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in-sight 3d-l4000视觉系统 文章 进入in-sight 3d-l4000视觉系统技术社区

西门子与联华电子合作开发3D IC混合键合流程

  • 西门子数字化工业软件近日与半导体晶圆制造大厂联华电子 (UMC) 合作,面向联华电子的晶圆堆叠 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圆堆叠 (chip-on-wafer) 技术,提供新的多芯片 3D IC (三维集成电路) 规划、装配验证和寄生参数提取 (PEX) 工作流程。联电将同时向全球客户提供此项新流程。通过在单个封装组件中提供硅片或小芯片 (chiplet) 彼此堆叠的技术,客户可以在相同甚至更小的芯片面积上实现多个组件功能。相比于在 PCB
  • 关键字: 西门子  联华电子  3D IC  混合键合流程  

长江存储推出UFS 3.1高速闪存,加速5G时代存储升级

  • 近日,长江存储科技有限责任公司(简称“长江存储”)宣布推出UFS 3.1通用闪存——UC023。这是长江存储为5G时代精心打造的一款高速闪存芯片,可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域,以满足AIoT、机器学习、高速通信、8K视频、高帧率游戏等应用对存储容量和读写性能的严苛需求。UC023的上市标志着长江存储嵌入式产品线已正式覆盖高端市场,将为手机、平板电脑等高端旗舰机型提供更加丰富灵活的存储芯片选择。长江存储高级副总裁陈轶表示 :“随着5G通信、大数据、AIoT的加速
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

长江存储SSD上新!42mm迷你身材飚出3.9GB/s

  • 这两年,长江存储无论是NAND闪存还是SSD固态盘,都呈现火力全开的姿态,从技术到产品都不断推陈出新。6月23日,长江存储有发布了面向OEM市场的商用SSD PC300系列,可用于笔记本、轻薄本、二合一本、一体机、台式机、物联网、嵌入式、服务器等各种场景,而且同时支持3.3V、1.8V SideBand电压,可适配更多平台。长江存储PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶栈架构的第三代3D NAND闪存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280两种形态规格
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

存储芯片从落后20年,到追上三星、美光,中国厂商只花了6年

  • 近日,有消息称,国内存储芯片大厂长江存储已向客户交付了192层堆叠的3D NAND闪存芯片。而预计在2022年底或2023年初,会实现232层堆叠的3D NAND闪存技术。这意味着国内存储芯片厂商,终于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片,而大规模量产和应用要到2022年底或2023年初去了。而三星预计也是在2022年内推出200层以上的3D NAND闪存芯片,而大规模应用也要到2023年去了。可见,国产存储芯片,在技术上确实已经追上了三星
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

中国芯片传来捷报,长江存储取得技术突破,正式打破三星垄断

  • 中国芯片传来捷报,长江存储取得重大技术突破,正式打破韩国三星垄断,目前已经完成192层3D NAND闪存样品生产,预计年底实现大规模量产交付。长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业,从成立之初就保持着高速稳定的发展状态,用短短3年的时间,接连推出了32层NAND闪存,以及64层堆栈3D NAND闪存,成功进入了华为Mate40手机的供应链。随后为了缩短和三星、SK海力士、铠侠等寡头企业的距离,长江存储直接越级跳过了96层,直接进入了128层3D NAND 闪存的研发,并成功在2020年正式宣布研发成功,它是
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

国产存储芯片又取得突破,长江存储192层闪存送样,预计年底量产

  • 头一段时间,有媒体报道称,长江存储自主研发的192层3D NAND闪存已经送样,预计年底实现量产。长江存储一直是我们优秀的国产存储芯片企业,从成立之初便保持了一个高速的发展状态。2016年成立,2017年便推出了32层NAND闪存。2019年,推出64层堆栈3D NAND闪存,并成功进入了华为Mate40手机的供应链。为了缩短与三星、SK海力士、铠侠等行业大厂的差距,长江存储跳过了96层,直接进行了128层3D NAND 闪存的研发,并在2020年正式宣布研发成功,它是业内首款128层QLC规格的3D N
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

imec首度展示晶背供电逻辑IC布线方案 推动2D/3D IC升级

  • 比利时微电子研究中心(imec)于本周举行的2022年IEEE国际超大规模集成电路技术研讨会(VLSI Symposium),首度展示从晶背供电的逻辑IC布线方案,利用奈米硅穿孔(nTSV)结构,将晶圆正面的组件连接到埋入式电源轨(buried power rail)上。微缩化的鳍式场效晶体管(FinFET)透过这些埋入式电源轨(BPR)实现互连,性能不受晶背制程影响。 FinFET微缩组件透过奈米硅穿孔(nTSV)与埋入式电源轨(BPR)连接至晶圆背面,与晶圆正面连接则利用埋入式电源轨、通孔对
  • 关键字: imec  晶背供电  逻辑IC  布线  3D IC  

英飞凌推出全球首款符合ISO26262标准的高分辨率车用3D图像传感器

  • 3D深度传感器在汽车座舱监控系统中发挥着着举足轻重的作用,有助于打造创新的汽车智能座舱,支持新服务的无缝接入,并提高被动安全。它们对于满足监管规定和NCAP安全评级要求,以及实现自动驾驶愿景等都至关重要。有鉴于此,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)与专注3D ToF(飞行时间)系统领域的湃安德(pmd)合作,开发出了第二代车用REAL3™图像传感器,该传感器符合ISO26262标准,具有更高的分辨率。         
  • 关键字: 3D  图像传感器  

英飞凌携手湃安德为Magic Leap 2开发3D深度传感技术,赋能尖端工业和医疗应用

  • 增强现实(AR)应用将从根本上改变人类的生活和工作方式。预计今年下半年,AR领域的开拓者Magic Leap将推出其最新的AR设备Magic Leap 2。Magic Leap 2专为企业级应用而设计,将成为市场上最具沉浸感的企业级AR头显之一。Magic Leap 2符合人体工学设计,拥有行业领先的光学技术和强大的计算能力,能够让操作人员更高效地开展工作,帮助公司优化复杂的流程,并支持员工进行无缝协作。Magic Leap 2的核心优势之一是采用了由英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX:
  • 关键字: 3D  s深度传感  

3D DRAM技术是DRAM的的未来吗?

  • 5月25日,有消息传出,华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。随着“摩尔定律”走向极限,DRAM芯片工艺提升将愈发困难。3D DRAM就成了各大存储厂商突破DRAM工艺极限的新方案。DRAM工艺的极限目前,DRAM芯片最先进的工艺是10nm。据公开资料显示,三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出货;美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM产品的量产。那么,10nm是DRAM工艺的极限吗?在回答这个问题之前,我
  • 关键字: DRAM  3D DRAM  华为  三星  美光  制程  纳米  

NVIDIA透过人工智能 将2D平面照片转变为3D立体场景

  • 当人们在75年前使用宝丽来 (Polaroid ) 相机拍摄出世界上第一张实时成像照片时,便是一项以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界画面的创举。时至今日,人工智能 (AI) 研究人员反将此作法倒转过来,亦即在几秒钟内将一组静态影像变成数字 3D 场景。 NVIDIA Research 透过人工智能,在一瞬间将 2D 平面照片变成 3D 立体场景这项称为逆向渲染 (inverse rendering) 的过程,利用 AI 来预估光线在真实世界中的表现,让研究人员能利用从不同角度拍摄的少量 2D
  • 关键字: 3D  CPU  GPU  NVIDIA  

适用于 TMAG5170 SPI 总线接口、高精度线性 3D 霍尔效应传感器的评估模块

  • TMAG5170UEVM 是一个易于使用的平台,用于评估 TMAG5170 的主要特性和性能。此评估模块 (EVM) 包含图形用户界面 (GUI),用于读取和写入寄存器以及查看和保存测量结果。还包括一个 3D 打印旋转和推送模块,用于通过单个器件测试角度测量和按钮的常用功能。特性· GUI 支持读取和写入器件寄存器以及查看和保存测量结果· 3D 打印旋转和推送模块· 可分离式 EVM 适用于定制用例· 方便通过常见的 micro-USB 连接器充电
  • 关键字: 精密数模转换器  霍尔效应传感器  3D  

摩尔定律如何继续延续:3D堆叠技术或许是答案

  • 按照摩尔定律进一步缩减晶体管特征尺寸的难度越来越大,半导体工艺下一步发展走到了十字路口。在逼近物理极限的情况下,新工艺研发的难度以及人力和资金的投入,也是呈指数级攀升,因此,业界开始向更多方向进行探索。
  • 关键字: 摩尔定律  3D  堆叠技术  

双目立体赋能3D机器视觉,银牛携芯片模组登陆中国市场

  • 1   几种3D深度感知技术比较3D深度感知主要有3个技术方向:双目立体,结构光,飞行时间(ToF),结构光起步比较早,但是技术的局限性较大,而双目立体的发展速度较快,势头迅猛。从物理原理上,双目立体和结构光二者都用了三角测距,但是双目立体是依靠自然的红外反射在摄像头上产生特征点,来计算对象物深度的数据。结构光需要有一个发射光的发射源,带编码的光到了对象物体再反射回来来计算这个深度。结构光的弱点是在室外时,结构光发射带编码的光经常受到环境的干扰;而双目立体不容易受到室外光的干扰,因此室
  • 关键字: 3D  双目  深度  

AMD推动高效能运算产业发展 首款3D chiplet应用亮相

  • AMD展示了最新的运算与绘图技术创新成果,以加速推动高效能运算产业体系的发展,涵盖游戏、PC以及数据中心。AMD总裁暨执行长苏姿丰博士发表AMD在高效能运算的最新突破,揭示AMD全新3D chiplet技术;与业界领导厂商特斯拉和三星合作,扩大了AMD运算与绘图技术在汽车与手机市场的应用;新款AMD Ryzen处理器瞄准狂热级玩家与消费性PC;最新AMD第3代EPYC处理器所带来领先的数据中心效能;以及为游戏玩家提供的一系列全新AMD绘图技术。 AMD总裁暨执行长苏姿丰展示AMD全新3D chi
  • 关键字: AMD  3D chiplet  Ryzen  
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