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mosfet 文章 进入mosfet技术社区

满足供电需求的新型封装技术和MOSFET

  • 当维持相同的结点温度时,可以获得更高的输出功率和改善功率密度。另外,散热能力的提高使得电路在提供额定电流的同时,还可以额外提供不超过额定电流50%的更高电流,并使器件工作在更低的温度、减少发热对其他器件的影响,也提高了系统的可靠性。
  • 关键字: 技术  MOSFET  封装  新型  供电  需求  满足  

Vishay Siliconix 推出新款500V的 N沟道功率MOSFET超低导通电阻

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷降至68nC,采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封装。   SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPA
  • 关键字: Vishay  MOSFET   

一种MOSFET双峰效应的简单评估方法

  • 金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是由一个金氧半(MOS)二机体和两个与其紧密邻接的P-n接面(p-n junction)所组成。自从在1960年首次证明后,MOSFET快速的发展
  • 关键字: MOSFET  双峰效  方法    

Diodes 推出强固型MOSFET 轻松应对IP电话通信设备的严峻考验

  •   Diodes 公司推出专为IP电话(VoIP)通信开发的新型60V N沟道器件,扩展了其MOSFET产品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列专为处理产生正极线和负极线换行线路馈电 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脉冲电流,以及抵挡电源开关时引起的雪崩能量而设计。该器件能够满足基于变压器的用户线路接口电路 (SLIC) 直流/直流转换器对基本切换功能的严格要求。   Diodes 这次推出的四款产品提供四种不同的行业标准封装选择,包括:SOT223封装的DMN606
  • 关键字: Diodes  MOSFET  

硅功率MOSFET在电源转换领域的应用

  •  功率MOSFET作为双极晶体管的替代品最早出现于1976年。与那些少数载流子器件相比,这些多数载流子器件速度更快、更坚固,并且具有更高的电流增益。因此开关型电源转换技术得以真正商用化。早期台式电脑的AC/DC开关电
  • 关键字: 领域  应用  转换  电源  MOSFET  功率  

Panasonic电工PhotoMOS MOSFET的控制电路

  •   前言   Panansonic电工的PhotoMOS在输出中采用了光电元件和功率MOSFET,是作为微小模拟信号用而开发出的SSD,以高功能型的HF型为首,正逐步扩展系列,如通用型的GU型、高频型的RF型。   上次介绍了PhotoMOS的概要,此次将介绍内置在PhotoMOS中构成控制电路的独特的光电元件的特点、构造、布线等。   FET型MOSFET输出光电耦合器的基本电路   图1是PhotoMOS中具有代表性的、即所谓的FET型MOSFET输出光电耦合器的最基本电路。在该电路中由于输出
  • 关键字: Panansonic  PhotoMOS  MOSFET  

瑞萨电子推出3款新型功率MOSFET产品

  •   高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子)已于近日宣布开始供应第12代新型功率MOSFET(金属氧化物半导体晶体管)产品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新产品作为面向DC/DC转换器的功率半导体器件,主要面向计算机服务器和笔记本电脑等的应用。   本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存储器的电压转换电路。例如,可作为降压电路,用于将电池提供的12V电压转换为1.05V,以便为CPU所用。随着公司进一步推进
  • 关键字: 瑞萨电子  MOSFET  

Panasonic电工PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器的概要2

  •   b触点型“PhotoMOS”的开发   随着PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器的优势被广泛了解,人们将其用于信息通信设备、OA设备、FA设备及其他广泛的领域。为了满足大众进一步的需求,本公司开发出了“可通过机械实现、并拥有所有触点构成(b触点、c触点)”的PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器。   为实现该产品的开发,我们在功率MOSFET制造工艺中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
  • 关键字: Panasonic  MOSFET  PhotoMOS  

IR 推出为 D 类应用优化的汽车用 DirectFET2 功率 MOSFET

  •   全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 今天宣布推出汽车用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列,适合D 类音频系统输出级等高频开关应用。   新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件,拓展了 IR 适用于汽车 D 类音频系统的 DirectFET®2 功率 MOSFET 阵营,并利用低栅极电荷 (Qg) 作出优化,来改善总谐波失真
  • 关键字: IR  MOSFET  

基于功率MOSFET的激光器外触发系统研制

  • 采用功率MOSFET及其驱动器和光纤收发器件,研究了激光触发开关脉冲功率源控制技术中的快上升沿(≤5 ns)触发信号产生、驱动、传输及光纤隔离、高耐压脉冲变压器使用等关键技术。给出了激光器外触发控制电路的设计及测试结果,并对其应用特点进行了分析和讨论。
  • 关键字: MOSFET  激光器  触发系统    

Diodes 推出小型SOT963封装器件

  •   Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封装的双极晶体管 (BJT)、MOSFET和瞬态抑制二极管 (TVS) 器件,性能可媲美甚至超过采用更大封装的器件。   Diodes SOT963的占板面积仅有0.7 mm2,比SOT723封装少30%,比SOT563封装少60%,适合低功耗应用。占板面积节省加上0.5 mm的离板高度,让Diodes 的 SOT963 封装器件能够满足各种超便携式电子产品的要求。   现阶段推出的SOT963封装产品线包括6款通用双极双晶体管组合、3款小信号双MOS
  • 关键字: Diodes  MOSFET  BJT  TVS  

MOSFET驱动器介绍及功耗计算

  • 我们先来看看MOS关模型:



    Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。
    Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是
    耗尽区电容
  • 关键字: MOSFET  驱动器  功耗计算    

电源设计小贴士17:缓冲反向转换器

  • 之前,我们介绍了如何对正向转换器输出整流器开启期间两端的电压进行缓冲。现在,我们来研究如何对反向转换器的 FET 关断电压进行缓冲。图 1 显示了反向转换器功率级和一次侧 MOSFET 电压波形。该转换器将能量存储于
  • 关键字: 转换器  缓冲  设计  MOSFET  TI  德州仪器  

Panasonic 电工PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器的概要

  •   前言:   Panasonic电工的“PhotoMOS”是一款采用光电元件以及功率MOSFET进行输出的输出光电耦合器。面试二十年间,在全世界的销量达到八亿个,堪称是一款销售成绩骄人的商品。“PhotoMOS”满足了小型·轻量·薄形化的需求,作为适应电子化的输出光电耦合器,增加了①高灵敏性、高速响应;②从传感器输入信号水平到高频的控制;③从声音信号到高频用途的对应;④高可靠性和长使用寿命;⑤可进行表面安装的SMD型;⑥多功能
  • 关键字: 松下电工  MOSFET  PhotoMOS  光电耦合器  

英飞凌推出30V车用 MOSFET

  •   英飞凌科技股份公司近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N沟道器件,在10V栅源电压条件下,漏极电流为180A,而通态电阻仅为0.9毫欧。采用D2PAK-7封装的IPB180N03S4L-H0,可满足客户对标准封装功率 MOSFET的需求:以最低成本获得高额定电流和最低通态电阻。   基于英飞凌适用于功率MOSFET的功能强大的第二代沟槽技术,OptiMOS-T
  • 关键字: 英飞凌  MOSFET  
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mosfet介绍

  金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSF [ 查看详细 ]

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