- 1 引言
MOSFET管的导通电阻具有正的温度特性，可自动调节电流，因而易于并联应用。但由于器件自身参数(栅极电路参数及漏源极电路参数不一致)原因，并联应用功率MOSFET管会产生电流分配不均的问题，关于此问题，
- 关键字：
不均 问题 探究 分配 电流 管并联 应用 MOSFET
- 1. 引言
本文设计的50MHz/250W 功率放大器采用美国APT公司生产的推挽式射频功率MOSFET管ARF448A/B进行设计。APT公司在其生产的射频功率MOSFET的内部结构和封装形式上都进行了优化设计，使之更适用于射频功率放大器
- 关键字：
MOSFET 射频功率 功率放大器
- 随绿色经济的兴起，节能降耗已成潮流。在现代化生活中，人们已离不开电能。为解决“地球变暖”问题，电能消耗约占人类总耗能的七成，提高电力利用效率被提至重要地位。
据统计，60%至70%的电能是在低能耗系统中使用的，而其中绝大多数是消耗于电力变换和电力驱动。在提高电力利用效率中起关键作用的是功率器件，也称电力电子器件。如何降低功率器件的能耗已成为全球性的重要课题。
在这种情况下，性能远优于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人们青睐。SiC器件耐高温(工作温度和环境
- 关键字：
丰田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
- 全球节能环保意识高涨使得高效、节能产品成为市场发展的主流趋势。相应地，电源|稳压器管理IC、MOSFET芯片等功率器件也被越来越多的应用到整机电子产品中。在功率器件产品中，MOSFET的市场需求增长最快。据分析机构数据显示，尽管受全球金融危机影响， 2008年，中国MOSFET市场需求量为198.2亿个，仍比2007年增长了11.9%。
在应用方面，目前消费电子已成为MOSFET最大的应用市场，这主要得益于MOSFET在便携式产品、LCD TV等消费电子产品中的广泛应用。其次，是计算机、工业控制
- 关键字：
Fairchild MOSFET 稳压器
- 引言欧盟部长理事会已经执行RoHS指令(在电子电气设备中限制使用某些有毒有害物质指令)以及WEEE指...
- 关键字：
MOSFET 绿色 塑料封装
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出AUIRS2016S 器件，适用于汽车栅极驱动应用，包括通用喷轨、柴油和汽油直喷应用，以及螺线管驱动器。
AUIRS2016S是一款高电压功率MOSFET高侧驱动器，具有内部电压尖峰对地 (Vs-to-GND) 充电 NMOS。这款器件的输出驱动器配备一个250mA高脉冲电流缓冲级。相关沟道能够在高侧配置中驱动一个N沟道功率MOSFET，可在高于地电压达150V的条
- 关键字：
IR MOSFET 驱动器 AUIRS2016S
- 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封装，型号为 FDMS7650。FDMS7650 可以用作负载开关或ORing FET，为服务器中心 (server farm) 在许多电源并行安排的情况下提供分担负载功能。FET的连续导通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服务器中心的总体效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封装以突破1
- 关键字：
Fairchild MOSFET FDMS7650
- 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)为电源、照明、显示和工业应用的设计人员带来SupreMOS™新一代600V超级结MOSFET系列产品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N，以及具有199mΩ最大阻抗的FCP16N60N和FCPF16N60NT。SupreMOS™系列器件兼具低RDS (ON) 和低总栅极电荷，相比飞兆半导体的600V SuperFET&trade
- 关键字：
Fairchild MOSFET SupreMOS SuperFET
- 在美国，工业应用领域AC电机所用的电能占全国的2/3以上。在许多应用中，AC电机或被关断或以全速运作，而通过为电机添加变速控制功能，就能够在标准开启/关断控制下实现显著节能。用混合信号FPGA来实现高效率AC电机控制系统，可大幅降低电机的功耗。
电机无处不在
今天，电机用于各类应用中，然而，很少有人意识到电机在使用中对环境带来怎样的影响。专家估计，在美国，电机所消耗的电能约占总发电量的50%。从全球范围看，AC电机功耗占工业应用的70%，占商业应用电能的45%，占住宅应用电能的42%。
- 关键字：
FPGA PWM MOSFET
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列获得工业认证的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，为不间断电源 (UPS) 逆变器、低压电动工具、ORing应用和网络通信及和服务器电源等应用提供非常低的栅极电荷 (Qg) 。
这些坚固耐用的MOSFET采用IR最新一代的沟道技术，并且通过非常低的导通电阻 (RDS(on)) 来减少散热。此外，新器件的超低栅极电荷有助于延长不间断电源逆变器或电动工具的电池寿命。
IR亚洲区销售副总裁
- 关键字：
IR MOSFET UPS 沟道
- 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET器件FDZ371PZ，该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench® 工艺 技术，为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来业界最低RDS(ON) 值(-4.5V下为75mΩ) ，能够最大限度地减小传导损耗。通过降低损耗，FDZ371PZ能够提高便携设计的效率，并延长电池寿命。FDZ371PZ还可提供4.4kV的稳健ESD保护功能，以保护器件免受ESD事件
- 关键字：
Fairchild MOSFET PowerTrench FDZ371PZ
- D类放大器的应用范围非常广泛，随着技术的成熟，目前已进入大规模普及阶段。针对其在器件成本、EMI等方面的问题，业内企业也提出了多种解决方案。
D类放大器技术是三四年前被业内热议的新技术，目前它已进入大规模普及阶段。业界正在积极解决应用普及过程中的问题，如EMI(电磁干扰)、成本和效率等。与此同时，集成技术也是一个不容忽视的趋势。
转入大规模普及阶段
三四年前，D类放大器在业界掀起了一个新技术的小高潮。D类放大器采用脉冲调制方式将输入信号转换为数字脉冲，由MOSFET进行放大，再通过低
- 关键字：
ADI D类放大器 MOSFET EMI
- 上网本是笔记本电脑的派生产品，目前上网本的功率需求与笔记本电脑相似。由于需要使用多单元锂离子电池，因而需要具有宽输入电压范围的降压转换器来驱动内核、存储器、外设或通用系统组件。另外也可选择使用低压降(LDO)调节器。
大多数MID和智能手机使用各种功率管理单元(PMU)来实现功率管理，而这源于它们的低功耗需求。过去一年来，上网本市场经历了前所未有的增长，供应商正在积极开发用于上网本的集成式电源解决方案，2008年大多数上网本电脑电源采用了分立式解决方案，然而今年我们预计将转向包含有控制器+MOS
- 关键字：
上网本 PMU MOSFET
- 上网本的电源管理分为以下几部分：电源适配器、电池充电和管理、CPU供电、系统供电、I/O和显卡供电、显示背光供电、DDR存储器供电。MPS针对上网本对电源小型化和轻载高效的要求，发展了拥有自主知识产权的一系列电路控制策略、半导体集成工艺以及封装技术。
MPS的DC/DC变换器，将电源控制器、驱动和MOSFET完全集成在一个芯片中。和大多数竞争对手所采用的多芯片封装不同，MPS是将这些部分完全集成在一个硅片上，这极大地降低了传统分立元件所带来的寄生参数影响，从而提高变换器的效率和开关频率，减小电容
- 关键字：
MPS 电源管理 MOSFET 上网本
- 英飞凌科技股份公司在功率电子半导体分立器件和模块领域连续第六年稳居全球第一的宝座。据IMS Research公司2009年发布的《功率半导体分立器件和模块全球市场》报告称，2008年，此类器件的全球市场增长了1.5%，增至139.6亿美元(2007年为137.6亿美元)，而英飞凌的增长率高达7.8%。现在，英飞凌在该市场上占据了10.2%的份额，其最接近的竞争对手份额为6.8%。在欧洲、中东和非洲地区以及美洲，英飞凌也继续独占鳌头，分别占据了22.8%和11.2%的市场份额。
随着汽车、消费和工
- 关键字：
英飞凌 IGBT MOSFET
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
