- 三星计划在明年推出容量达1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其现有芯片的高密度固态硬盘。
三星(Samsung)计划明年推出容量达1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其现有芯片的高密度固态硬盘(SSD)。 该公司并表示，去年发表的Z-NAND产品也开始出样，据称这款产品能够达到媲美或超越英特尔(Intel) 3DXP内存的低延迟能力。
三星的Tbit NAND可支持高达每秒1.2Gbits的数据速率，并在一个堆栈32颗裸晶的封装中支持高达4
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V-NAND NVMe
- 相较于2.5寸SATA，M.2的SSD有着非常明显的体积优势，如果总线走PCIe，速度上更是完爆。
在旧金山的闪存峰会上，三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒，容量高达1Tb，用于消费级产品。
三星表示，今后的2TB 3D闪存SSD产品将使用上这一新品，即一整颗芯片封装16Tb Die，继续减小体积。
如此精巧之后，连传统M.2 2242(NGFF)的电路板型都用不到了，三星据此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 标准。
其
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三星 V-NAND
- 日刊工业新闻7日报导 ，为了提高3D架构的NAND型闪存(Flash Memory)产能、以因应三星电子等竞争对手加快扩产脚步，东芝(Toshiba)将进一步祭出增产投资，计划在日本岩手县北上市兴建新工厂，该座新厂预计于2018年度动工、 2021年度启用，总投资额将达1兆日圆的规模。 东芝目前已在四日市工厂厂区内兴建3D NAND专用厂房「第6厂房」。
该座3D NAND新工厂兴建计划由东芝半导体事业子公司「东芝内存(Toshiba Memory Corporation、以下简称TMC)」负责
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东芝 NAND
- RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM SRAM DRAM(下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM，random access memory(随机存取存储器)的缩写，下面是51hei.com为大家整理的目前所有的存储器的区别。 SRAM：静态随机存储器，就是它不需要刷新电路，不像动态随机存储器那样，每隔一段时间就要刷新一次数据。但是他集成度比较低，不适合做容量大的内存，一般是用在处理器的缓存里面。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做C
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DRAM NAND
- 根据韩国英文媒体 《The Korea Times》 的报导，三星副总裁权五铉 (Kwon Oh-hyun) 日前就像韩国政府喊话，要韩国政府给予半导体产业更多的支持，以解决人才荒的问题。
报导中指出，目前是三星副总裁，也是领导三星显示器部门的权五铉，日前在一项公开演讲中指出，韩国的半导体产业自认为有其竞争的实力。 不过，却面临当当前半导体人才不足的问题。 权五铉进一步指出，半导体产业是第 4 次工业革命的重要基础，因此希望韩国政府能藉由科技培训的管道，持续为半导体与设备产业供应需要的人才。
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三星 NAND
- 受NAND Flash供货紧张影响，以及数据中心、企业、移动设备等领域SSD强劲需求，2017年上半年NAND Flash价格持续走高。根据ZDC统计，NAND Flash价格累计涨幅达26%，消费类每GB销售价格突破了0.3美金。
2017年上半年，中国市场智能手机、平板电脑等移动设备需求出现下滑，再加上NAND Flash的价格持续走高，高价压力下的SSD市场呈现一片低迷景象。但随着6月份需求旺季的到来，固态硬盘的关注度有所回升。
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固态硬盘 NAND
- IC Insights的报告显示，DRAM及NAND Flash售价已经连续四个季度上涨。
不过因为原厂纷纷提出扩产计划，IC Insights稍早忧心忡忡认为，未来几年包括三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西部数据、武汉新芯、长江存储，都大举提高3D NAND Flash产能，大陆还有新建厂商也会加入战场，3D NAND Flash产能供过于求的可能性相当高。
近期SK海力士宣布今年资本支出追加至86.1亿美元，进行3D NAND Flash和DRAM两大内存
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DRAM NAND
- 韩国三星电子有限公司本周二表示，计划在韩国投资至少21.4万亿韩元(约合186.3亿美元)，以巩固其在内存芯片和下一代智能手机领域的领先地位。
作为世界最大的记忆芯片生产商，三星将在2021年前对位于平泽市的NAND闪存工厂投入14.4万亿韩元。此外，位于华城市的半导体生产线也将拿到6万亿韩元的投资。剩下的1万亿韩元，将分配给三星位于韩国的OLED屏幕工厂。同时，三星还计划为西安的NAND闪存生产基地添置一条新的生产线。
近年来，三星、东芝和SK海力士已投入了数百亿美元来推动NAND闪存的
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NAND 三星
- ICinsights认为，全球内存下半年价格上涨动能可能减缓，包含DRAM与NAND闪存均是如此。
尽管涨势减缓，但DRAM与NAND今年营收预料仍将创新高记录，这完全都是拜先前平均售价快速上涨之赐。 以DRAM为例，DRAM平均售价今年预估年涨幅高达63%，此为1993年有记录以来之最。
内存价格从去年第三季起涨，ICinsights预期动能可能持续至2017年第三季，第四季可能微幅转负，为这波正向循环划下休止符。
ICinsights指出，随着价格走扬，内存制造商也再次增加资本投
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DRAM NAND
- 韩国半导体产业发展风生水起。世界上最大的内存芯片供应商三星电子公司宣布，其在韩国平泽的新建半导体生产线已经开始量产。NAND闪存技术开发商SK海力士公司已经加入了一个同盟，将投标收购日本东芝的内存部门。今天，我们邀请到了韩国真好经济研究院的李仁喆(音译：이인철)先生，与他共同聊一聊韩国半导体产业的未来。首先，我们了解一下7月4日三星电子公司在平泽投产的半导体工厂的意义。
根据IT市场研究公司的数据，第一季度三星电子公司在NAND闪存市场上的份额为35.4%。 这个数字具有绝对优势，但平泽半导体厂
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半导体 NAND
- 这个时间点我们讨论NorFlash行业趋势与全年景气度，一方面是Nor厂商二季度业绩即将公布，而相关公司一季度业绩没有充分反映行业变化;另一方面是相关标的与行业基本面也出现了变化(如Switch超预期大卖以及兆易创新收到证监会反馈意见等)，同时我们调高AMOLED与TDDINor的需求拉动预期，详细测算供需缺口，以求对未来趋势定性、定量研究;
汽车电子与工控拉动行业趋势反转TDDI+AMOLED新需求锦上添花
1、汽车与工控拉动2016趋势反转
从各方面验证，2016年是NOR的拐点
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DRAM NAND
- 据韩联社报道，三星电子平泽工厂全球最大规模半导体生产线近日正式投产。三星电子将在该工厂生产第四代64位V-NAND，月产能可达20万片，并计划持续扩充生产设备，解决近年来全球半导体市场上供不应求的局面。
据了解，位于韩国京畿道平泽市的三星电子平泽工厂于2015年5月动工建设，日均投入1.2万名施工人员，耗时两年多建成全球最大的单一产品生产线。
三星宣布，至2021年为止，要对位于平泽市的NAND型快闪存储器厂房投入14.4万亿韩圜(约合125.4亿美元)，并对华城市新建的半导体生产线投入6
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三星 V-NAND
- 全球第 2 大 NAND 型快闪存储器厂东芝(Toshiba)28 日宣布，携手 SanDisk 研发出全球首款采用堆叠 96 层制程技术的 3D NAND Flash 产品，且已完成试样。该款产品为 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技术的产品，预计于 2017 年下半送样、2018 年开始进行量产，主要用来抢攻数据中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手机、平板电脑和存储卡等市场。
东芝今后也计划推出采用堆叠 96 层制程技术的
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- 64层堆栈的3D NAND正跨越较平面NAND更具成本效益的门坎，预计将在未来18个月内成为市场主流...
Western Digital(WD)内存技术执行副总裁Siva Sivaram日前指出，64层堆栈的3D NAND正跨越较平面NAND更具成本效益的门坎。
在最近接受《EE Times》的访问中，Siva Sivaram将64层3D NAND定义为一种「开创性技术」(seminal technology)，可望应用于WD逾50种产品线。 他预计今年WD约有一半的产品线都将采用3D
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- 三星电子 15 日宣布，最新 64 层 256GB V-NAND 闪存已进入量产，与此同时，三星还将扩展包含服务器、PC 与行动装置的储存解决方案。
64 层 V-NAND 闪存用称为第四代 V-NAND 芯片，南韩 ITtimes.com 报导指出，三星为稳固领先优势，打算于年底把第四代芯片占每月生产比重拉高至五成以上。
其实，三星今年 1 月已先为某关键客户，打造第一颗内含 64 层 V-NAND 芯片的固态硬盘(SSD)，自此之后，三星持续朝行动与消费型储存市场开发新应用，务求与 I
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