Vishay发布助客户进一步节约器件占位空间和系统成本的解决方案的视频教程
日前， Vishay Intertechnology, Inc.宣布，为帮助客户了解在一个小尺寸器件内组合封装的高边和低边MOSFET如何节省DC-DC转换器的空间和成本，该公司在其网站(http://www.vishay.com)上新增了一个流媒体视频，展示SiZ700DT PowerPAIR®双芯片不对称功率MOSFET解决方案。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/110035.htm传统上，设计者要在笔记本电脑、VRM、电源模块、图形卡、服务器和游戏机，以及工业系统的DC-DC转换中实现系统电源、POL、低电流DC-DC和同步降压转换应用中所需的低导通电阻和高电流，就不得不使用两片分立MOSFET。
新视频展示了Vishay的SiZ700DT PowerPAIR方案如何通过将一个低边和高边MOSFET组合到小尺寸6mmx3.7mm的器件中，减少DC-DC转换器中电源架构所需的空间，增加转换器的功能，开发更小的终端产品，同时保持低导通电阻和最大电流。
SiZ700DT的低边MOSFET在10V下的导通电阻为5.8mΩ，在+70℃下的最大电流为13.9A，高边MOSFET在10V下的导通电阻为8.6mΩ，在+70℃下的最大电流为10.5A。这些指标使设计者能够使用一个器件完成设计，节约方案的成本和空间，包括在两个分立MOSFET之间的间隙和标注面积。
两个MOSFET已经在PowerPAIR封装内部进行连接，使得布局变得更加简洁，同时减少PCB印制线的寄生电感，提高效率。此外，SiZ700DT的输入引脚排列在一侧，输出引脚排列在另一侧，可进一步简化布局。
欲观看此视频，请访问：
http://www.vishay.com/landingpage/videos/demo_powerpair.html。
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