年第三季,第四季可能微幅转负,为这波正向循环划下休止符。   ICinsights指出,随着价格走扬,内存制造商也再次增加资本投
  • 关键字: DRAM  NAND  
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