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xl-flash 文章

基于SRAM芯片立体封装大容量的应用

  •   静态随机存储器(static RAM),简称SRAM。在电子设备中,常见的存储器有SRAM(静态随机访问存储器)、FLASH(闪速存储器)、DRAM(动态存储器)等。其中不同的存储器有不同的特性,SRAM无需刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失。与SDRAM相比,SRAM不需要时钟信号,即可保持数据不丢失。  1、VDMS16M32芯片介绍  VDSR16M32是一款工作电压3.3V,16Mbit,32位数据总线的立体封装SRAM模
  • 关键字: SRAM  FLASH  DRAM  VDSR16M32  

基于FPGA的SPI Flash控制器的设计方案

  • 本文提出一个基于FPGA的SPI Flash读写硬件实现方案,该方案利用硬件对SPI Flash进行控制,能够非常方便地完成Flash的读写、擦除、刷新及预充电等操作,同时编写的SPI Flash控制器IP核能够进行移植和复用,作为SOC芯片的功能模块。
  • 关键字: FPGA  Flash  SOC  CPU  VHDL  

基于FPGA的速率自适应图像抽取算法

  • 载荷图像可视化是深空探测任务中的重要需求,但受信道带宽的限制,无法实时传输所有载荷数据,因此星载复接存储器中图像的抽取下传是实现任务可视化的关键。
  • 关键字: 存储器  FPGA  载荷图像  VCDU  FLASH  

基于SPI FLASH的FPGA多重配置

  • 通过FPGA的多重配置可以有效地精简控制结构的设计,同时可以用逻辑资源较少的FPGA器件实现需要很大资源才能实现的程序。以Virtex5系列开发板和配置存储器SPI FLASH为基础,从硬件电路和软件设计两个方面对多重配置进行分析,给出了多重配置实现的具体步骤,对实现复杂硬件设计工程有一定的参考价值。
  • 关键字: FPGA  Virtex5  FLASH  ICAP  IPROG  寄存器  

提高MSP430G单片机的Flash擦写寿命的方法

  • 在嵌入式设计中,许多应用设计都需要使用EEPROM 存储非易失性数据,由于成本原因,某些单片机在芯片内部并没有集 ...
  • 关键字: MSP430G  单片机  Flash  擦写寿命    

单片机高手是怎样炼成的

  • 近来在论坛总是见到一些菜鸟们在大叫:“我想学单片机”,“我要学单片机”,“如何入门啊?”,“你们怎么这么厉害,是怎样学的??”等等等等一系列的问题,实在是看多了也感到烦了,今天,就由我电子白菜厚着面皮,顶着无数老虾的砖头,在这里写上一篇单片机学习心得,让菜鸟们勇敢地跨出第一步。
  • 关键字: 单片机  LED  LCD  FLASH  USB  

ARM11 S3C6410系列教程之四:NANDflash操作

  • 在本章开始之前,我们先来看下ARM11S3C6410内部结构:
  • 关键字: ARM11  DDR  NAND  flash  寄存器  

AVR的主要特性

  • AVR单片机是1997年由ATMEL公司研发出的增强型内置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精简指令集高 ...
  • 关键字: AVR单片机  ATMEL  Flash  

缺少仿真器时avr单片机的开发方法

  • 对FLASH存贮器单片机,不要仿真机也能方便快速地开发程序。具体可以从以下几方面入手: 一、尽量使用高级语言开 ...
  • 关键字: 仿真器时  avr单片机  FLASH  

ARM编程中Flash ROM驱动示例

  • Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:i28F320B: 64*64K,64个blocks,4M空间,每个block 64K,第一个64K由8个8*8 ...
  • 关键字: ARM编程  Flash  ROM驱动    

单片机下程序RAM, ROM ,Flash

  • 8K的flash是有8*1024个字节,一条指令可能有1~4个机器码,即1~4个字节,其中1~2机器码的指令使用最为频繁,所以这样 ...
  • 关键字: 单片机  RAM  ROM  Flash    

基于NAND Flash的大容量立体封装芯片在嵌入式系统中的应用

  • 摘要: NAND Flash应用的困难在于管理和需要特殊的系统接口。本文介绍了一种利用MCU存储器管理接口结合I/O口来实现NAND Flash存储结构的搭建和管理的方法,并介绍底层的驱动程序。
  • 关键字: Flash  嵌入式  MCU  存储器  NAND  寄存器  201312  

2014年Flash LED市场走势将呈现M型化

  •   FlashLED在智慧型手机的渗透率已达100%,看准Flash商机,LED业者积极投入Flash市场。2013年FlashLED的规格以驱动电流1000mA、500mA与350mA为主流,业内人士认为,2014年FlashLED市场将呈现M型化发展,高阶规格以驱动电流1000mA所主导,而低阶则会以驱动电流350mA为主。   LEDFlash具有高稳定性、发光角度小、低电压即可驱动、不需要充电与寿命较长等特性,FlashLED已成为智慧型手机标配,以2013年FlashLED市况来看,主流规
  • 关键字: Flash  LED  

国际厂竞抢Flash LED新高地 明年恐见杀价潮

  •   LED产品价格不断下滑,压缩各厂获利空间,厂商除靠压低生产成本外,也持续开发高毛利产品领域以求生存,因此高毛利的FlashLED(闪光灯)成为各厂欲竞逐的市场,除国际大厂PhilipsLumileds、CREE、OSRAM等外,台厂有亿光、新世纪、光宝科等业者,但近期市场传出,韩厂三星将走出过去坚守的4139封装规格,计划加入主流的2016规格战局。随着市场竞争者越来越多,估计FlashLED明年将会见到一波价格下杀潮。   消费者对于智慧型手机要求越来越高,除处理效能要接近电脑外,就连照相功能也向
  • 关键字: Flash  LED  

高容量Flash MCU需求涨

  • 嵌入式系统智能化商机旺 MCU厂升级eFlash制程  微控制器(MCU)厂商在嵌入式快闪记忆体(eFlash)新一轮先进制 ...
  • 关键字: 高容量  Flash  MCU  
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