- 2016年Flash原厂加速向3D NAND切换，除了研发成本增加，切换过程中也很容易出现产能损失，同时还需要更新旧设备，增加新设备，以及扩大生产空间，从而导致Flash原厂NAND Flash产出减少，以及投资成本增加。
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Flash 三星
- 储存型快闪存储(NANDFlash)军备竞赛再起，南韩存储大厂SK海力士决定再投资3.16兆韩元(约27亿美元)，在南韩及大陆两地增加存储产能;紫光集团旗下的长江存储武汉厂，也预定本月底正式动土，都为2018年供给过于求再现，埋下隐忧。
目前各市调机构均看好明年NANDFlash仍处于供不应求局面，但南韩存储大厂SK海力士上周宣布将在南韩盖一座全新快闪存储厂，在中国大陆也将加码投资9,500亿韩元，扩充产能，希望市占率能赶上三星，但也为NANDFlash市场投下新变数。
稍早三星和美光也都
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Flash 晶圆
- SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂，满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设，2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备，总投资达2.2兆韩元(18.4亿美金)。
SK海力士表示，公司决定额外的新建一座Fab工厂，主要是为了确保能够满足NAND Flash市场需求的增长，以及引导向3D NAND发展。加之，考虑到通常建立一个半导体工厂需要超过2年，所以提前做好准备。
SK海力士曾在20
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NAND Flash SK海力士
- 芯片贴板后跑不起来?Flash里面的数据在使用过程中莫名改变或不翼而飞?程序丢失可能无法正常运行，从而造成整个系统崩溃，下面我们来看看是什么原因让数据异常变化。
1、用户代码对Flash的误操作不当引起程序丢失或被错误改写 例如，在有对Flash写入或擦除操作的代码中，如果用户误调用了写入或擦除函数或者由于程序跑飞而恰好执行了Flash擦除或写入函数，这自然会导致数据丢失或改变。针对以上情况，可以在程序中设置多个允许操作的变量，当执行写入或擦除操作时，对
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Flash 芯片
- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示，受惠于智能手机需求强劲，及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所导致的整体产出减少，第三季NAND Flash开始涨价，使得NAND Flash原厂营收季成长19.6%，营业利益率也较上季大幅进步。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，第四季各项终端设备出货进入今年最高峰，预估整体NAND Flash供不应求的市况将更为显著，各项NAND Flash产品的合约价涨幅将更高，厂商的营收
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NAND Flash 英特尔
- NAND Flash缺货，加上SSD可能是新款电子产品的重要选择，缺货现象可能延续到2017Q1。(法新社)
根据DIGITIMES的报导，NAND Flash缺货，加上SSD可能是新款电子产品的重要选择，缺货现象可能延续到2017Q1以后。估计2017年DRAM供应量成长率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是从67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投资金额为10兆韩元的记忆体产业，2017年将增加至13兆韩元，其中4兆韩元用于DRAM，Flash则约9兆韩元，远不如原
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Flash 存储器
- 早前报导，中国存储三大势力成形，目前长江存储、晋华集成已积极展开建厂、布建产能，就差合肥团队还未有相关消息，现在相关招募信息与环评结果曝光，也透露更多发展信息。
中国发展存储成三路进击，除了由武汉新芯与紫光合体组成的长江存储、联电相助的福建晋华集成，第三势力在兆易创新与前中芯CEO王宁国主导的合肥长鑫合作下也蠢蠢欲动，现在从兆易创新的招募消息与合肥长鑫的环评公告，也可一窥其在合肥的布局。
合肥将发展存储的消息已不是新闻，但原先传出与合肥市政府合作的尔必达前社长坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
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长江存储 Flash
- 嵌入式系统的大量数据都存储在其F1ash芯片上。根据Flash器件的固有特性，构建一个适合管理NAND Flash存储器的FAT文件系统，并阐述具体的设计思想。
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Flash NAND FAT 文件系统
- 随着嵌入式系统产品的发展，对存储设备的要求也日益增强。文章以东芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00为例，阐述了NAND Flash的基本结构和使用方法
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Flash NAND 02A 1FT
- 被广泛应用于手机、平板等数码设备中的Nand Flash由于工艺原因无法避免坏块的存在，但是我们可以凭借高科技变废为宝，将“坏块”进行有效的利用，从而满足我们的应用需求，让坏块不“坏”。
要想变废为宝，有效利用坏块。我们首先要弄明白什么是“坏块”，做到知己知彼，才能为我所用。坏块的特点是当编程或者擦除这个块时，不能将某些位拉高，从而造成编程和块擦除操作时的错误，这种错误可以通过状态寄存器的值反映出来。这些无效块无法确定编程时
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Nand Flash 寄存器
- 摘要在嵌入式设计中，许多应用设计都需要使用EEPROM 存储非易失性数据，由于成本原因，某些单片机在芯片内部并没有集成EEPROM。MSP430G 系列处理器是TI 推出的低成本16 位处理器，在MSP430G 系列单片机中并不具备E
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MSP430G 单片机 Flash
- 首先需要了解NAND FLASH的结构。如图：以镁光MT29F4G08BxB Nand Flash为例，这款Flash(如上图)以4个扇区(sector)组成1个页(page)，64个页(page)组成1个块(block)，4096个块(block)构成整个Flash存储器;由于每个扇区
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Flash NAND 扇区管理
- FLASH 和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有 FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。
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单片机 flash eeprom
- JEDEC标准(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一个可供查询的描述串行Flash功能的参数表。文章主要介绍了这个串行Flash功能参数表的结构、功能和作用，并给出其在系统设计中的具体应用。
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JEDEC Flash JESD
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