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英飞凌推出CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列

作者:时间:2010-07-02来源:电子产品世界收藏

  科技股份公司近日推出全新的650V ™ C6/E6高性能功率系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为、及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效率。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/110538.htm

  ™ C6/E6是来自的第六代市场领先的高压超级结功率。全新的650V ™ C6/E6器件具备快速、可控的开关性能,适用于效率和功率密度是关键要求的应用。650V CoolMOS™ C6/E6器件易于应用,是各种高能效开关产品的理想之选,例如笔记本电脑适配器、太阳能逆变器和其他需要额外击穿电压裕量的开关电源(SMPS)产品。

   HVMOS功率分立式器件产品经理Jan-Willem Reynaerts指出:“全新的650V C6/E6产品系列是英飞凌早前推出的CoolMOS™ 600V C6/E6产品系列的有益补充,确保那些需要650V击穿电压的电源产品能享受我们第六代CoolMOS™ 技术的各种优势。从这个意义上讲,CoolMOS™ C6/E6使我们的客户能够从大获成功的C3系列顺利实现更新换代。”

  相对于CoolMOS™ C3 650V系列,全新650V CoolMOS™ C6/E6 器件输出电容(Eoss)的储电量降幅高达20%,而C6/E6 器件经过改进的体二极管具备更高的硬换相耐受性,并可使反向恢复电荷降低约25%。得益于调谐栅极电阻的平衡设计,C6/E6 器件的开关行为能够避免过高的电压和电流变化率。



关键词: 英飞凌 CoolMOS MOSFET

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