- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻 (RDS(on)) ，适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动，以及电信设备等应用。
新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中压硅技术，通过大幅降低90% RDS(on)显著改善了电流处理能力，为客户的特定应用优化了性能及价格。
IR
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IR MOSFET HEXFET
- 2010年6月8日，由中国电子技术权威杂志《电子产品世界》举办的“2009年度电源产品评选”活动在“第七届绿色电源与电源管理技术研讨会”举行了颁奖典礼。社长陈秋娜女士宣布了最终的获奖结果，中国电源学会常务理事长李龙文和陈秋娜女士分别为获奖厂商代表进行颁奖。本次活动中共收到来自近20家国内外电源厂商提交的五大类别60多款产品，经网上票选和专家测评最终的分别选出最佳创新奖和最佳应用奖获奖产品，另外还同时从所有参选产品中特别评选出了两款绿色电源奖产品奖。
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电源管理 MOSFET LED驱动
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷减小为48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封装。
这三款器件的低导通电阻意味着更低的功率损耗，从而在各种应用的功率因数校正(PFC)升压电路、脉宽调
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Vishay MOSFET
- 包括德仪、 英飞凌、国家半导体(NS)、安森美(On Semi)等IDM厂，开出高于业界水平价格，包下 台积电、 联电、世界先进等晶圆代工产能，成熟制程产能不足问题，已对立锜、致新等台湾模拟IC业者造成排挤效应。为了避免下半年旺季时无货可出，台湾业者只能松口答应调涨代工价10%至15%不等幅度，以便争取到更多产能。
下半年将进入手机及计算机销售旺季，不论市场是否对市场需求有所疑虑，但业界仍认为旺季仍会有旺季应有表现，至少第3季的手机、笔电、消费性电子产品等出货量，与去年同期相较仍有2成至3成的年
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飞思卡尔 MOSFET 模拟IC
- 市场研究机构iSuppli指出，部分模拟、逻辑、内存与电源管理IC 出现严重缺货现象，导致价格上扬与交货期延长至“令人担忧的程度”。“当交货期来到20周左右的水平，意味着零组件供应端与需求端出现了很大的差异;”追踪半导体与零组件价格的iSuppli资深分析师Rick Pierson表示。
当零组件供应端出现吃紧情况，对照目前正处于复苏状态的市场，或许并不令人惊讶;Pierson指出，特定的市场与价格也激化各种零组件领域出现不同程度的短缺。根据iSu
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电源管理 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用热增强型PowerPAK® SO-8封装，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V栅极驱动下，该器件的典型导通电
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Vishay MOSFET SiR880DP
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合，提供完整的中压器件系列，它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。
新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能，适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源(SMPS)及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250V的宽泛电压，所以可提供不同水平的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg)，为客户的特定应用提供
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IR MOSFET HEXFET
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合，提供完整的中压器件系列，它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。
新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能，适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源(SMPS)及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250V的宽泛电压，所以可提供不同水平的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg)，为客户的特定应用提供
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IR MOSFET HEXFET
- 英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为、及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台，C6器件针对易用性进行了优化，而E6器件则旨在提供最高效率。
CoolMOS™ C6/E6是来自英飞凌的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET。全新的650V CoolMOS™ C6/E6器件具备快速、可控的开关性能，
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英飞凌 CoolMOS MOSFET
- 德州仪器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 电流下实现超过 90% 高效率的同步 MOSFET 半桥，其占位面积仅为同类竞争功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模块通过高级封装将 2 个非对称 NexFET 功率 MOSFET 进行完美整合，可为服务器、台式机与笔记本电脑、基站、交换机、路由器以及高电流负载点 (POL) 转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能。更多详情，敬请访问：www.ti.com.cn/powerblock-prcn。
NexF
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TI MOSFET NexFET CSD86350Q5D
- 日前， Vishay Intertechnology, Inc.宣布，为帮助客户了解在一个小尺寸器件内组合封装的高边和低边MOSFET如何节省DC-DC转换器的空间和成本，该公司在其网站(http://www.vishay.com)上新增了一个流媒体视频，展示SiZ700DT PowerPAIR®双芯片不对称功率MOSFET解决方案。
传统上，设计者要在笔记本电脑、VRM、电源模块、图形卡、服务器和游戏机，以及工业系统的DC-DC转换中实现系统电源、POL、低电流DC-DC和同步降压转换
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Vishay MOSFET DC-DC 转换器
- 英飞凌科技股份公司(Infineon)推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列。有了600V Cool-MOS C6系列器件，诸如PFC(功率因数校正)级或PWM(脉宽调制)级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻(例如采用TO-220封装，电阻仅为99毫欧)在内的补偿器件的优势，同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。
C6系列是英飞凌推
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英飞凌 MOSFET CoolMOS C6
- 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封装，型号为 FDMS7650。FDMS7650 可以用作负载开关或ORing FET，为服务器中心 (server farm) 在许多电源并行安排的情况下提供分担负载功能。FET的连续导通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服务器中心的总体效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封装以突破1
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Fairchild MOSFET FDMS7650
- 德州仪器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 电流下实现超过 90% 高效率的同步 MOSFET 半桥，其占位面积仅为同类竞争功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模块通过高级封装将 2 个非对称 NexFET 功率 MOSFET 进行完美整合，可为服务器、台式机与笔记本电脑、基站、交换机、路由器以及高电流负载点 (POL) 转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能。
NexFET 功率模块除提高效率与功率密度外，还能够以高达 1.5 MHz 的开关频率生
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TI MOSFET
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
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