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六大NAND Flash厂商:东芝最“吸金”

  •   2014第三季度 NAND Flash厂商营收排名出炉,其中东芝最为亮眼,原因是因为它最涨势最猛。
  • 关键字: NAND Flash  东芝  三星  

美光咬苹果大单 力成同乐

  •   苹果公司继推出iPhone 6/6 Plus新款智能手机后,今年底或明年初,将紧接推出Apple Watch智能手表,目前正展开一波拉货,力成最大客户美光传出大啖苹果Apple Watch存储器绝大部分订单,力成受惠度看涨,也激励今天股价逆势上涨;另一档美光受惠股华东则维持小跌与平盘间的狭幅震荡。   据了解,Apple Watch采用512MB LPDDR3,内建4GB或8GB容量的NAND Flash,美光包办绝大部分的订单,而在下游后段封测代工制程方面,目前多半由力成与华东共同负责,由于测试时
  • 关键字: 苹果  iPhone 6  NAND Flash  

台IC设计前3季 联发科稳居每股获利王 敦泰群联位居二三名

  •   IC设计第3季财报全数公布完毕,累计前3季,联发科(2454-TW)每股税后盈余23.41元,稳居IC设计每股盈余获利王,也是税后净利获利王,其次是触控IC厂F-敦泰(5280-TW),前3季每股税后盈余为13.67元,排名第二,第三名则是FLASH控制晶片厂群联(8299-TW),前3季每股盈余为13.34元,排名第三。   根据公开资讯站资料显示,联发科前3季税后净利与每股税后盈余稳居IC设计之冠,表现亮眼,显示行动装置需求持续升温,第3季旺季效应加持发威下,相关厂商营运表现都相当亮眼,联发科第
  • 关键字: 联发科  触控IC  FLASH  

下游需求高企 2014年中国内存芯片市场将占全球两成

  •   TrendForce最新研究报告显示,随着中国市场近几年的蓬勃发展与政策开放,GDP成长率呈现高度的成长,所伴随而来的就是惊人的消费潜力,无论是PC、智能型手机与平板市场都把中国市场列入第一战区。TrendForce旗下权威内存研究机构DRAMeXchange最新数据显示,以2Gb颗粒来换算,2014年中国市场在DRAM与NAND的消化量已经高达47.89亿与70.36亿,分别占全球产能19.2%与20.6%。   从DRAM市场来观察,PC-DRAM在中国市场的消化量已经来到15%,内需市场的强劲
  • 关键字: 内存  DRAM  Flash  

基于FLASH介质嵌入式存储方案的设计与实现

  •   引言   FLASH(闪速存储器)作为一种安全、快速的存储体,具有体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点,已成为嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。由于FLASH在结构和操作方式上与硬盘、E2ROM等其他存储介质有较大区别,使用FLASH时必须根据其自身特性,对存储系统进行特殊设计,以保证系统的性能达到最优。   FLASH的特点   FLASH是一种非易失性存储器NVM(Non-VolatileMemory),根据结构的不同可以将其分成NORFLASH和NANDFLASH两种。但不
  • 关键字: FLASH  NAND  

OEM需求拉货动能增温,第三季NAND Flash品牌营收季增12.2%

  •   第三季NAND Flash市况在苹果iPhone6/6Plus新机上市备货需求强劲与OEM业者进入出货旺季的带动下,eMMC/eMCP与SSD的成长力道均高于上半年,NAND Flash价格表现也相对稳健,使得第三季NAND Flash品牌供货商营收较上季增加12.2%至85.8亿美元。TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示,新制程的嵌入式产品自第三季起成为市场主流,有助于各家业者成本结构的改善,而随着苹果第四季iPhone表现持续亮眼以及新产品的问世,整体N
  • 关键字: NAND Flash  SSD  iPhone6  

提高MSP430G 系列单片机的Flash 擦写寿命方法

  •   在嵌入式设计中,许多应用设计都需要使用EEPROM 存储非易失性数据,由于成本原因,某些单片机在芯片内部并没有集成EEPROM。MSP430G 系列处理器是TI 推出的低成本16 位处理器,在MSP430G 系列单片机中并不具备EEPROM。为了存储非易失性数据,MSP430G 系列处理器在芯片内部划分出了256 字节的Flash 空间作为信息Flash,可用于存储非易失性数据,但是由于Flash 与EEPROM 在擦写寿命上存在一定差距,所以在实际应用中,这种应用方式并不能够满足所有客户的需求。本应
  • 关键字: MSP430  Flash  EEPROM  

FLASH和反熔丝类型的FPGA你了解多少

  •   由于航天应用对可靠性提出了更高的要求,这是与一般的FPGA开发最大的不同。当高能粒子撞击可编程逻辑器件时,撞击的能量会改变器件中的可配置的SRAM单元的配置数据,使系统运行到无法预知的状态,从而引起整个系统失效。这在航天设备中是必须要避免的。以FLASH和反熔丝技术为基础的FPGA与以SRAM为基础的FPGA相比,在抗单粒子事件方面具有很大的优势,可靠性高。   ACTEL公司是可编程逻辑解决方案供应商。它提供了多种服务,包括基于反熔丝和闪存技术的FPGA、高性能IP核、软件开发工具和设计服务,定位
  • 关键字: FPGA  FLASH  反熔丝  

一种基于MCU内部Flash的仿真器设计方法

  •   摘要:提出了一种基于MCU内部Flash的仿真器设计方法,并完成了设计和仿真。   关键词:微控制器 在线仿真 开发系统 Flash SRAM   由于市场对MCU功能的要求总是不断变化和升级,MCU应用的领域也不断扩展, 因此往往需要对最初的设计进行修改。Flash MCU与以往OTP/MASK MCU相比,最大的优点就在于可进行高达上万次的擦写操作,顺应了MCU功能不断修改的需求;另一方面,Flash MCU市场价格也在不断下降。因此,许多OEM已将Flash MCU用于产品的批量生产。对于F
  • 关键字: MCU  Flash  仿真器  

终端需求多元化带动NAND Flash市场稳健增长

  •   TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新调查显示,由于智能手机、平板电脑等移动装置需求稳健增长,固态硬盘在笔记本电脑以及服务器与数据中心的需求增加,而物联网应用也将逐渐导入NANDFlash,2015年NANDFlash整体产业规模将提升至266亿美元,年增长9%。   DRAMeXchange研究协理杨文得表示,2014年NANDFlash需求位增长率为36%,在更多元化的产品开始导入NANDFlash的挹注下,2015年的需求位增长率将依旧有35%。市场趋势观察的重
  • 关键字: NAND Flash  穿戴性装置  

基于ARM7软中断程序的设计

  •   摘要:本文以ARM7内核的MCU LPC2458在片外FLASH上运行程序时,采用SWI软中断的方法实现同时写片外FLASH的例子,详细讲述ARM7内核的MCU如何设计SWI软中断程序的流程、方法和应用原理。   1 背景描述   笔者在设计一项目时采用LPC2458。此CPU为ARM7内核,带512K字节的片内FLASH,98k字节的片内RAM,支持片外LOCAL BUS总线,可从片外NOR FLASH启动CPU。由于代码量较大,程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
  • 关键字: ARM7  LPC2458  FLASH  MCU  SWI  CPU  201409  

上海海尔:向通用MCU进发

  •   今年上半年,上海海尔集成电路公司推出十几款单片机产品,有其自主知识产权内核的HR7P155~170、201、192、196等系列,还有新的触摸按键芯片等,容量涵盖0.5~64kB,管脚数从10pin至80pin。丰富的资源为客户的方案设计提供了多样选择。   专注于专用MCU的上海海尔,为何此次在如此多的通用产品上发力?在芯片本土化的热潮下,上海海尔的愿景是什么?   处于从专用向通用MCU升级的开端   MCU(单片机,微控制器)一般有通用和专用两类。很多欧美大公司喜欢推出通用单片机,而日本、
  • 关键字: 海尔  MCU  Flash  201408  

基于LVDS的高速图像数据存储器的设计与实现

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: LVDS  FPGA  Flash  

竞逐eMMC商机 Flash控制芯片厂陷混战

  • 2013年eMMC需求在智能手机市场带动下大幅成长,2014年,平板电脑应用需求亦值得期待,尤其在中国大陆销售的平板电脑中,有90%尚未采用eMMC,这可能进一步扩大eMMC市场规模,引来业内厂商混战一片......
  • 关键字: Flash  控制芯片  

FPGA中Flash驱动模块的设计及验证

  •   随着FPGA的功能日益强大和完善,FPGA在项目中的应用也越来越广泛,其技术关键在于控制日益广泛而丰富的外围器件。本文以Flash存储器件为FPGA的外围,叙述了FPGA中SPI总线接口的Flash驱动模块的设计,其接口基本符合Avalon总线的规范要求,并且通过实际的读写操作验证
  • 关键字: Flash  驱动  FPGA  
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