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mosfet 文章 进入mosfet技术社区

晶圆厂产能不足 MOSFET供货警报响

  •   台晶圆代工厂产能供应失序情形,近期已逐渐从8寸晶圆向下蔓延到5寸及6寸晶圆,包括LCD驱动IC及电源管理IC纷向下抢夺5寸、6寸晶圆产能动作,让许久未传出缺货的金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)亦出现客户一直紧急追单,MOSFET市场明显供不应求现象,对台系相关供应商如富鼎、尼克森及茂达2010年第1季营收表现,将有显著贡献。   台系MOSFET供应商指出,近期合作的5寸、6寸晶圆厂内部产能利用率直线拉升,影响所及,尽管公司紧急向晶圆厂加单,不过,由于加单动作明显落后其它业者,未来3个月可
  • 关键字: 晶圆代工  电源管理  MOSFET  

TI 推出面向高电流 DC/DC 应用的功率MOSFET

  •   日前,德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品,DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于缩小终端设备的尺寸,同时还可将MOSFET允许的电流提高 50%,并改进散热管理。   该系列包含的 5 款 NexFET 器件支持计算机与电信系统设计人员使用具有扩充内存及更高电流的处理器,同时显著节省板级空间。这些采用高级封装的 MOSFET 可广泛用于
  • 关键字: TI  MOSFET  DualCool  NexFET  

Vishay推出12V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAK® SC-75封装,占位面积为1.6mm x 1.6mm,具有业内P沟道器件最低的导通电阻。   SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P沟道技术的最新产品,使用了自对准工艺技术,在每平方英寸的硅片上装入了10亿个晶体管单元。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的节距工艺,将业内
  • 关键字: Vishay  MOSFET  TrenchFET  

Vishay Siliconix推出业界最小的60V 功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封装能节约更多的空间。   SiM400是迄今为止最小的60V功率MOSFET,其SOT-923封装的尺寸为1mm x 0.6mm,最大厚度仅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%,厚度则薄了26%。   在VGS为10V、4.5V和3.5V的情况下,新器件的导通电阻分别
  • 关键字: Vishay  MOSFET  SiM400  

英飞凌和飞兆半导体达成侵权诉讼和解协议

  •   英飞凌科技股份公司今天宣布,公司与飞兆半导体公司之间的专利侵权诉讼已达成和解。2008年11月,英飞凌向美国特拉华州地方法院提起诉讼。本诉和反诉标的包括与超结功率晶体管以及沟槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶体管有关的14项专利。   通过广泛的半导体技术专利交叉许可,双方就上述诉讼达成和解。根据和解协议,飞兆半导体将向英飞凌支付许可费,但协议的具体条款和条件保密。   英飞凌和飞兆半导体将通知美国特拉华州地方法院,双方已经达成和解,并将申请撤诉。   作为半导体行业的全球领袖,英飞凌目前正
  • 关键字: 英飞凌  MOSFET  IGBT  

MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用

  •   下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电
  • 关键字: MOSFET  应用  原理  电路  驱动  

IGBT核心技术及人才缺失 工艺技术缺乏

  •   新型电力半导体器件的代表,IGBT的产业化在我国还属空白。无论技术、设备还是人才,我国都处于全方位的落后状态。应当认识到,电力半导体器件和集成电路在国民经济发展中地位同样重要,因此,政府应该对IGBT产业予以大力扶持。   众所周知,电力电子技术可以提高用电效率,改善用电质量,是节省能源的王牌技术。当今以绝缘栅双极晶体管(IGBT)为代表的新型电力半导体器件是高频电力电子线路和控制系统的核心开关元器件,它的性能参数将直接决定着电力电子系统的效率和可靠性。IGBT已成为新型电力半导体器件的代表性器件,
  • 关键字: 器件  IGBT  封装  测试  MOSFET  

短沟道MOSFET散粒噪声测试方法研究

  • 近年来随着介观物理和纳米电子学对散粒噪声研究的不断深入,人们发现散粒噪声可以很好的表征纳米器件内部电子传输特性。由于宏观电子元器件中也会有介观或者纳米尺度的结构,例如缺陷、小孔隙和晶粒等,因而也会
  • 关键字: MOSFET  噪声测试  方法研究    

安森美推出符合汽车标准的自保护低端MOSFET驱动IC

  •   安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET。这系列器件通过了AEC-Q101标准认证,非常适用于严格的汽车及工业工作环境中的开关应用。   NCV8401、NCV8402、NCV8402D(双裸片)、NCV8403及NCV8404的设计是为了提供强固及可靠的工作,这些器件全都有丰富的自保护特性,包括限温及限流、静电放电(ESD)保护,以及用于过压保护(OVP)的集成漏极至栅极钳位。   安森美半导体汽车
  • 关键字: 安森美  MOSFET  驱动IC   

利用低端栅极驱动器IC进行系统开发

  • 利用低端栅极驱动器IC可以简化开关电源转换器的设计,但这些IC必须正确运用才能充分发挥其潜力,以最大限度地减小电源尺寸和提高效率。如何根据额定电流和功能来选择适当的驱动器,驱动器周围需要哪些补偿元件,以及如何确定热性能等是设计时要注意的方面。
  • 关键字: Fairchild  转换器  MOSFET  开关电源  栅极驱动器  200912  

D类MOSFT在发射机射频功放中的应用

  • O 引言
    随着微电子技术的发展,MOS管在电子与通信工程领域的应用越来越广泛。特别是在大功率全固态广播发射机的射频功率放大器中,利用MOS管的开关特性,可使整个射频功率放大器工作在开关状态,从而提高整机效
  • 关键字: 应用  功放  射频  发射机  MOSFT  MOSFET  开关特性  射频功放  调幅发射机  

能效需求催生功率器件应用热潮

  •   市场需求逐步恢复   ● 能效需求催生功率器件应用热潮   ● 扩内需政策为企业提供增长空间   陈坤和   从2008年底到2009年初,所有电子产品的需求均有减少,功率半导体也不例外。我们认识到,困难时期可能成为重新把公司塑造成一个更精简、更专注、更赢利企业的催化剂。由于各国政府的经济刺激措施纷纷把提升能效列为重点内容,许多企业开始关注功率产品。在中国,由于政府刺激消费电子市场,中国市场需求增长,推动功率管理和其他半导体产品的需求开始复苏。从长期来看,功率半导体将与许多其他领域的半导体产品
  • 关键字: 功率器件  MOSFET  

针对应用选择正确的MOSFET驱动器

  • 现有的MOSFET技术和硅工艺种类繁多,这使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有挑战性的过程。
  • 关键字: MOSFET  选择正确  驱动器    

Diodes推出为VoIP应用优化的全新MOSFET

  •   Diodes公司推出两款N沟道MOSFET,为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案,极大地降低了电路的复杂性和成本。   ZXMN15A27K及ZXMN20B28K经过特别设计,能满足各种VoIP应用中基于用户线接口电路(SLIC)DC/DC转换器对变压器中初级开关位置的严格要求。这些应用涵盖宽带语音系统、PBX系统、有线和DSL网关。   两款新器件的击穿电压(BVDSS)分别为150V及200V,能够承受SLIC环境下的高脉冲雪崩能量和通信模式,不需要额外的保护电
  • 关键字: Diodes  MOSFET  

MOSFET栅漏电流噪声模型研究

  • CMOS器件的等比例缩小发展趋势,导致了栅等效氧化层厚度、栅长度和栅面积都急剧减小。对于常规体MOSFET,当氧化层厚度2 nm时,大量载流子以不同机制通过栅介质形成显著的栅极漏电流。栅极漏电流不仅能产生
  • 关键字: 研究  模型  噪声  电流  MOSFET  
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mosfet介绍

  金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSF [ 查看详细 ]

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