功耗是当今电子设计以及测试中最热门也是竞争最激烈的领域之一。这是因为人们对高能效有强烈需求，希望能充分利用电池能量，帮助消减能源帐单，或者支持空间敏感或热量敏感型应用。在经过30年的发展之后，硅MOSFET发
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GaN 测试
摘要：分析新型SiC功率器件在实际应用中的基本特性，以升压斩波电路为载体，通过理论分析对SiC MOSFET栅极电阻对开关特性的影响，以及开关频率与传输效率的关系进行了阐述。同时，以SiC MOSFET功率器件为核心搭建
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功率器件 升压斩波电路 栅极电阻
中国第三代半导体产业南方基地(以下简称“南方基地”)正式落户东莞。9月30日，中国第三代半导体产业南方基地项目启动发布会在东莞召开。国家科技部原副部长、国家第三代半导体产业决策委员会主任曹健林，广东省副省长袁宝成、省科技厅厅长黄宁生，市委副书记、市长梁维东，国家第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲等领导出席中国第三代半导体产业南方基地项目启动发布会并见证签约仪式。
副市长杨晓棠，市政府党组成员、松山湖管委会主任殷焕明等参加了启动仪式。
为广东实现半导体产业化提
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半导体 GaN
本文为您详细介绍直流电机驱动设计需要注意的事项，低压驱动电路的简易栅极驱动、边沿延时驱动电路图解及其设计思路。
以上是直流电机驱动电路图，下面为您详细介绍直流电机驱动设计需要注意的事项，低压驱动电路的简易栅极驱动、边沿延时驱动电路图解及其设计思路。
一、 直流电机驱动电路的设计目标
在直流电机驱动电路的设计中，主要考虑一下几点：
1. 功能：电机是单向还是双向转动?需不需要调速?对于单向的电机驱动，只要用一个大功率三极管或场效应管或继电器直接带动电机
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PWM 功率器件
随着去年Dialog取得了台湾敦宏科技40%的股份后，国际Fabless业者Dialog于今日又有重要动作。此次的重大发布是与晶圆代工龙头台积电(TSMC)在GaN(氮化镓)元件的合作。
Dialog企业发展及策略资深副总裁Mark Tyndall
透过台积电以六寸晶圆厂的技术，Dialog推出了DA8801，Dialog企业发展及策略资深副总裁Mark Tyndall在会后接受CTIMES采访时表示，该款元件为目前产业界首款将逻辑元件与GaN FET整合为单一
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Dialog GaN
德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer IAF)近日开发出实现5G网路不可或缺的建构模组：以氮化镓(GaN)技术制造的高功率放大器电晶体...
下一代行动无线网路——5G，将为需要极低延迟的间和/或高达10Gbps资料传输速率的创新应用提供平台。德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，Fraunhofer IAF)近日开发出实现5G网路不可或缺的一种建构模组
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GaN 5G
众人皆知，由于半导体制程的不断精进，数位逻辑晶片的电晶体密度不断增高，运算力不断增强，使运算的取得愈来愈便宜，也愈来愈轻便，运算力便宜的代表是微电脑、个人电脑，而轻便的成功代表则是笔电、智慧型手机、平板。
GaN、SiC、Si电源配接电路比较图 (source：www.nedo.go.jp)
不过，姑且不论摩尔定律(Moors’ Law)能否持续下去，有些电子系统的轻便度仍待改进提升，例如笔电出门经常要带着一个厚重占体积的电源配接器(Power Ad
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GaN SiC
当诺贝尔奖委员会在2014年宣布物理奖得主是发明蓝光LED而得奖的日本学者赤崎勇、天野浩与中村修二三位学者后，掀起日本人对LED及氮化镓(GaN)注意，也让相关研究单位及研究计划获得更多的支持与关注。
比方2015年以诺贝尔奖得主天野浩带头的新单位─名古屋大学GaN联盟，便有29家企业、14所大学、与2个技术研发基金会加入;日本产业技术总和研究所(AIST)与名古屋大学(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立产总研名大氮化镓半导体先进零组件开创研究实验室(GaN-OIL)，都是
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GaN LED
当诺贝尔奖委员会在2014年宣布物理奖得主是发明蓝光LED而得奖的日本学者赤崎勇、天野浩与中村修二三位学者后，掀起日本人对LED及氮化镓(GaN)注意，也让相关研究单位及研究计划获得更多的支持与关注。
比方2015年以诺贝尔奖得主天野浩带头的新单位─名古屋大学GaN联盟，便有29家企业、14所大学、与2个技术研发基金会加入;日本产业技术总和研究所(AIST)与名古屋大学(Nagoya University)合作，在2016年成立产总研名大氮化镓半导体先进零组件开创研究实验室(GaN-OIL)，都
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GaN 蓝光LED
三菱电机今年继续以“创新功率器件构建可持续未来”为主题， 携带八款新型功率器件，在今天正式亮相PCIM Asia 2016(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会)，受到广大参观者的一致好评，参观者们纷纷在三菱电机展台拍照留念，三菱电机再次向公众展示其在功率半导体市场上的非凡实力(三菱电机展位号：B15)。
今年展出的功率器件应用范围跨越四大领域，包括：变频家电、轨道牵引及电力传输、电动汽车、工业和新能源发电，致力为客户提供高性能及低损耗的产品。
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三菱电机 功率器件
当前，全球半导体产业正处于深度变革，化合物半导体成为产业发展新的关注点，我国应加紧产业布局，抢占发展的主动权。
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GaAs GaN
台湾台积电(TSMC)在“ISPSD 2016”上公开了受托生产服务的蓝图及试制元件的特性等。该公司将采用在直径150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN层的“硅基氮化镓”(GaN on Si)技术生产GaN晶体管。
台积电打算开展受托生产的GaN晶体管有三种类型：(1)常开型(Normal On)MISFET、(2)常开型HEMT、(3)常关型(Normal Off)。按耐压高低来分有40V、100V和650V产品。
其中，耐压650V的常关
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台积电 GaN
三菱电机今年继续以“创新 功率器件构建可持续未来”为主题， 携带八款新型功率器件，于6月28至30日在上海世博展览馆举行的 PCIMAsia2016(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会)中登场，向公众展示其在功率 半导体市场上的非凡实力(三菱电机展位号：B15)。
今年展出的功率器件应用范围跨越四大领域，包括：变频家电、轨道牵引及电力传输、电动 汽车、工业和新能源发电，致力为客户提供高性能及低损耗的产品。
变频家电市场
在变频家电应用方面，三菱电机这次在去
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三菱 功率器件
移动应用、基础设施与航空航天、国防等应用中领先的RF解决方案供应商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化镓(GaN)晶体管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，专门设计用于优化商业用雷达、通信系统及航空电子应用的功率性能。
Qorvo 国防与航空航天产品总经理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶体管系列通过提供更高功率增益和功率附加效率来提升系统性能。Qorvo可以更好地实现相位阵列雷达等先进设备的要求，提供
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Qorvo GaN
氮化镓 (GaN) 技术由于其出色的开关特性和不断提升的品质，近期逐渐得到了电力转换应用的青睐。具有低寄生电容和零反向恢复的安全GaN可实现更高的开关频率和效率，从而为全新应用和拓扑选项打开了大门。连续传导模式 (CCM)图腾柱PFC就是一个得益于GaN优点的拓扑。与通常使用的双升压无桥PFC拓扑相比，CCM图腾柱无桥PFC能够使半导体开关和升压电感器的数量减半，同时又能将峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉区域内出现电流尖峰的根本原因，并给出了相应的解决方案。一个750W图腾柱PFC原型机被
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GaN PFC
600v氮化镓（gan）功率器件介绍
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