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Flash芯片你都认识吗?

  •   Flash存储器,简称Flash,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还不会因断电而丢失数据,具有快速读取数据的特点;在现在琳琅满目的电子市场上,Flash总类可谓繁多,功能各异,而你对它了解有多少呢?  为了让大家更深入了解Flash,今天将主要根据芯片的通信协议并且结合Flash的特点,给大家一个全新认识。  一、IIC EEPROM  IIC EEPROM,采用的是IIC通信协议;IIC通信协议具有的特点:简单的两条总线线路,一条串行数据线(SDA)
  • 关键字: Flash  EEPROM  

Flash与SAS硬碟价格2015年恐现死亡交叉

  •   资料储存解决方案大厂NetApp表示,经由云端与Flash两股推力驱动,让近年IT基础架构进入新一波的转型期,其中2016年经由融合式基础架构(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系统工具应用性窜升,将让2016年成为IT的精简之年。   此外值得注意的是,TLC架构的Flash存储器借由需求性提升及单位成本快速下降,预期今年每GB的FLash价格也将较SAS硬碟更低,并让All Flash资料中心的将进入主流储存领
  • 关键字: Flash  SAS  

手机标称16G内存,为何实际却少于16G

  •   摘要:现在市面上存在NAND FLASH和eMMC这两种的大容量存储介质,就是各类移动终端及手机的主要存储介质。两者有何区别,存储芯片的实际大小与标称值又有什么关系呢?   我们总是在说手机内存,那到底是用什么介质存储的呢?99%是用NAND Flash和eMMC这两种的存储介质。eMMC是近几年智能手机兴起后,为满足不断增大的系统文件而诞生的,是NAND Flash的升级版,他的结构如下:        我们接触到的16G、32G等手机,为何实际存储容量却总是小于这些值呢?难道
  • 关键字: NAND FLASH  eMMC  

中国下个购并标的:NAND Flash控制芯片

  •   中国政府近来积极透过中资集团陆续收购或入资海外半导体公司,期建立自有半导体供应链。现阶段,逻辑晶片从设计、制造到封装测试皆已具雏型,反观记忆体领域则为主要发展缺口。资策会MIC认为,中资集团下一波购并目标将锁定NAND Flash控制晶片业者,并设法取得大规模制造产能,以补强记忆体产业发展。   资策会MIC产业顾问兼主任洪春晖表示,中国近期积极透过购并,来改善半导体自制比例过低的情形,现今中国在本土逻辑IC设计、晶圆代工、逻辑IC封测等产业链上,已有一定程度的发展,上述领域皆具有本土厂商或已与外商
  • 关键字: NAND Flash  芯片  

TrendForce:经济前景未明,2016年全球NAND Flash产值增长有限

  •   全球经济依旧前景不明,各项NAND Flash终端需求厂商态度相对保守,TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange调查显示,由于终端设备平均搭载量与固态硬盘(SSD)需求增长,2016年整体NAND Flash需求位量将较2015年增长44%,然而生产端为了快速降低成本以刺激更多的需求,NAND Flash厂商将会加速3D-NAND Flash的开发,整体NAND Flash年度位元产出增长率将大幅增长50%。   DRAMeXchange研究协理杨文得表示,2016年NAND Fl
  • 关键字: NAND Flash  TLC  

掌握ECC/坏区块管理眉角 NAND Flash嵌入式应用效能增

  •   NAND Flash记忆体在出厂时是允许部分晶片含有坏区块,或者好的区块中含有一些错误位元,因此在实际应用时,须搭配使用控制器,透过硬体与软体进行坏区块管理,以及利用错误更正编码(ECC)演算法修正错误位元,方能提升嵌入式系统储存效能。   NAND型快闪记忆体(NAND Flash) IC的技术演进快速,平均每1∼2年就前进一个制程世代来降低成本,在售价大幅下降情况下,愈来愈多嵌入式系统,例如:蓝光播放器、电视、数位相机、印表机等应用均采用NAND低成本的优势,取代原本使用的NOR型快闪记
  • 关键字: NAND Flash  

中国NAND Flash产业链的布局日趋完整

  •   研究机构TrendForce表示,随着清华紫光投资NAND Flash储存相关公司的脚步加快,以及中国半导体业者在NAND Flash产业链的布局日趋完整,中国业者在NAND Flash产业地位也越来越关键。   TrendForce 旗下存储器储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示,虽然NAND Flash短期内受到供过于求的影响呈现较为疲软的格局,但长远来看,NAND Flash的相关应用成长依旧快速。SSD与eMMC在各种电子产品的能见度越来愈高,NAND Flash成为未来储存
  • 关键字: NAND Flash  SSD  

中国NAND Flash产业链的布局日趋完整

  •   研究机构TrendForce表示,随着清华紫光投资NAND Flash储存相关公司的脚步加快,以及中国半导体业者在NAND Flash产业链的布局日趋完整,中国业者在NAND Flash产业地位也越来越关键。   TrendForce 旗下存储器储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示,虽然NAND Flash短期内受到供过于求的影响呈现较为疲软的格局,但长远来看,NAND Flash的相关应用成长依旧快速。SSD与eMMC在各种电子产品的能见度越来愈高,NAND Flash成为未来储存
  • 关键字: AND Flash  

科技行业为Flash准备“葬礼”

  • 过去多年时间里,来自Adobe的热门软件Flash让网络变得更丰富,然而,Flash的安全性一直饱受诟病,而近期发生的信息安全事故再次表明,Flash应当走向消亡。
  • 关键字: Adobe  Flash  

基于ARM7软中断程序的设计

  •   笔者在设计一项目时采用LPC2458。此CPU为ARM7内核,带512K字节的片内FLASH,98k字节的片内RAM,支持片外LOCAL BUS总线,可从片外NOR FLASH启动CPU.由于代码量较大,程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在运行程序时,需对片外的NOR FLASH擦写的需求。图1为存储部分框图。        图1存储部分原理框图   在设计中,片外NOR FLASH的大小为16M字节。其中2M规划为存放运行程序,剩余的空间用于产品运
  • 关键字: ARM7  FLASH  

研调:NAND Flash需求渐加温,估Q3摆脱供过于求

  •   TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查报告显示,受到新款智慧型手机上市以及今(2015)年度苹果新款iPhone即将开始拉货的影响,NAND Flash市况将逐渐增温,预估在第三季将摆脱供过于求,转为供需较为平衡的格局。   从供给面观察,虽然各家NAND Flash厂商陆续宣布3D -NAND Flash的量产时程,但嵌入式产品应用仍须考量控制晶片的搭配,与各种系统端搭配的相容性问题,DRAMeXchange预估,2015年3D-NAND Flash的产出比重将仅
  • 关键字: TrendForce  NAND Flash  

基于TFFS的成像声呐文件系统设计

  •   1 VxWorks系统的启动流程   嵌入式VxWorks操作系统的启动包括两个阶段,一是BootRom引导,二是VxWorks操作系统映像的启动。BootRom映像也叫做启动映像,它主要是初始化串口、网口等很少的硬件系统来下载VxWorks映像。VxWorks映像包含完整的VxWorks OS,是真正在目标板上运行的操作系统。它启动后会重新初始化几乎所有的硬件系统,这样操作系统才可以在目标板上正常运行。两种映像的区别如表 1所示。   VxWorks内核有多种启动流程。本文基于的声呐原型机采
  • 关键字: VxWorks  嵌入式  TFFS  Flash  MTD  

NAND flash市占,三星美光增、东芝独垂泪!

  •   2014年NAND flash销售数据出炉,IHS报告称,前四大业者中,三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)销售皆有成长,唯有二哥东芝(Toshiba)疑似因为产品出包遭苹果召回,市占和业绩双双下滑。   BusinessKorea报导,IHS 13日报告称,三星电子稳居NAND flash老大,去年销售年增4%至90.84亿美元,市占率成长0.1%至36.5%。二哥东芝去年市占率由34.3%减至31.8%,销售也大减将近3亿美元。
  • 关键字: 三星  NAND flash  

储存市场新厂突围 传统大厂严阵以待

  •   储存装置市场正酝酿一波小型新创公司革命。过去由惠普(HP)、IBM、NetApp与EMC等业者把持的储存市场,目前已遭到许多小型新创公司崛起并抢走市场。调查也发现,消费者预期未来将扩大使用Flash存储器与固态硬碟(SSD),因此,传统大厂必须调整策略才能扭转颓势。   据TechRadar报导,全球四大储存大厂惠普、IBM、NetApp与EMC近期受到甫成立不久的新创公司推出快闪技术产品,因此,其外部硬碟储存市场占有率已逐渐流失。   据IDC调查发现,截至2014年第2季为止,由四大厂供应的高
  • 关键字: IBM  SSD  Flash  

东芝传年内量产3D Flash 技术更胜三星

  •   三星电子(Samsung Electronics)领先全球同业、于去年10月抢先量产3D架构的NAND型快闪存储器(Flash Memory)产品,但三星的领先优势恐维持不了多久,因为三星NAND Flash最大竞争对手东芝(Toshiba)传出将在今年下半年量产3D NAND Flash、且其制造技术更胜三星一筹!   日本媒体产经新闻25日报导,三星于去年量产的3D NAND Flash产品为垂直堆叠32层,但东芝已研发出超越三星的制造技术、可堆叠48层,且东芝计划于今年下半年透过旗下四日市工厂
  • 关键字: 东芝  3D Flash   
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