- 在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。
据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测，未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。
SiC肖特基二极管已存在十多年，SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
- 关键字：
GaN 半导体 SiC
- 在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。
据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测，未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。
SiC肖特基二极管已存在十多年，SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
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GaN 半导体 SiC
- 电磁干扰一般通过空间辐射和通过导线传导，在工程领域一直是人们要解决的难题和研究热点。驱动单元作为大功率...
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电磁兼容 电磁干扰 逆变 功率器件
- 常用功率器件MOSFET的基础知识介绍,我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。此外，二极管作为开关取决于信号流的方向;我们不能对其编程以通过或屏蔽一个
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MOSFET 功率器件
- 因照明用LED需求大增，三菱化学计划在2014年初将LED用氮化镓(GaN)基板产能扩增至现行的2-3倍。
目前，三菱化学利用水岛事业所和筑波事业所生产的GaN基板，生产的产品直径为2寸，月产能分别为1,000片、数百片。
而为了要达到稳定获利的水平，有必要将产品尺寸扩大至4-6寸，所以，三菱化学计划借由调整水岛事业所现有设备的制程，开始生产直径为4寸的GaN基板，月产能为200-300片，并计划凭借新设生产设备或增设厂房等措施，开始生产6寸GaN基板，将GaN基板产能扩增至现行的2-3倍
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LED GaN
- 在可以预见的未来，电能将会成为我们主要的消耗能源。大至高速列车，小至手机，都不能脱离电能而存在。无论什么类 ...
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IR 功率器件 节能设计
- 扬州电子信息产业近年来快速发展，从电线电缆独大，到新能源和新光源产业崛起，“三分天下”格局初成。目前，电线电缆约占1/3，新光源和新能源各占20%强，电子信息制造业结构趋于合理。未来将通过规划引导、项目推动、创新突破等3大举措，促进电子制造业加快发展。
布局3大产业
扬州电子制造业形成电线电缆、新光源、新能源3大产业齐头并进新格局，结构得到优化。
目前，扬州光伏新能源产业已形成电子级高纯度多晶硅、单晶硅、硅片、电池片、组件全产业链生产能力，多晶硅太阳能电池年产
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电子制造 功率器件
- 功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保护，以避免如欠压，缺失饱和，米勒效...
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隔离驱动 PowerMOSFET 功率器件
- 1 引言80年代问世的绝缘栅双极性晶体管IGBT是一种新型的电力电子器件，它综合了gtr和MOSFET的优点，控制方便、开关速度快、工作频率高、安全工作区大。随着电压、电流等级的不断提高，IGBT成为了大功率开关电源、变频
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IGBT 功率器件 方法
- 第三步：确定热要求 选择MOSFET的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情 ...
- 关键字：
功率器件
- 所谓功率半导体器件，以前也被称为电力电子器件，简单来说，就是进行功率处理的，具有处理高电压，大电流能力的半导体 ...
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功率器件
- 11、请问：HCPl-316产品如何做到短路时软关断？谢谢！ HCPL-316J 饱和阈值的顶点设置在7V，这是对通过一个比较 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保护，以避免如欠压，缺失饱和，米勒效 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出四款全极性霍尔效应开关，其磁场检测的敏感度适合于多种产品设计的接近效应与位置检测功能。这些微功率器件也为电池及低功率操作进行了优化，在3V供电下一般仅消耗24 μW。
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Diodes 功率器件 霍尔效应
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