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z-nand 文章

手机实现512GB容量不是梦:72层3D NAND闪存问世

  •   随着APP体积不断扩大,以及照片、视频等文件逐渐累积,消费者再难回到被16GB ROM支配的时代。就连吝啬的苹果也将iPhone存储容量翻番,最高达到了256GB。大容量闪存能够提高数据并行处理的效率,但是256GB就够了吗?        日前,海力士(SK Hynix)推出业界首款72层堆叠的3D NAND闪存。该方案基于TLC阵列、单晶片容量为256Gb(32GB),闪存芯片封装后的最高容量将达到512GB。    
  • 关键字: 海力士  NAND  

技术更新失败加产能不足 内存价格持续上涨

  • 从去年年中开始,以固态硬盘为代表的,包括固态硬盘、内存条、优盘甚至闪存卡在内的几乎全部闪存产品,开始缓慢涨价。
  • 关键字: 内存  NAND  

买家众多 东芝存储业务将花落谁家?

  • 东芝已经处于资不抵债的边缘,被迫出售优质大额资产来改善其财务状况,究竟东芝存储业务花落谁家,虽然在近期就可以揭晓。
  • 关键字: 东芝  NAND  

乘上存储芯片涨价潮 美光Q2业绩超预期

  •   北京时间3月24日上午消息,由于供应趋紧和需求旺盛导致存储芯片价格上升,美光科技预计当前季度的营收和利润远超分析师预期。该公司第二财季利润也超出分析师预期,促使其股价在周四盘后交易中大涨9.4%。   由于各大企业都在争相开发体积更小、效率更高的芯片,引发了供应瓶颈,但与此同时,智能手机、人工智能、无人驾驶汽车和物联网的数据存储需求却在飙升,导致全球存储芯片制造商正在经历分析师所谓的“超级周期”。   美光科技周四表示,该公司的DRAM芯片第二季度涨价21%,此前一个季度已
  • 关键字: 美光  NAND  

三星 3D NAND 快闪存储器新厂上半年投产

  •   三星电子周二宣布,位在首尔南方的新芯片厂施工进度顺利,将如期于 2017 上半年投产。   三星新芯片厂于 2015 年动土,共投入 15.6 万亿韩元(约 144 亿美元)建厂,为三星史上最大单一产线投资项目。据三星表示,新厂第一阶段施工目前已完成九成。   新芯片厂主要用于生产高容量 3D 立体 NAND 快闪存储器。快闪存储器可取代传统硬盘,并广泛应用于数码相机、智能手机与其他 USB 界面储存设备。   市调机构 DRAMeXchange 日前指出,三星稳坐去年第四季 NAND 快闪存储
  • 关键字: 三星  3D NAND   

长江存储3D闪存各项指标已达预期 2019年全速量产

  •   NAND闪存芯片被三星、东芝、SK Hynix、美光、Intel等少数公司垄断,中国公司在此领域毫无话语权,甚至连收购、合作外资公司都没可能,想获得突破还得靠国产公司自立。紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地,该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工,2019年全速量产,预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。   长江存储科技前身是武汉新芯公司,该公司去年联合湖北省政府投资基金在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地,随后
  • 关键字: 长江存储  NAND  

手机厂家纷纷涨价全是因为它

  •   3月1日,乐视宣布,对旗下乐Pro 3进行价格调整。在这之前,魅族、红米、努比亚已先后宣布了涨价措施……手机厂家纷纷执行涨价措施,往常都想用低价策略吸引用户的厂家们这次都是因为什么呢?  有没有朋友发现目前市场上的闪存类产品价格在悄悄增长,包括我们熟悉的U盘、内存、硬盘类产品,这些产品和近期纷纷宣布涨价的手机是否有什么关系呢?  关键在于它们都使用了一种核心器件:Flash Memory,也就是大家说的“闪存”,而这类器件由于目前生产减少,出现了供不应求的状况,导致其价格上涨,最终
  • 关键字: Nand  内存  

DRAM与NAND差别这么大,存储之争都争啥?

  •   什么是DRAM?  DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)  工作原理  动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。    
  • 关键字: DRAM  NAND  

DRAM迈入3D时代!

  • 平面DRAM最重要也最艰难的挑战,是储存电容的高深宽比,为了要延长DRAM这种内存的寿命,在短时间内必须要采用3D DRAM解决方案。
  • 关键字: DRAM  NAND  

打破市场垄断 国产32层堆栈3D闪存将于2019年量产

  •   NAND闪存芯片被三星、东芝、SK Hynix、美光、Intel等少数公司垄断,中国公司在此领域毫无话语权,甚至连收购、合作外资公司都没可能,想获得突破还得靠国产公司自立。紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地,该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工,2019年全速量产,预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。   长江存储科技前身是武汉新芯公司,该公司去年联合湖北省政府投资基金在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地,
  • 关键字: NAND  东芝  

三星稳居全球NAND Flash龙头地位 估供应吃紧整年

  •   市调机构集邦科技预期,今年储存型快闪存储器(NAND Flash)整年都将维持供应吃紧的情况,NAND Flash厂商业绩可望逐季攀高。   集邦科技调查,随着NAND Flash缺货达到高峰,产品平均售价走扬,加上终端出货畅旺,去年第4季NANDFlash产值达120.45亿美元,季增达17.8%,各NANDFlash厂获利也攀上去年高峰。   集邦科技指出,三星去年第4季市占率37.1%,稳居全球NAND Flash龙头地位;东芝市占率18.3%,居第2大厂;西部数据市占率17.7%,居第3大
  • 关键字: 三星  NAND  

发展3D NAND闪存的意义

  • “首届IC咖啡国际智慧科技产业峰会”于2017年1月14日在上海召开,长江存储集团公司CEO杨士宁介绍了对存储器市场的看法,及选择3D NAND闪存作为主打产品的战略思考。
  • 关键字: 存储器  3D NAND  DRAM  20170203  

各大厂抢进3D NAND致存储器价格大涨

  •   据海外媒体报道,去年下半年以来NANDFlash市场供不应求,主要关键在于上游原厂全力调拨2DNANDFlash产能转进3DNAND,但3DNAND生产良率不如预期,2DNAND供给量又因产能排挤缩小,NANDFlash市场出现货源不足问题,价格也因此明显上涨。   不过,随着3DNAND加速量产,下半年产能若顺利开出,将成为NANDFlash市场最大变数。   2DNANDFlash制程持续往1y/1z纳米进行微缩,如三星及SK海力士去年已转进14纳米,东芝及西部数据(WD)进入15纳米,美光导
  • 关键字: NAND  存储器  

比NAND闪存更快千倍 40nm ReRAM在中芯国际投产

  •   非挥发性电阻式内存(ReRAM)开发商CrossbarInc.利用非导电的银离子-非晶硅(a-Si)为基板材料,并透过电场转换机制,开发出号称比NAND闪存更快千倍速度的ReRAM组件,同时就像先前在2016年所承诺地如期实现量产。   根据Crossbar策略营销与业务发展副总裁SylvainDubois表示,专为嵌入式非挥发性内存(eNVM)应用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能,密度比DRAM更高40倍,耐久度与写入速度更高1,000倍,单芯片尺寸约200mm2左右,即可实现高达
  • 关键字: NAND  ReRAM  

迎需求热潮!三星或追投西安3D NAND厂43亿美元

  •   据海外媒体报道,传三星电子于2017~2018年,将大举追加投资西安3D NAND Flash厂,业界人士预估共将投资约5兆韩元(约43.5亿美元),以迎接存储器市场史上最大需求热潮。   Chosun Biz日前引述业界消息指出,三星与大陆政府正针对西安厂第二期投资进行商议,2017年三星可望与西安市签署第二期投资及相关合作备忘录。三星于2012年开始在西安厂的第一期投资与现在的第二期投资,皆用于打造3D NAND Flash生产所需设备及人力费用。   三星目前只使用西安厂腹地约34万坪中的2
  • 关键字: 三星  3D NAND  
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