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火灾后疯7供应商三星Flash厂部分复工

  • 三星西安工厂受到变电站爆炸停电影响,对供应紧张的NAND Flash雪上加霜,不过事故后回复速度很快,给当地供电局和三星应急处理点个赞。
  • 关键字: 三星  Flash  

NAND Flash慧荣科技:下半年可能缺货

  •   全球NAND快闪存储器控制IC大厂慧荣科技执行长苟嘉章表示,今年储存市场需求还不错,其中需求最好的是固态硬碟(SSD),预估慧荣今年的营收成长将倍增。他也看好在苹果的需求带动下,NAND Flash下半年将出现供不应求的缺货现象。   对NAND Flash的市况,他表示,以前四月的情况来看,NAND是供过于求,但从供应端目前没有任投资在2D NAND,大部份业者投资在3D NAND来看,下半年可能会缺货。目前3D NAND除了三星已出货外,英特尔、SK海力士都要到下半年,而东芝、Sandisk会较
  • 关键字: NAND Flash  慧荣  

下半年NAND Flash一定缺货,且会非常缺

  •   全球储存型快闪记忆体(NAND Flash)晶片最大供应商慧荣科技总经理苟嘉章昨(21)日表示,固态硬碟(SSD)价格已到甜蜜点,今年出货将大爆发,成为成长最强劲的记忆体产品;法人预估台厂概念股群联、创见、威刚、宇瞻、广颖、宜鼎等,可望掀比价效应。   慧荣是以台湾为研发重心,立足全球的国际公司,上周五(20日)股价以每股42.19美元创2005年6月在美国那斯达克挂牌以来新高,市值达1.48亿美元(约新台币48.5亿元),同创历史新高。   苟嘉章昨天主持慧荣爱心园游会后,针对今年NAND Fl
  • 关键字: NAND Flash  

发展Flash晶圆制造的四大投资方向

  •   中国大陆业者在NANDFlash产业链的相关布局与投资不断开展,成为中国大陆半导体业挥军全球的下一波焦点。   某研究所最新研究报告显示,随着紫光国芯(原同方国芯)投资、武汉新芯扩厂,及国际厂如三星、英特尔增加产能,预估2020年中国大陆国内Flash月产能达59万片,相较于2015年增长近7倍。        预估2012~2016年NANDFlash生产端年平均位元增长率达47%,其最终消费端需求年平均位增长率亦高达46%,显示NANDFlash仍为高速发展产业。   拓墣
  • 关键字: Flash  晶圆  

TrendForce:2020年中国大陆国内Flash月产能上看59万片

  •   中国大陆业者在NAND Flash产业链的相关布局与投资不断开展,成为中国大陆半导体业挥军全球的下一波焦点。TrendForce旗下拓墣产业研究所最新研究报告显示,随着紫光国芯(原同方国芯)投资、武汉新芯扩厂,及国际厂如三星、英特尔增加产能,预估2020年中国大陆国内Flash月产能达59万片,相较于2015年增长近7倍。   TrendForce预估2012~2016年NAND Flash生产端年平均位元增长率达47%,其最终消费端需求年平均位增长率亦高达46%,显示NAND Flash仍为高速发
  • 关键字: Flash  NAND   

Flash芯片你都认识吗?

  •   Flash存储器,简称Flash,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还不会因断电而丢失数据,具有快速读取数据的特点;在现在琳琅满目的电子市场上,Flash总类可谓繁多,功能各异,而你对它了解有多少呢?  为了让大家更深入了解Flash,今天将主要根据芯片的通信协议并且结合Flash的特点,给大家一个全新认识。  一、IIC EEPROM  IIC EEPROM,采用的是IIC通信协议;IIC通信协议具有的特点:简单的两条总线线路,一条串行数据线(SDA)
  • 关键字: Flash  EEPROM  

Flash与SAS硬碟价格2015年恐现死亡交叉

  •   资料储存解决方案大厂NetApp表示,经由云端与Flash两股推力驱动,让近年IT基础架构进入新一波的转型期,其中2016年经由融合式基础架构(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系统工具应用性窜升,将让2016年成为IT的精简之年。   此外值得注意的是,TLC架构的Flash存储器借由需求性提升及单位成本快速下降,预期今年每GB的FLash价格也将较SAS硬碟更低,并让All Flash资料中心的将进入主流储存领
  • 关键字: Flash  SAS  

手机标称16G内存,为何实际却少于16G

  •   摘要:现在市面上存在NAND FLASH和eMMC这两种的大容量存储介质,就是各类移动终端及手机的主要存储介质。两者有何区别,存储芯片的实际大小与标称值又有什么关系呢?   我们总是在说手机内存,那到底是用什么介质存储的呢?99%是用NAND Flash和eMMC这两种的存储介质。eMMC是近几年智能手机兴起后,为满足不断增大的系统文件而诞生的,是NAND Flash的升级版,他的结构如下:        我们接触到的16G、32G等手机,为何实际存储容量却总是小于这些值呢?难道
  • 关键字: NAND FLASH  eMMC  

中国下个购并标的:NAND Flash控制芯片

  •   中国政府近来积极透过中资集团陆续收购或入资海外半导体公司,期建立自有半导体供应链。现阶段,逻辑晶片从设计、制造到封装测试皆已具雏型,反观记忆体领域则为主要发展缺口。资策会MIC认为,中资集团下一波购并目标将锁定NAND Flash控制晶片业者,并设法取得大规模制造产能,以补强记忆体产业发展。   资策会MIC产业顾问兼主任洪春晖表示,中国近期积极透过购并,来改善半导体自制比例过低的情形,现今中国在本土逻辑IC设计、晶圆代工、逻辑IC封测等产业链上,已有一定程度的发展,上述领域皆具有本土厂商或已与外商
  • 关键字: NAND Flash  芯片  

TrendForce:经济前景未明,2016年全球NAND Flash产值增长有限

  •   全球经济依旧前景不明,各项NAND Flash终端需求厂商态度相对保守,TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange调查显示,由于终端设备平均搭载量与固态硬盘(SSD)需求增长,2016年整体NAND Flash需求位量将较2015年增长44%,然而生产端为了快速降低成本以刺激更多的需求,NAND Flash厂商将会加速3D-NAND Flash的开发,整体NAND Flash年度位元产出增长率将大幅增长50%。   DRAMeXchange研究协理杨文得表示,2016年NAND Fl
  • 关键字: NAND Flash  TLC  

掌握ECC/坏区块管理眉角 NAND Flash嵌入式应用效能增

  •   NAND Flash记忆体在出厂时是允许部分晶片含有坏区块,或者好的区块中含有一些错误位元,因此在实际应用时,须搭配使用控制器,透过硬体与软体进行坏区块管理,以及利用错误更正编码(ECC)演算法修正错误位元,方能提升嵌入式系统储存效能。   NAND型快闪记忆体(NAND Flash) IC的技术演进快速,平均每1∼2年就前进一个制程世代来降低成本,在售价大幅下降情况下,愈来愈多嵌入式系统,例如:蓝光播放器、电视、数位相机、印表机等应用均采用NAND低成本的优势,取代原本使用的NOR型快闪记
  • 关键字: NAND Flash  

中国NAND Flash产业链的布局日趋完整

  •   研究机构TrendForce表示,随着清华紫光投资NAND Flash储存相关公司的脚步加快,以及中国半导体业者在NAND Flash产业链的布局日趋完整,中国业者在NAND Flash产业地位也越来越关键。   TrendForce 旗下存储器储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示,虽然NAND Flash短期内受到供过于求的影响呈现较为疲软的格局,但长远来看,NAND Flash的相关应用成长依旧快速。SSD与eMMC在各种电子产品的能见度越来愈高,NAND Flash成为未来储存
  • 关键字: NAND Flash  SSD  

中国NAND Flash产业链的布局日趋完整

  •   研究机构TrendForce表示,随着清华紫光投资NAND Flash储存相关公司的脚步加快,以及中国半导体业者在NAND Flash产业链的布局日趋完整,中国业者在NAND Flash产业地位也越来越关键。   TrendForce 旗下存储器储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示,虽然NAND Flash短期内受到供过于求的影响呈现较为疲软的格局,但长远来看,NAND Flash的相关应用成长依旧快速。SSD与eMMC在各种电子产品的能见度越来愈高,NAND Flash成为未来储存
  • 关键字: AND Flash  

科技行业为Flash准备“葬礼”

  • 过去多年时间里,来自Adobe的热门软件Flash让网络变得更丰富,然而,Flash的安全性一直饱受诟病,而近期发生的信息安全事故再次表明,Flash应当走向消亡。
  • 关键字: Adobe  Flash  

基于ARM7软中断程序的设计

  •   笔者在设计一项目时采用LPC2458。此CPU为ARM7内核,带512K字节的片内FLASH,98k字节的片内RAM,支持片外LOCAL BUS总线,可从片外NOR FLASH启动CPU.由于代码量较大,程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在运行程序时,需对片外的NOR FLASH擦写的需求。图1为存储部分框图。        图1存储部分原理框图   在设计中,片外NOR FLASH的大小为16M字节。其中2M规划为存放运行程序,剩余的空间用于产品运
  • 关键字: ARM7  FLASH  
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