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z-nand 文章

关于NAND闪存颗粒 你必须知道这些事儿

  •   随着近段时间以来,固态硬盘、内存条甚至优盘等存储设备的大幅度一致性涨价,影响着存储设备涨价的背后关键性元件闪存颗粒,开始浮出水面,被越来越多的业内人士,反复解读。   那么,在价格上起着关键性因素的闪存颗粒到底是什么?闪存颗粒和存储设备的价格上涨又有什么关系?2D NAND和3D NAND闪存颗粒之间又有哪些区别?下面,我们一起来聊聊NAND闪存颗粒这些年。   闪存颗粒的释义及厂商   闪存颗粒,又称闪存,是一种非易失性存储器,即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据,而且是以固定的区块为单
  • 关键字: NAND  存储器  

大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系统中的应用

  • 随着嵌入式系统产品的发展,对存储设备的要求也日益增强。文章以东芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00为例,阐述了NAND Flash的基本结构和使用方法
  • 关键字: Flash  NAND  02A  1FT    

2017年中国将推自主生产3D NAND闪存,32层堆栈

  •   摘要:由于智能手机、SSD市场需求强烈,闪存、内存等存储芯片最近都在涨价,这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中,存储芯片是最优先的,也是全国各地都争着上马的项目,其中国家级的存储芯片基地在武汉,投资超过240亿美元,之前是新芯科技主导,现在已经变成了紫光公司主导,预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存,而且是32层堆栈的,起点不算低。   2015年中,国家级存储芯片基地确定落户武汉市,由武汉新芯科技公司负责建设,今年3月份12寸晶圆厂正式动工,整个项目预
  • 关键字: SSD  3D NAND  

如何将“坏块”进行有效利用

  •   被广泛应用于手机、平板等数码设备中的Nand Flash由于工艺原因无法避免坏块的存在,但是我们可以凭借高科技变废为宝,将“坏块”进行有效的利用,从而满足我们的应用需求,让坏块不“坏”。   要想变废为宝,有效利用坏块。我们首先要弄明白什么是“坏块”,做到知己知彼,才能为我所用。坏块的特点是当编程或者擦除这个块时,不能将某些位拉高,从而造成编程和块擦除操作时的错误,这种错误可以通过状态寄存器的值反映出来。这些无效块无法确定编程时
  • 关键字: Nand Flash  寄存器  

2017年中国将推自主生产32层堆栈3D NAND闪存

  •   由于智能手机、SSD市场需求强烈,闪存、内存等存储芯片最近都在涨价,这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中,存储芯片是最优先的,也是全国各地都争着上马的项目,其中国家级的存储芯片基地在武汉,投资超过240亿美元,之前是新芯科技主导,现在已经变成了紫光公司主导,预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存,而且是32层堆栈的,起点不算低。        2015年中,国家级存储芯片基地确定落户武汉市,由武汉新芯科技公司负责建设,今年3月份12寸晶圆
  • 关键字: 3D NAND  

大陆发展存储器大计三箭齐发 明年推首颗自制3D NAND芯片

  •   大陆发展3D NAND、DRAM、NOR Flash存储器大计正如火如荼地展开,初步分工将由长江存储负责3D NAND及DRAM生产,武汉新芯则专职NOR Flash和逻辑代工。2016年底长江存储将兴建首座12吋厂,最快2017年底生产自制32层堆叠3D NAND芯片,尽管落后目前三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)技术约2个世代,然大陆终于将全面进军NAND Flash领域。   尽管大陆并未赶上NAND Flash存储器世代,但在存储器技术改朝换代之际,大
  • 关键字: 存储器  NAND  

基于ZigBee协议的温湿度监测系统设计与实现

  • 环境温湿度是影响工农业生产的重要因素,而传统的温湿监测系统多以人为主体,不仅费时费力,且在某些监测系统中,危险系数也较高。近年来,通过无线传感器网络对工农业生产环境实时地监测、监控已成为行业研究的热点
  • 关键字: ZigBee  CC2530  RFX2401C  Z-stack-2007协议栈  SHT71  温湿度  

NAND FLASH扇区管理

  • 首先需要了解NAND FLASH的结构。如图:以镁光MT29F4G08BxB Nand Flash为例,这款Flash(如上图)以4个扇区(sector)组成1个页(page),64个页(page)组成1个块(block),4096个块(block)构成整个Flash存储器;由于每个扇区
  • 关键字: Flash  NAND  扇区管理  

西数超车三星电子或点燃NAND价格战

  •   全球硬盘机大厂Western Digital(WD)和日厂东芝(Toshiba)合作,打算超车三星电子,抢先生产64层3D NAND Flash。不过外资警告,要是WD和东芝真的追上三星,三星可能会扩产淹没市场,重创NAND价格。   巴伦(Barronˋs)11日报道,Jefferies & Co.的James Kisner表示,WD和东芝计划抢在三星之前,生产64层3D NAND flash,此举可能导致三星扩产还击。报告称,当前三星在业界握有主导权,将密切关注WD/闪迪(WD去年收购了
  • 关键字: 西数  NAND  

第四季NAND Flash缺货状况更明显 价格续扬

  •   TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange)最新调查显示,在智能手机及各种固态硬盘的强劲需求下,第四季NAND Flash缺货的情况较第三季更明显,NAND Flash wafer与卡片价格将持续上涨至年底的趋势确立,eMMC/eMCP与固态硬盘的价格也呈现上涨,预期第四季NAND Flash业者营收及利润将较第三季更为出色。   DRAMeXchange研究协理杨文得表示,下半年NAND Flash市况逐渐转强的主要因素来自于智能手机需求的成长。虽然iPhone 7的销售
  • 关键字: NAND  服务器  

TrendForce:第四季NAND Flash缺货状况更明显,价格续扬

  •   TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示,在智能手机及各种固态硬盘的强劲需求下,第四季NAND Flash缺货的情况较第三季更明显,NAND Flash wafer与卡片价格将持续上涨至年底的趋势确立,eMMC/eMCP与固态硬盘的价格也呈现上涨,预期第四季NAND Flash业者营收及利润将较第三季更为出色。   DRAMeXchange研究协理杨文得表示,下半年NAND Flash市况逐渐转强的主要因素来自于智能手机需求的成长。虽然iPh
  • 关键字: TrendForce  NAND  

未来半导体业进入五大转折 新兴驱动力具独特优势

  • 未来半导体进入五大转折,包括逻辑芯片制程技术推进到10/7纳米;存储器推进到3D NAND Flash;因应芯片愈来愈小,制图成型依赖愈来愈高;移动设备导入OLED比重会愈来愈高以及大陆积极扶植半导体产业。
  • 关键字: NAND  AR  

基于ZigBee技术的智能家居系统内部网络设计

  • 摘要:采用TI公司推测出的无线SOC芯片CC2530作为ZigBee组网模块。整个系统由传感器组网部分、协调器控制、LCD显示部分构成,系统可以对多个传感器进行实时监控,当任一传感器在LCD上显示的数值超过预先设定的阈值时,
  • 关键字: ZigBee  Z―Stack  自组网  智能家居系统  

打破半导体存储器产业三强鼎立局面的机会何在?

  • 半导体存储器是一个高度垄断的市场,其三大主流产品DRAM,NANDFlash,NORFlash更是如此,尤其是前两者,全球市场基本被前三大公司占据,且近年来垄断程度逐步加剧。
  • 关键字: 存储器  NAND  

中国手机出货强劲 推动东芝营业利润预期上调一倍

  •   据外媒报道,东芝今天将截至9月份的上半财年营业利润预期上调一倍以上至700亿日元(约合6.95亿美元),此前预期为300亿日元。   受此消息推动,东芝股价在周三快速上涨,创下自去年10月以来的最高点。这是东芝第二次上调营业利润预期,该公司在今年5月份最初预计上半财年将营业亏损200亿日元。   智能机存储芯片的强劲需求推动东芝上调营业利润预期。另外,比东芝保守预期更为疲软的日元汇率也发挥了推动作用。   芯片需求的增长源于中国智能机出货量的强劲表现。尽管全球智能机市场表现乏力,但是中国智能机出
  • 关键字: 东芝  NAND  
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