- NAND闪存芯片被三星、东芝、SK Hynix、美光、Intel等少数公司垄断，中国公司在此领域毫无话语权，甚至连收购、合作外资公司都没可能，想获得突破还得靠国产公司自立。紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工，2019年全速量产，预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。
长江存储科技前身是武汉新芯公司，该公司去年联合湖北省政府投资基金在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，
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NAND 东芝
- 市调机构集邦科技预期，今年储存型快闪存储器(NAND Flash)整年都将维持供应吃紧的情况，NAND Flash厂商业绩可望逐季攀高。
集邦科技调查，随着NAND Flash缺货达到高峰，产品平均售价走扬，加上终端出货畅旺，去年第4季NANDFlash产值达120.45亿美元，季增达17.8%，各NANDFlash厂获利也攀上去年高峰。
集邦科技指出，三星去年第4季市占率37.1%，稳居全球NAND Flash龙头地位;东芝市占率18.3%，居第2大厂;西部数据市占率17.7%，居第3大
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三星 NAND
- “首届IC咖啡国际智慧科技产业峰会”于2017年1月14日在上海召开，长江存储集团公司CEO杨士宁介绍了对存储器市场的看法，及选择3D NAND闪存作为主打产品的战略思考。
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存储器 3D NAND DRAM 20170203
- 据海外媒体报道，去年下半年以来NANDFlash市场供不应求，主要关键在于上游原厂全力调拨2DNANDFlash产能转进3DNAND，但3DNAND生产良率不如预期，2DNAND供给量又因产能排挤缩小，NANDFlash市场出现货源不足问题，价格也因此明显上涨。
不过，随着3DNAND加速量产，下半年产能若顺利开出，将成为NANDFlash市场最大变数。
2DNANDFlash制程持续往1y/1z纳米进行微缩，如三星及SK海力士去年已转进14纳米，东芝及西部数据(WD)进入15纳米，美光导
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NAND 存储器
- 非挥发性电阻式内存(ReRAM)开发商CrossbarInc.利用非导电的银离子-非晶硅(a-Si)为基板材料，并透过电场转换机制，开发出号称比NAND闪存更快千倍速度的ReRAM组件，同时就像先前在2016年所承诺地如期实现量产。
根据Crossbar策略营销与业务发展副总裁SylvainDubois表示，专为嵌入式非挥发性内存(eNVM)应用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能，密度比DRAM更高40倍，耐久度与写入速度更高1，000倍，单芯片尺寸约200mm2左右，即可实现高达
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NAND ReRAM
- 据海外媒体报道，传三星电子于2017～2018年，将大举追加投资西安3D NAND Flash厂，业界人士预估共将投资约5兆韩元(约43.5亿美元)，以迎接存储器市场史上最大需求热潮。
Chosun Biz日前引述业界消息指出，三星与大陆政府正针对西安厂第二期投资进行商议，2017年三星可望与西安市签署第二期投资及相关合作备忘录。三星于2012年开始在西安厂的第一期投资与现在的第二期投资，皆用于打造3D NAND Flash生产所需设备及人力费用。
三星目前只使用西安厂腹地约34万坪中的2
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三星 3D NAND
- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查显示，东芝公司为提升半导体业务竞争力，已正式宣布将在今年三月三十一日前将完成分拆内存业务。预期分拆出来的新公司将有更多经营弹性及更佳的筹资能力，长期而言对东芝/西数(Western Digital)电子阵营在NAND Flash产能提升、产品开发均有所帮助。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，东芝公司这一做法，一方面为的是应付日渐沉重的产业竞争环境，另一方面是为缓解经营压力，并满足筹措营运资金的需求。从产业结构来看，DRAMeX
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东芝 NAND
- 据报道，东芝(Toshiba)惨亏，将分拆旗下赚钱的半导体部门，成立新公司，卖股筹钱。由于东芝是全球NAND Flash二哥，各方都兴趣浓厚。据传韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)有意投资，借此强化NAND Flash布局。
韩媒BusinessKorea 24日报导，业界专家表示，SK海力士可能会投资东芝独立出来的存储器公司，取得决定NAND Flash表现的控制器技术。东芝在NAND市场表现出色，去年第三季市占率为19.8%，仅次于龙头三星电子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
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SK海力士 NAND
- 从2016年下半年开始，包括CPU、内存、屏幕、CMOS Sensor在内的众多电子元器件都进入了缺货周期，这样就给终端制造商带来了成本压力，最终这个压力就转移到了消费者身上，引起蝴蝶效应。
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DRAM NAND
- 随着全球对于手机、电脑、汽车等消费性产品需求持续增强，NAND FLASH始终处于供不应求的情况，特别是印度、印尼及越南等新兴智慧手机市场，当地消费者智慧手机持有率大增，进而使得NAND FLASH需求大幅攀升。因此，预计2017年NAND FLASH全年供货仍将持续吃紧，特别是在第2、3季最为严重。
群联董事长潘建成表示，预计NAND FLASH今年将持续缺货，特别是在第2、第3季最为明显，原因在于手机、电脑、汽车等终端消费性产品需求仍旧强劲。因应此一情况，有些记忆体业者将部分产能转去做3D
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SSD NAND
- 根据 SEMI (国际半导体产业协会) 的最新研究数据表示，当前中国正掀起兴建晶圆厂的热潮，预估 2017 年时，中国兴建晶圆厂的支出金额将超过 40 亿美元，占全球晶圆厂支出总金额的 70%。而来到2018年，中国建造晶圆厂相关支出更将成长至 100 亿美元，而其中又将以晶圆代工占其总支出的一半以上。
SEMI 中国台湾地区产业研究资深经理曾瑞榆指出，2017 年全球半导体产产值可望达到 7.2% 的年成长率。其中，存储为其中成长的关键。而未来 5 年之内，全球半导体产业仍将持续成长，到了 2
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晶圆 NAND
- 赛普拉斯半导体公司旗下子公司，高速、高容量和免电池非易失性存储器解决方案领先提供商AgigA Tech公司今日宣布，正式发布其符合JEDEC标准的AGIGARAM® DDR4 NVDIMM-N系列解决方案。该解决方案与AgigA业界领先的在JEDEC 标准发布之前就已量产的传统DDR4 NVDIMM产品一起，为最新公布的NVDIMM-N解决方案JEDEC标准(JESD248和JESD245A)提供了一系列完整的交钥匙式模块产品和控制器解决方案。 Ag
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赛普拉斯 NAND
- 在上海一场以“匠心独运，卓越创芯”为主题的IC技术峰会上，长江存储CEO杨士宁先生参会并发表了题为《发展存储产业的战略思考》的演讲。在演讲中，他对为什么选择发展存储、为什么选择3D NAND Flash作为突破口、还有3D NAND Flash将面临什么样的挑战等问题，作了深刻的分析。
为什么中国要发展存储产业
在详细介绍为什么中国要发展存储产业之前，杨士宁首先对存储产业的整体状况作了一个分析。根据他的说法，在全球的半导体存储产品中，NAND 和
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存储器 NAND
- 联想集团董事长兼CEO杨元庆日前在接受网易科技等媒体采访时透露，MOTO Z目前已经销售了200万台;对于这个销量，杨元庆表示，“虽然跟现在的主流产品销量规模有差距，但如果把它看成一个新品类的话，跟iPhone刚刚发布的时候规模销量是有一比的。” 这是杨元庆在谈及联想三波战略时提及的。杨元庆表示，联想的战略可以说是三波的战略： 第一波是PC业务，“我们已经是全球领先的NO.1。在这个领域也要落实我们的战略，我们未来的愿景和战略是设备+云，PC也是设备的一种，也是PC+云。PC在这个大的战
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联想 MOTO Z
- 在2015、2016连续两年下跌后，DRAM和NAND Flash存储器平均销售价格(ASP)正稳健走扬，研究机构IC Insights认为，此将有助推升2017年存储器市场销售规模，预估整体产值可达853亿美元新高纪录，较2016年成长10%;2020年更可望首度攀至千亿美元大关。
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