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xl-flash 文章

NAND FLASH扇区管理

  • 首先需要了解NAND FLASH的结构。如图:以镁光MT29F4G08BxB Nand Flash为例,这款Flash(如上图)以4个扇区(sector)组成1个页(page),64个页(page)组成1个块(block),4096个块(block)构成整个Flash存储器;由于每个扇区
  • 关键字: Flash  NAND  扇区管理  

关于单片机中的flash和eeprom

  • FLASH 和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH,早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构,现在已基本上停产了。
  • 关键字: 单片机  flash  eeprom  

JEDEC标准(JESD216)S FDP对串行Flash在系统中的应用

  • JEDEC标准(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一个可供查询的描述串行Flash功能的参数表。文章主要介绍了这个串行Flash功能参数表的结构、功能和作用,并给出其在系统设计中的具体应用。
  • 关键字: JEDEC  Flash  JESD    

TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自动加载的设计

  • TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自动加载的设计,摘要 为实现数字信号处理器的加栽,介绍了TMS320C6455的各种加载模式,尤其是对外部ROM的引导方式,以及一种无需数据转换即可通过数据加载将用户程序写入Flash的方法。以TMS320C6455为例,同时结合LED灯闪烁实例验证
  • 关键字: DSP  加栽模式  二次加载  Flash  

三星、东芝竞扩产,NAND Flash恐跌三成

  • 全球NAND Flash(储存型快闪记忆体)供给成长持续大于需求,预估NAND Flash今年底报价将较去年跌掉三成,且跌势恐将一直延续至2018年。市调机构IHS iSuppli最
  • 关键字: 三星  东芝  NAND  Flash   

NAND Flash合约价 恐一路跌到年底

  • 市调机构集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange调查显示,第4季各项NAND Flash终端需求确立旺季不旺,加上厂商库存水位依旧偏高,采购意愿薄弱,
  • 关键字: NAND  Flash   

如何用SmartPRO 6000纠正NAND Flash烧录过程位反转

  • 如何用SmartPRO 6000纠正NAND Flash烧录过程位反转,关于使用烧录器烧录Nand Flash,一直都是很多用户头疼的难点,他们强调已经使用了正确的坏块管理方案,也制定了规范的操作流程,但是烧录的良品率还是无法提高,只能每天眼睁睁看着一盘盘“废品”被烧录器筛选出来!
  • 关键字: 烧录  SmartPRO 6000  Nand Flash  

从Flash和SRAM中触发中断的过程示例

  • 使用LPC2106的Timer 1 进行的简单的中断处理。示例代码中Timer1分为FIQ和IRQ,用户可以从Flash或者SRAM中运行这些代码。示例展示了ARM构架中中断是如何操作
  • 关键字: Flash  SRAM  触发中断  

DSP硬件设计需要知道的注意事项

  • 数字信号处理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(时钟性能超过100MHZ)和高速先进外围设备,通过CMOS处理技术,DSP芯片的功耗越来越低。这些巨大的进步增加了DSP
  • 关键字: 硬件设计  FlaSh  DSP  

NAND flash和NOR flash的区别详解

  • 我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G、16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我
  • 关键字: NOR flash  Nand flash  FlaSh  

东芝跑第一,64 层 3D Flash 开始试产送样

  •   据海外媒体报道,韩国三星电子为全球第一家量产 3D 架构 NAND 型快闪存储器(Flash Memory)的厂商,不过其NAND Flash 最大竞争对手东芝(Toshiba)追赶速度惊人,宣布已领先全球同业,研发出堆叠 64 层的 3D Flash 产品(见首图),且开始进行送样。   东芝 27 日发布新闻稿宣布,已研发出堆叠 64 层的 3D Flash 制程技术,并自今日起领先全球同业开始进行样品出货,且预计将透过甫于 7 月完工的四日市工厂“新第 2 厂房”进行生
  • 关键字: 东芝  Flash   

全快闪储存导入新型Flash存储器以降低成本、生态大洗牌

  •   许多厂商开始将重心转移到降低全快闪储存阵列的成本,如Dell与EMC都已在全快闪产品中导入低成本的TLCFlash记忆体;众多厂商争相发展全快闪储存阵列,也改变了既有的全快闪储存市场消长   在全快闪储存阵列这类型产品诞生初期,唯一的卖点便是高效能,应用面向也局限于线上交易处理等高IO需求领域。为了扩展应用环境,后来的全快闪储存阵列发展也有了不同的发展。   我们可以把全快闪储存阵列的发展分为4个阶段:   第一阶段是效能导向。提供高效能,是全快闪储存阵列这类产品诞生的目的,早期的全快闪储存阵列
  • 关键字: Flash  存储器  

全快闪储存导入新型Flash存储器以降低成本、生态大洗牌

  •   许多厂商开始将重心转移到降低全快闪储存阵列的成本,如Dell与EMC都已在全快闪产品中导入低成本的TLC Flash记忆体;众多厂商争相发展全快闪储存阵列,也改变了既有的全快闪储存市场消长   在全快闪储存阵列这类型产品诞生初期,唯一的卖点便是高效能,应用面向也局限于线上交易处理等高IO需求领域。为了扩展应用环境,后来的全快闪储存阵列发展也有了不同的发展。   我们可以把全快闪储存阵列的发展分为4个阶段:   第一阶段是效能导向。提供高效能,是全快闪储存阵列这类产品诞生的目的,早期的全快闪储存阵
  • 关键字: Flash  存储器  

中国半导体存储器市场前景

  • 本文介绍了存储器芯片分类,国际存储芯片厂商的发展情况,及我国存储芯片供需情况。
  • 关键字: 存储器  市场  DRAM  Flash  201607  

NAND Flash供货吃紧态势明显 价格走扬

  •   第三季NAND Flash供货吃紧的态势越发明显,TLC-Wafer与现货卡片价格自4月初以来已连续三个月份逐步走扬。   TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报价显示,第三季NAND Flash供货吃紧的态势越发明显,TLC-Wafer与现货卡片价格自4月初以来已连续三个月份逐步走扬,而近一个月涨幅开始增加。   DRAMeXchange研究协理杨文得表示,NAND Flash原厂持续降低对于通路(Channel)的供货比重来满足eMMC/eMCP与固态硬碟(SS
  • 关键字: NAND Flash  
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